Формирователь парных импульсов

иск гглндтвО Л И С А;-"ИИЕ ц 4 О 334ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союэ Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 09,03,73 (21) 1894318/26-9с присоединением заявки Л 1 с 5/01 сударственнык комитат вета Министров СССР(71) Заявител Московски на Ленина энергетический институт ФОРМИРОВАТЕЛЬ ПАРНЫХ ИМПУЛЬСО ллекторумежду рвым диезпстор и ветствен- дополниения для ципиальная ля парных Изобретение относится к области полупроводниковой импульсной техники и может найти применение при создании устройств наносекундного диапазона в вычислительной и радиоизмерительной технике.Известны формирователи парных импульсов с регулируемым временем сдвига между импульсами, содержащие транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, два диода с накоплением заряда, диод источник питания, источник прямого смешения для упомянутого диода. Такие формирователи имеют узкий диапазон регулирования времени сдвига между импульсами без уменьшения амплитуды импульсов и не обеспечивают независимого регулирования длительности первого импульса и времени сдвига между импульсами.В целях устранения указанных недостатков в предлагаемый формирователь парных импульсов введен второй транзистор, эмиттер которого через первый диод с накоплением заряда соединен с одной шиной источника питания, коллектор через переменный резистор и последовательно соединенные второй диод с накоплением заряда и резистор подключен соответственно к упомянутому источнику прямого смещения и другой шине источника питания, база соединена с источником запускающих импульсов. Причем средняя точка между вторым диодом с накоплением заряда и резистором подключена через диод к ко первого транзистора, средняя точка эмиттером второго транзистора и пе одом с накоплением заряда через р 5 переменный резистор соединена соотно с базой первого транзистора и тельным источником прямого смещ диода с накоплением заряда. 10 На чертеже и ринсхема предлагае атеимпульсов.Анод диода 1 с накоплением заряда, катодкоторого соединен с источником положитель ного напряжения 2, подключен к эмиттерутранзистора 3 и через резистор 4 переменного сопротивления к другому источнику положительного напряжения 5. База транзистора 3 связана с источником входных сигналов б, его 20 коллектор соединен с катодом диода 7 с накоплением заряда и через резистор 8 переменного сопротивления с источником отрицательного напряжения 9, Анод диода 7 непосрсд ственно соединен с анодом диода 10, катод ко торого подключен к точке соединения коллектора транзистора 11 и нагрузки 12, а через резистор 13 - с общей шиной, Змиттер транзистора 11 связан с источником положитель.кого напряжения 2, а его база через резистор 30 14 - с эмиттером транзистора 3,3В исходном состоянии транзисторы 3 и 11 закрыты, а через диоды 1 и 7 протекают прямые токи, накапливая заряд в их базах.При поступлении входного сигнала отрицательной полярности транзистор 3 открывается, через диоды 1 и 7 начинает протекать обратный ток, рассасывая накопленный заряд в их базах. Причем формируемый на резисторе 13 положительный перепад напряжения через диод 10 поступает на нагрузку 12. Благодаря тому, что каждый из диодов имеет свой источник прямого смещения (для диода 1 - источник напряжения 5 и резистор 4, для диода 7 - источник напряжения 9 и резистор 8), имеется возможность осуществлять независимую и раздельную регулировку длительности фазы высокой обратной проводимости каждого из диодов. Величины резисторов 4 и 8 выбраны таким образом, что длительность фазы рассасывания диода 1 всегда превышает длительность фазы рассасывания диода 7. Поэтому сначала всегда восстанавливается обратное сопротивление диода 7.В момент выключения диода 7 на резисторе 13 происходит формирование импульса, длительность которого определяется длительностью фазы рассасывания диода 7 и может регулироваться изменением сопротивления резистора 8. Этот импульс через диод 10 поступает на нагрузку 12 и является первым из парных импульсов, формируемых на выходе, В момент выключения диода 1 на эмиттере транзистора 3 формируется отрицательный перепад напряжения. Этот перепад через резистор 14 поступает на базу транзистора 11 и открывает его. При этом на коллекторе транзистора 11 формируется положительный перепад напряжения, являющегося передним фронтом второго из парных импульсов. Задержка фронта второго импульса относительно переднего фронта первого импульса определяется длительностью фазы высокой обратной проводимости диода 1 и может регулироваться изменением сопротивления резистора 4. Задний фронт второго из парных импульсов формируется на нагрузке 12 в момент оконча 4ния действия сигнала на входе формирователя парных импульсов,Таким образом, формирователь парных импульсов осуществляет независимую регулировку длительности первого из парных импульсов и времени сдвига между ними в широкомдиапазоне изменения соответственно длительности и времени сдвига, что обусловлено тем,что тракты формирования первого и второго10 импульсов разделены усилительным элементом на транзисторе 3.Предмет изобретения15Формирователь парных импульсов с регулируемым временем сдвига между импульсами, содержащий транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, два диода с на коплением заряда, диод, источник питания,источник прямого смещения для упомянутого диода, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования времени сдвига между импульсами без уменьшения 25 амплитуды импульсов, независимого регулирования длительности первого импульса и времени сдвига между импульсами, в него введен второй транзистор, эмиттер которого через первый диод с накоплением заряда соединен ЗО с одной шиной источника питания, коллекторчерез переменный резистор и последовательно соединенные второй диод с накоплением заряда и резистор подключен соответственно купомянутому источнику прямого смещения и друЗ 5 гой шине источника питания, база соединенас источником запускающих импульсов, причем средняя точка между вторым диодом с накоплением заряда и резистором подключена через диод к коллектору первого транзистора, 40 средняя точка между эмиттером второго транзистора и первым диодом с накопле 11 ием заряда через резистор и перемегц 1 ый резистор соединена соответственно с базой первого транзистора и дополпительным источником 45 прямого смещения для диода с накоплениемзаряда.450334 Тираж 811Совета Миноткрытиииаб., д. 4/5 Изд. Л% 1109Государственного комитетапо делам изобретений иМосква, Ж, Раушская Подл иенсов СССР Зак 781/4ЦНИИ пография, пр. Сапунова, 2 Составитель А. Туляков Редактор Т Юриикова Техред М. Семенов Корректор А. Васильева