Устройство для задержки

Номер патента: 184521

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Галецкий, Любович

МПК: H03K 19/10

Метки: диодах, диоде, заряда, логический, накоплением, не-или, туннельных, элемент

...на ко подаются импульсы установки в ноль. м зг ику итемвост диод мленторо ннельном диодеюй импульс пеИзвестны логические элементы НЕ - ИЛИ на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь,Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в ноль. Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитного накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.На чертеже...

Номер патента: 566291

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Ефременко, Малевич

МПК: H02K 5/08

Метки: диодах, заряда, импульсных, накоплением, порогом, срабатывания, устройств

...зависимость от режима переключения по току (точка Ь (Д) аля тока 1 А) и точка 1,И(,Ф ) для тока 1 ( ь ), При етом каждая зоив вшсогой проводимости диода М Нл под вержена флуктуациям и зона флуктуаций порога срабатывания 17 произвольно дрейфует на границе эоны высокой проводимо. сти 1 зп и зоны срабатывания в низкую провоаимость диода Фс, . При воздействии СВЧ колебания на диод с накоплением заряда гладкая непрерывная зависимость по рога срабатывания.от режима переключении в току диода исчезает, а.регистрируетса набор дискретных значений порогов срвба. тывания импульсного элемента, равных пе.оиоду СВЧ колебания (точки Ь ( 4, )к ( л ). Минимальная моиь.- ность СВЧ колебания, при которой наблюдается явление управления порогом...

Номер патента: 653735

Опубликовано: 25.03.1979

Автор: Спиричев

МПК: H03K 3/28

Метки: двух, мультивибратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...разного типа провэдимости по авт. св; М 400006, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения скважности и периода формируемых импульсов, в него введены транзистор, конденсатор, резистор и диод, причем коллектор транзистора, включенного по схеме с общей базой, соединен с источником тока через базо-эмиттерный переход дополнительного транзистора, коллектор которого через дополнительные резистор и диод соединен с базой транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и через дополнительный конденсатор со своим эмиттером и с кэнденсатором время- задающей цепи. 07/42 Тираж 1059 Подпис ЦНИИПИ За лиал П 1 П фПатент г, Ужгород, ул, Проектная, 4 На чертеже приведена принципиальная схема мультивибратора,Мультивибратор содержит...

Номер патента: 725220

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Орловский, Чуев

МПК: H03K 5/20

Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...

Номер патента: 710417

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Кляус, Ольшанецкая, Черепов

МПК: H01L 29/78

Метки: временной, задержки, сигнала, электрического

...приведена кремниевая подложка п -типа проводимости и диэлектрик 50 . Истоком 4 и стоком 5транзистора могут служить любые устройства, обеспечивающие ввод заряданосителей в потенциальную яму подэлектродом, образующуюся после подачина электрод напряжения, и регистрацию заряда на выходе (например,-п -переход, диод Шоттки, плавающийзатвор и т.д.). Для определенностина фиг.1 в качестве истока и стока.приведены обычные о- п -переходы,выполненные диффузией бора в подложку. Причем - -переход стока обратно смещен, -и -переход истоканаходится под потенциалом земли,В подложке между истоком и стоком созданы туннельно непрозрачныепотенциальные барьеры, которые могутбыть выполнены по-разному. Например,в аиде диффузионной примеси 8 тогоже типа...