Ферритовая пластина для магнитного запоминающего устройства
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
. Берг и ф. Г. СтаросПЛАСТИНА ДЛЯ МАГНИТНОГОНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА фЕРРИТОВАЯ ЗАПОМЗаявлено 25 января 1962 г. за761846/26-24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРпубликован Бюллетене изобретений21 за 1962 г В современных магнитных запоминающих устройствах вместо тороидальных сердечников применяются ферритовые пластины с отверстиями. Преимуществом магнитных запоминающих устройств такого типа является возможность нанесения печатной обмотки и получения отверстий меньшего размера, чем отверстия в тороидах, а также простота сборки. Но известные магнитные запоминающие устройства не совершенны, так как каждой ячейки памяти соответствует одно отверстие, в связи с чем при считывании О и 1 получаются сигналы одной полярности, но разной амплитуды.Запоминающее устройство обеспечивает более надежную работу, если при считывании О и 1 получаются сигналы разной полярности. Достигается это использованием двух отверстий в одной ячейке. При записи 1 перемагничивается феррит вокруг одного отверстия, при записи О - вокруг другого, Печатная обмотка на пластинах проходит так что в одну ячейку могут входить отверстия только с четными или только с нечетными номерами, так как токи записи в отверстиях одной ячейки должны быть направлены в одну сторону. В применяемых пластинах расстояние между отверстиями ячейки равно расстоянию между ячейками, что вызывает частичное или полное разрушение информации, хранящейся в одной ячейке, при многократном обращении в соседнюю ячейку, а, следовательно, препятствует применению форсированных режимов считывания, что необходимо для повышения быстродействия магнитных запоминающих устройств, Для уменьшения разрушающего действия соседних ячеек приходится увеличивать расстояние между отверстиями.Для повышения надежности хранения информации в предлагаемой ферритовой пластине каждая ячейка содержит два отверстия, расстояния между которыми меньше расстояния между ячейками. Печатная обмотка пронизывает оба отверстця ячейки в одном направлении.Л) 15150 При такой конструкции пластины исключается влияние одной ячейки на другую при любых форсированных режимах,На чертеже изображена схема магнитного запоминающего устройства на ферритовой пластине с отверстиями.В ячейку 1 записывается и считывается информация с частотойа в ячейку 11 - с частотой т 11,(,). Осциллограф, контролирующий сигнал считывания, синхронизирован частотой 12 Ток записи и считывания в ячейке 11 неизменный,Увеличение токов записи и считывания до нескольких ампер не приводит к сколько-нибудь заметному изменению сигнала, считываемого в соседней ячейке, в то время как в магнитных запоминающих устройсгвах обычной конструкции,при токе, превышающем 1 а, начинается разрушение информации. Предмет изобретения Ферритовая пластина для магнитного запоминающего устройства, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности хранения информации, каждая ячейка содержит два отверстия, расстояния между которыми меньше расстояния между ячейками, а печатная обмотка пронизывает оба отверстия ячейки в одном направлении. оставитель А. Сиптиц Редактор Н. С. Кутафина Техред А. Л. Камышникова Корректор И, А. Шпыиева Объем 0,18 изд. л. Цена 4 коп. те Министров СССР
СмотретьЗаявка
761846, 25.01.1962
Берг И. В, Старос Ф. Г
МПК / Метки
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающего, магнитного, пластина, устройства, ферритовая
Опубликовано: 01.01.1962
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-151507-ferritovaya-plastina-dlya-magnitnogo-zapominayushhego-ustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ферритовая пластина для магнитного запоминающего устройства</a>
Способ записи и считывания информации в запоминающих устройствах с инжекционным питанием и устройство для его осуществления
Номер патента: 646371
Опубликовано: 05.02.1979
МПК: G11C 11/40, G11C 7/00
Метки: записи, запоминающих, инжекционным, информации, питанием, считывания, устройствах
...входные тракзисторы запоминающей ячейки выключены. В режиме записи потенциал одной из адресных шин понижают на величину 0,2 - 0,3 в и на столько же понижают потенциал на шине разрешения записи-считывания 10. Одновременно увеличивают на 1 - 2 порядка ток в шину питания 11 одного из разрядов. На одну, из информационных шин в соответствии сзаписываемой информацией подается сигнал логического 0 (напряжение, близкое к напряжению на шине разрешения), а. на другую - 1 (ток в шине отсутствует). На базы транзисторов 5, б разрядного формирователя выбранного разряда от дешифратора разрядов подается сигнал логического 4О, в то время как в остальные формирователи от дешифратора разрядов подаются логические 1 (отсутствует ток на входе формирователя по...
Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве
Номер патента: 123760
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Гутенмахер
МПК: G11C 11/06
Метки: записи, запоминающем, информации, считывания, устройстве
...посредством гряццч 1 ых к;иочсц-формирователей К токипо всем адресным цшцям, кроме двух:1 зорянных. Выоор адресной шцныпо каждой из координат Осущсствля;тся подачей запрещающего:цгналяна соответствующий граничный ключВсе адресные шины обьедццс 111 двумя цопсречнымц шццямц ШИ П 1 ЗаКОРаЧИВаЮЩИМИ В ОТДЕЛЬЦОСТ 1 ШИНЫ Х и .5 СетКИ.1 аким образом, все тскц возоуждецных цгнн будут возвряпатьсяпо двум избранным шинам, на перссечснш которых находит:я соответствующий адресукоординатный трансформатор. Ня чертеже ядре, определяется координатами х = 3 и 11 = 3.В качестве ключей используотся трансформаторы ца мягнитнь 1 хсердечниках с прямоугольной петлей гистерезиса. Избранный адреснымдешифратором граничный тран;форматор насьш(ен ц...
Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве
Номер патента: 318993
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: G11C 11/10
Метки: записи, запоминающем, информации, считывания, устройстве
...1 и 3 соответствует исходному и характеризует нулевое состояние элемента (фиг. 1 в).В данной системе выборки информация может быть разрушена в направлении считывания или записи вдоль проводников б и б. На фиг, 1 г, д, е, ж показано разрушение единичного и нулевого состояний диагонального магнитопровода под действием токов разрушения 1, и 1 полярность которых соответственно совпадает с полярностью токов считывания 1 1, и токов записи 1 з, 14Действие токов разрушения по другим направлениям приводит к подтверждению состояния информационного диагонального магнитопровода.Если по числовому проводнику б в направлении тока 1, действует ток разрушения 1 то поле, создаваемое им, подтверждает намагниченность площадок 2, 4 и стремится...
Способ записи и считывания информации с запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1377901
Опубликовано: 28.02.1988
Авторы: Дружинин, Жлуктенко, Лазебный
МПК: G11B 9/10
Метки: записи, запоминающей, информации, считывания, трубки, электронно-лучевой
...информационный сигнал без потерь.Способ может быть реализован при помощи устРойства, схема которого показана на фиг. 3. При проведении подготовки мишени 1 к записи на ее сигнальную пластину 2 подают соответствующее постоянное напряжение режима подготовки с выхода формирователя 3 напряжения подготовки через диод 4 при действии на входе формирователя 3 соответствующего управляющего импульса подготовки (фиг. 1 а). В это время мишень сканируют электронным лучом постоянной плотности, При проведении записи на сигнальную пластину 2 подают соответствующее постоянное напряжение режима записи с выхода формирователя 5 соответствующего импульса записи через диод б (фиг. 16), В это время мишень сканируют промодулированным электронным лучом и...
Способ записи цифровой информации в полупостоянные и постоянные запоминающие устройства
Номер патента: 698053
Опубликовано: 15.11.1979
Авторы: Бузунов, Буренков, Конкин, Литвиненко, Платонов
МПК: G11C 17/00, G11C 7/00
Метки: записи, запоминающие, информации, полупостоянные, постоянные, устройства, цифровой
...каждого последующего слова с циклическим сдвигом в одном и том же направлении относительно предыдутцего на шаг в один разряд. При этом очередная ячейка образуется пу. тем исключения из предыдущей одного запоминающего элемента, хранящего старший (младший) разряд информации, и добавления соседне. го запоминающего элемента младшего (старшего) разряда в зависимости от направления сдвить четырехразрядных двоичных20 в = 2 и+ (и - 1),НИИПИ Заказ 6565/17 Тираж 681 Подписное иал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 43 69805 си над скобками обозначают содержимое ячеек, Каждое слово информации записано в соответствующей ячейке. Ячейки расположены со сдвигом вправо. Сдвиг каждой ячейки относительна предыдущей произведен на один разряд....
Предыдущий патент: Устройство для временной или частотной селекции электрических импульсов напряжения
Следующий патент: Датчик направления перемещения для преобразователей “угол код” накапливающего типа
Случайный патент: Редукторный электродвигатель