Устройство сравнения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
о:ь., сия овз Советских циалистически чЬ АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВ-21 2) Заявлено 1508,77 2523715/ ем заявки М с присоедиие (23) Приорит С 01 й 17/ 6 05 В 1/О сударствеииый ком СССР о делам изобретен и открытий(5 621.373. (088.8) Дата опубв писания 050 оваии А,С.Нагайкин и А.А.Анисимов 72) Авторыизобретен и(71) Заявитель 4 ) УСТРОЙСТВО СРЛВНЕНИ 2 нойбытьдля бретение относится к импульс-измерительной технике и можетспользовано в устройствахавнения напряжений. Известно устройство сравнения, содержащее входную, промежуточную и выходную дифференциальные пары транзисторов, причем коллекторы-транзисторов выходной дифференциальной пары подключены через туннельные диодык шине нулевого потенциала, а- базы к коллекторам транзисторов промежу- точной дифференциальной пары, эмиттеры которых подключены к шине источника питания через коммутатор на транзисторе, между базой и эмит.тером которого включен транзистор в диодном включении, коллекторы соединены между собой транзисторами в диодном включении, эмиттеры которых подсоединены к шине источника питания через элемент смещения, а базы подключены к коллекторам транзисто-. 25 ров входной дифференциальной пары транзисторов, эмиттерамиподключенных к шине источника питания через источник тока, а в коллекторные цепи включены резисторы, генератор30 стробируюших импульсов и дополнителЬ- ные транзисторы 11 .однако это устройство имеет недостаточную надежность из-эа большого числа источником стабилизированного тока и наличия смешаюшей цепи из стабилитронов, что усложняет схему, увеличивает питающие напряжения, повышает мощность рассеяния на элементах схемы.Целью изобретения является повы-. шение надежности устройстваДля этого в устройстве сравнения, содержащем входную, промежуточную и выходную дифференциальные пары тран зисторов, причем коллекторы транзисторов выходной дифференциальной пары подключены через туннельные диоды к шине нулевого потенциала, а базы - к коллекторам транзисторов промежуточной дифференциальной пары, эмиттеры,которых подключены к первой шине источника питания через коммутатор на транзисторе, между базой и эмиттером которого включен транзистор в диодном включении, коллекторы соединены между собой транзисторами в диодном включении, эмиттеры которых подсоединены к второй шине источникапитания через элемент смешения, а базы подключены к коллекторам транзисторов входной дифференциальной пары транзисторов, эмиттерами подключенных к второй шине источника питаниячерез источнйк тока, а н коллек торные цепи включены резисторы, генератор стробируюших импульсов и дополнительные транзисторы, к обшей точке резисторов входной дифференциальной пары подсоединена база транзистора коммутатора, а коллекторы транзисторов промежуточной дифференциальной пары подключены к коллекторам дополнительных транзисторов, эмиттеры которых подключены к шине источника питания, а базы к выходу генератора15 стробируюших импульсов, эмиттеры транзисторон выходной дифференциальной пары подключены к второй шине источника питания.20На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.Устройство сраннения содержит входную пару транзисторов 1 и 2,.про 1 межуточную пару транзисторов 3 и 4, выходную пару транзисторов 5 и б (пары дифференциальные), туннельные диоды 7 и 8, коммутатор на транзисторе 9, транзисторы 10-12 в диодном включении, элемент 13 смешения, источник 14 тока, генератора 15 стробируюших импульсов, дополнительные транзисторы 1 б и 17, резисторы 18 и 19, шины 20 и 21 источника питания, причем шина 20, соединена с эмиттерами транзисторов 9 и 12:, базы которых соединены с коллектором транзистоРа 12 и обшей точкой резисторов 18 и 19, другие ныноды которых .соединены с коллекторами соответственно транзисторов 1 и 2, подключен ных к базам соответственно транзисторов 3 и 4, эмиттеры которых соединены с коллектором транзистора 9, а коллекторы соединены соответственно с коллекторами транзисторов 10 45 и 11, эмиттеры которых через элемент 13 соединены с шиной 21, соединенной с эмиттерами транзисторов 16 и 17 и подключенной через источник 14 к эмиттерам транзисторов 1 и 2; базы транзисторов 16 и 17 соединены с выходом генератора 15, а их коллекторы соединены с базами соответственно транзисторон 10 и 11, соединеннымис базами транзисторов 5 и б, эмиттеры которых соединены с шиной 21, а коллекторы соответственно через диоды 7 и 8 соединены с шиной нуле-, вого потенциала.Устройство сравнйнания работает следующим образом, бОДифференциальное напряжение, образованное разностью входного и опорного напряжений на базах транзисторов 1 и 2,. усиливается. При этом суммарный коллекторный ток транзи - 65 торов 1 и 2 создает постояннуювеличину смещения на транзисторе 12,что обусланлинает стабильный токколлектора транзистора 9.В соответствии с величиной усиленного дифференциального сигнала,снимаемого с резисторон 18 и 19, токтранзистора 9 перераспределяется между коллекторами транзисторов 3 и 4.В отсутствие стробируюшего импульса с генератора 15 коллекторные токи транзисторов 3 и 4 проходят черезоткрытые транзисторы 16 и 17, в результате транзисторы 5 и б оказываются закрытыми,и ток через туннельныедиоды 7 и 8 не проходит,При наличии стробируюшего импульса транзисторы 16, 17 закрываются,и коллекторные токи транзисторов 3и 4 проходят через транзисторы 10и 11 и создают на них соответственно падения напряжений Оо и 11 Н. Напряжения П,ри П для случая нулевого.падения напряжения Бс на элементе 13 обуславливают токи через коллекторы транзисторов 5 и б.В случае идентичных транзисторов1-б и 10, 11, токи через коллекторытранзисторон 5 и б ранны токам через коллекторы транзисторов 3 и 4,Если на элементе смешения 13имеется некоторое напряжение смешения 1)сц,то величины токов через транзисторы 5 и 6 будут обуславливатьсясуммарными напряжениями 1)о ПсмЪ Бц . Установка элемента 13 между змиттерами транзисторов 10, 11 и5, б позволяет получить усилие токавыходной дифференциальной парой натранзисторах 5 и б с коэффициентомпередачи тока К - Е"Р Бсм. Сумма токов транзисторов 5 и б при этом сохраняется постоянной. Дифференциальное напряжение на транзисторах 10 и11 повторяет дифференциальное напряжение на входе промежуточной дифференциальной пары на транзисторах 3и 4 и управляет транзисорами 5 и бвыходной дифференциальной пары, вобшей эмиттерной цепи которой формируется стабилизированный ток, величина которого определяется токомтранзистора 9. Смешающий элемент 13сохраняет свойства дифференциальногокаскада с источником тока в эмиттерной цепи. При этом сокрашается число источников стабилизированного тока и исключается необходймость использования цепи смещения из стабилитронов. Токи, генерируемые в эмиттерныецепи выходной дифференциальной пары,распределяются между транзисторов5 и б в соответствии с величинойразности входного и опорного напряжения,При достижении током коллектора,например, транзистора 5 величины пи714291 Формула изобретения Составитель А.СтепановРедактор Л.Гельфман Техред И.Келемеш Корректор етни 8/41 Тираж 1019 ЦНИИПИ Государственного о делам изобретений и 035, Москва, Ж, Раушскакового значения тока туннельногодиода 7, последний переключается надиффузионную ветвь вольтамперной характеристики, формируя переднийфронт выходного импульса, В моментспада стробируюшего импульса транзисторы 5 и б закрываются, и туннельный диод 7 переходит на туннельныйучасток вольтамперной характеристики, формируя задний фронт выходногоимпульса. Устройство сравнения, содержащее входнуюпромежуточную и выходную дифференциальные пары транзисторов, причем коллекторы транзисторов выходной дифференциальной пары подключены через туннельные диоды к шине нулевого потенциала, а базы - к коллекторам транзисторов промежуточной дифференциальной пары, эмиттеры которых подключены к первой шине источника питания через коммутатор на транзисторе, между базой и эмиттером которого включен транзистор в диодном включении, коллекторы соединены ,между собой транзисторами в диодном включении, эмиттеры которых подсоединены к второй шине источника питания через элемент смешения, а базыподключены к коллекторам транзисторов входной дифференциальной парытранзисторов, эмиттерами подключенных к второй шине источника питания через источник тока, а в коллек"торные цепи включены резисторы, генератор стробирующих импульсов идополнительные транзисторы, о т л ьч а ю ш е е с я тем, что, с цельюповышения надежности, к обшей точкерезисторов входной дифференциальнойпары подсоединена база транзисторакоммутатора, а коллекторы транзис-.торов промежуточной дифференциальнойпары подключены к коллекторам дополнительных транзисторов, эмиттерыкоторых подключены к шине источникапитания, а базы к выходу генератора 20 стробируюших импульсов, эмиттерытранзисторов выходной дифференциальной пары подключены к второй шинеисточника питания.Источники информации, 25 принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР9430728, кл, 6 01 В 17/00, 17,07,72
СмотретьЗаявка
2523715, 15.08.1977
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1424
НАГАЙКИН АНАТОЛИЙ СЕМЕОНОВИЧ, АНИСИМОВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 17/00
Метки: сравнения
Опубликовано: 05.02.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-714291-ustrojjstvo-sravneniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство сравнения</a>
Предыдущий патент: Стробоскопическое устройство регистрации формы сигналов
Следующий патент: Автоматический мостовой измеритель
Случайный патент: Устройство для определения микроколичеств веществ