Устройство для хранения и выборки информации

и 1553685 ОПИСАН И Е ИЗОбРЕТЕН ИЯ Соав Советских Социалистических ресочбдикТОР СКОМУ ЕТЕДЬС 61) Дополнительное к авт. свид 51) М. Кл.2 б 11 С 27/02(23) ПриоритетОпубликовано 05.04.77. Бюллетень13Дата опубликования описания 14.04.77 Государственный камите авета министров ССС) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХРАНЕНИИНФОРМАЦИИ ЫБОРКИ Изобретение относится к области аналогоцифровой техники, а также области радиотехники, использующей дискретные методы обработки сигналов, и предназначено для дискретизации непрерывных сигналов. Оно может 5 найти применение при построении аналогоцифровых преобразователей и при согласовании аналоговых и цифровых устройств в различных системах обработки сигналов.Известно устройство выборки и запомина ния 1), содержащее последовательный аналоговый ключ на биполярном транзисторе. Известно также устройство выборки и запоминания 2, содержащее последовательный ключ на полевом транзисторе. 15Недостатком таких устройств выборки и запоминания является сравнительно высокий уровень пролезаний через паразитные параметры ключей, что ограничивает как точность их работы, так и достижимую частоту дискре тизации.Из известных устройств выборки и запоминания наиболее близким по технической сущности является устройство 3, содержащее п - р - п-транзистор, база которого подключена 25 ко входу устройства и через первый резистор к шине нулевого потенциала и к одной из обкладок конденсатора. Змиттер а - р - и-транзистора соединен через второй резистор с отрицательной шиной питания, Другая обкладка 30 конденсатора подключена к выходу устройства и к коллектору первого р - и - р-транзистора, а через третий резистор к эмиттеру второго р - и - р-транзистора, база которого соединена с коллектором третьего р - и - р-транзистора, коллекторы тт - р - п-транзистора и второго р - и - р-транзистора подсоединены к шинам питания соответственно, четвертый резистор, шину напряжения смещения, шину стробирования и шину напряжения ограничения.Недостатками прототипа являются;ограниченное быстродействие в режиме образования выборочного значения, обусловленное наличием ограничительного резистора и использованием насыщенного параллельного ключа;ограниченная частота дискретизации, связанная с необходимостью полного разряда накопительного конденсатора сравнительно малым коллекторным током разрядного транзистора перед каждым новым стробом;наличие существенных погрешностей образования выборочных значений при работе на нарастающих участках входного сигнала, что обусловлено работой выходного транзистора в режиме, близком к режиму пикового детектора и отнесением выборочных значений к моментам окончания стробов;униполярность схемы с точки зрения входного сигнала,Целью изобретения является повышениебыстродействия устройства,Эта цель достигается тем, что предложенноеустройство содержит диод, анод которого подключен к эмиттеру и - р - п-транзистора, к базе второго р - и - р-транзистора и к коллектору третьего р - и - р-транзистора, эмиттер которого соединен с эмиттером первого р в и в ртранзистора и через четвертый резистор с положительной шиной питания. Базы третьего ипервого р - и - р-транзисторов подключены кшине стробирующего импульса и шине напряжения смещения соответственно. Катод диодасоединен с шиной напряжения ограничения.На чертеже представлена принципиальнаяэлектрическая схема устройства.Устройство содержит и - р - и-транзистор 1,р - и - р-транзисторы 2 - 4, диод 5, резисторы6 - 9 и конденсатор 10.Устройство работает в двух режимах:в режиме выборки, когда происходит образование выборочных значений сигнала на накопительном конденсаторе и в режиме хранения, когда образованное выборочное значениесигнала на конденсаторе поддерживается постоянным и используется для работы внешнихустройств.В режиме хранения потенциал на базе транзистора 2 ниже потенциала источника Е,подключенного к базе транзистора 4, на величину, достаточную для того, чтобы транзистор2 был полностью открыт, а транзистор 4 полностью закрыт,Сопротивление резистора 9 выбрано таким,что коллекторный ток транзистора 2 превосходит ток, протекающий через резистор 7. Потенциал Ер выбран выше максимального (вданной схеме положительного) значения входного сигнала, что обеспечивает надежное запирание в рассматриваемом режиме транзисторов 1 и 3. Последнее обстоятельство обуславливает сохранение заряда, накопленногоконденсатором 10.В режиме образования выборочного значения сигнала положительный перепад на базетранзистора 2 приводит к переключению дифференциального каскада, образованного транзисторами 2 и 4, Это приводит к быстрому изменению потенциала на накопительном конденсаторе до текущего значения сигнала сдальнейшим точным отслеживанием последнего на выходе устройства в отличие от прототипа и повышает быстродействие устройства.Выбор исходного смещения на базе транзистора 2 и соответствующего значения напряжения Ер позволяет использовать предложенное устройство для работы с биполярнымисигналами, что в прототипе невозможно.Устройство имеет следующие основные параметры; частоту дискретизации до 10 Мгц;максимальную погрешность образования выборочных значений входного сигнала синусоидальной формы частотой (погрешность сле 5 жения) до 5 мгц, не более 0,5/о;динамический диапазон входного сигнала+ 2 в;интервал стробирования не менее 25 нс; апертурную неопределенность - единицы нс, 10 С помощью прототипа можно получить максимальную частоту дискретизации порядка 0,5 мгц, при погрешности взятия выборочных значений сигнала с полосой 0,25 мгц, доходящей до 5% от масимального значения сиг нала.Таким образом, предложенное устройствопозволяет при одинаковых затратах получить точность работы, быстродействие на порядок выше, чем при использовании прототипа.20Формула изобретенияУстройство для хранения и выборки информации, содержащее и - р - п-транзистор, база25 которого подключена ко входу устройства ичерез первый резистор к шине нулевого потенциала и к одной из обкладок конденсатора,эмиттер и - р - и-транзистора соединен черезвторой резистор с отрицательной шиной питаЗ 0 ния, другая обкладка конденсатора подключена к выходу устройства и к коллектору первого р - и - р-транзистора, а через третий резистор к эмиттеру второго р - и - р-транзистора,база которого соединена с коллектором третьЗ 5 его р - и - р-транзистора, коллекторы и в р в итранзистора и второго р - и - р-транзистораподсоединены к шинам питания соответственно, четвертый резистор, шину напряжения смещения, шину стробирующего импульса и ши 40 ну напряжения ограничения, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, оно содержит диод, анод которого подключен к эмиттеру и - р - и-транзистора, к базе второго р - и - р-транзистора и к45 коллектору третьего р - и - р-транзистора,эмиттер которого соединен с эмиттером первого р - и - р-транзистора и через четвертый резистор с положительной шиной питания; базытретьего и первого р - и - р-транзисторов под 50 ключены к шине стробирующего импульса ишине напряжения смещения соответственно;катод диода соединен с шиной напряженияограничения.Источники информации, принятые во внима 55 ние при экспертизе изобретения:1, Электроника,6, 1964, стр. 33 - 36.2, Патент США344259, кл. 307 в 2,опубл. 1969 г.3. Приборы для научных исследований,604, 1963 г., стр. 3 - 14 (прототип),553685 Воронин Семенов Л. Утехина ак Изд,495 Государственного комитет по делам изобретений 3035, Москва, Ж, РаушТираж 722Совета Министров ССоткрытийкая наб., д. 4/5 одписно пография, пр, Сапунова, 2 Заказ 765118ЦНИИПИ оставите Техред ректор О. Тюрин