Избирательный усилитель

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51) М, Кл. Н ОЗГ 1/34 Н ОЗ Н 7/02 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) ИЗБИРАТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ Изобретение относится к усилителям и может использоваться в радио- технической аппаратуре различного назначения, например в микроэлектронных радиоприемных устройствах.5Известен избирательный усилитель, содержащий усилительный каскад на двух транзисторах, включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока в общей эмиттерной цепи и резисторами в коллекторных цепях транзисторов, к базе первого транзистора которого подключен источник входного сигнала, эмиттерный повторитель, вход которого соединен с коллектором 15 второго транзистора усилительного каскада, и ВС-структуру с двумя участками проводящего слоя, резистивный слой которой включен между выходом эмиттерного повторителя и базой З второго транзистора усилительногокаскада 1).Однако в известном избирательном усилителе при отклонении отношения сопротивления резистивного слоя ВС- структуры 28 к сопротивлению ноль- резистора Б от значения, необходимого для формирования нуля передачи, резко увеличивается произведение чувствительности добротности на требуемый для реализации заданной добротности коэффициент усиления, а это, в свою очередь, приводит к нестабильности частотной характеристики усилителя.Целью изобретения является повышение стабильности частотной характеристики усилителя. Для этого в избирательном усилителе, содержащем усилительный каскад на двух транзисторах включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока в общей эмиттерной цепи и резисторами в коллекторных цепях транзисторов, к базе первого транзистора которого подключен источниквходного сигнала, эмиттерный повторитель, вход которого соединен с коллектором второго транзистора усилительного каскада, и НС-структуру с двумя участками проводящего слоя, резистивный слой которой включен между выходом эмиттерного повторителя и базой второго транзистора усилительного каскада, один из участков проводящего слоя ВС-структуры подключен к выходу эмиттерного повторителя, а другой - к коллектору первого транзистора усилительного каскада.1В соответствии со схемой фиг. 1 передаточную функцию, резонансного усилителя с коэффициентом усиления дифференциального каскада ,О и с частотно-зависимыми цепями положительной обратной связи с коэффициентом передачи К (р)и отрицательной обратной связи с коэффициентом передачи К (Р) можно записать в виде ггде добротность Формула изобретения ОоКг(Р) = 11 К(Р) (2) 65 На Фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема избирательного усилителя; на фиг. 2 - ВС структура с продольным разрезом на,проводящем слое; на фиг. 3 - схематическое изображение ВС-структуры.Избирательный усилитель содержитусилительный каскадна двух транзисторах 1,2, включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока 3 в общей эмиттерной цепи и резисторами 4,5 в коллекторных цепях 10транзисторов, К базе первого транзистора 1 подключен источник входного сигнала. Вход эмиттерного повторителя б соединен с коллекторомвторого транзистора 2 усилительного каскада, Усилитель содержит ВСструктуру 7 с двумя участками 8,9проводящего слоя, резистивный слой10 которой включен между выходомэмиттерного повторителя б и базой 20второго транзистора 2 усилительногокаскада. Участок 9 проводящего слояВС-структуры подключен к выходу эмиттерного повторителя б, а участок 8 к коллектору первого транзистора 1усилительного каскадаВС-структура 7 (см. Фиг. 2) представляет собой трехслойную систему, " выполненную по технологии интегральных схем, и содержит резистивныйслой 10, диэлектрический слой 11 ипроводящий слой, разделенный на участки 8,9 продольным разрезом.Рассмотрим частотные свойства ВСструктуры включенной в цепи положительной и отрицательной обратнойсвязифункция разреза Й(х) проводящегослоя КС-структуры имеет вид 1(х =)Ъ (соъ - х-соз - х), 401 МГге 2 егде 0 6О,бб - коэффициент,- длина ВС-структуры,При подаче входного сигнала научасток 8 проводящего слоя,и при выполнении условий короткого замыканияв конце и холостого хода в началерезистивного слоя передаточная функция ВС-структуры имеет видИо0(о) о,е ъ - Р 50-, со.а ц =исе):о р+ - р+св1 О, О5%где О 4 ЯСЕ г ) с=Ор 31Й,С - погонные сопротивление и емкость ВС-структуры длиной 6,Тогда передаточная Функция ВСструктуры при подаче сигнала научасток 9 проводящего слоя и на конец резистивного слоя 10 при60х=1( Б-Б(6)-Пэ) и обеспечении условиякороткого замыкания участка 8запишется следующим образом Подставляя (1) в (3), получим 1 Д-,60 аа 1ТА+ф)Ф Р+ОУ рг ог полюса передаточной характеристикирезонансного усилителя;"4 всгР усилителяИз выражения для передаточной характеристики избирательного усилителя следует, что она является дробно-рациональной функцией частоты и характеризуется взаимной независимостью центральной частоты и добротности, а вследствие независимости центральной частоты от коэффициента усиления дифференциального каскада предложенный избирательный усилитель при прочих равных условиях имеет более высокую стабильность частоты по сравнению с известным.Кроме того, при той же стабильности коэффициента усиления, что и в известной схеме, на предложенном усилителе можно реализовать более высокую добротность, или при одной и той же добротности обеспечить более высокую ее стабильность. Избирательный усилитель, содержащий усилительный каскад на двух транзисторах, включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока в общей эмиттерной цепи и резисторами в коллекторных цепях транзисторов, к базе первого транзистора которого подключен источник входного сигнала, эмиттерный повторитель, вход которого соединен с коллектором второго транзистора усилительного каскада, и ВС-структуру с двумя участками проводящего слоя,651448 подключен к выходу эмиттерного повторителя, а другой - к коллектору первого транзистора усилительного каскада.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Патент США Р 3436669, кл, 330-21, 1968. И 11.Челе ерова Составительарпас Техред Л. Ал едакт Тираж 1059 ИИПИ Государственно по делам изобретен МосКва, ЖРаук Заказ 865 6 й 13035 нт иал ППП г. Ужг резистивный слой которой включен между выходом эмиттерного повторителя и базой второго транзистора усилительного каскада, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности частотной харакф ф ри ф йк у ДЯЯ % Ятерист %=ус те , од"нз участ=ков проводящего слоя ВС-структуры Корректор И, МускаПодписноекомитета СССРи открытийая наб. д. 4/5дсод, ул. Проектная, 4