Способ контроля состава бинарных сред

ОП ИСАп 1 й ЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихоциалистическихРеспублик(Я) М Кл Сг 01 й 23/00 26-25 зая в 1 Аврвтвввкык каавтвтавета Мкнкстрав СааРв Авлва кзабрвтввкйк вткрыткй(53) УДК 681,17.002 .612.3(088 8) 5) Дата опубликования описания 30,о(,78 вторзобретени К мпнер.(54) СПОСОВ КО ИНАРНЫХ ЯРЕД ЛЯ СОС ьные технически ина ф 1 плато 1ачи как ема устааемый спо 1 расположен и емого матерна от которого Источник излуч одну сторону от и ла 2, по другую с размещен детектор Источник излуч танавливаются соо ние источник-дете нимальным по конс,ниям. Между источ материалом располнияследуорону3.ния ино, пртор выруктивиком игают э с- оя етектор учем расстирается миым соображе"исследуемымран 4, по 1Изобретение относится к способамконтроля состава бинарных смесей, растворов и сплавов, основанным на взаимодействии рт -излучения с контро-.лируемям веществом,Известен способ контроля составабинарныхсмесей, основанный на измерении рассеянного бета-, гамма- илирентгеновского излучения. По этомуспособу измеряют плотность потока,рассеянного в направлении фвпередпротяжным детектором. Ось последнегоперпендикулярна.к поверхности исследуемого материала,ирИчем расстояниеисточник детектор выбирают .соответствующим 1 платоф. на кривой зависимости плотности потока рассеянногоизлучения от расстояния источник-детектор для различных толщин исследуемого материала.При построении автоматических устройств по укаэанному способу поверхностная плотность контролируемоговещества должна поддерживаться в пределах плато зависимости плотностипотока излучения от поверхностнойплотности контролируемой среды.В случае применения р -излучателей автоматическое поддержание поверхностной плотности в пределах ффплатоф 1 представляет зн тел етрудности, так шир.весьма мала.Целью изобретения является упро щение автоматизации контроля вещественного состава бинарных смесей, растворов и сплавов по рассеянию ,ф -излучения вперед.Это достигается тем, что по пред лагаемому способу изменяют поверхностную плотность контролируемой среды,фиксируют максимальное значение плотности потока бета-излучения и по значениям до и после изменения поверхностной плотности бинарной среды вычисляют содержание анализируемых ком"понентовНа чертеже приведена схновки, реализующая предлаг ар собглощающий практически полностью прямое излучение от источника. Благодаря установке экрана детектор регистрирует излучение, рассеянное в объеме исследуемого материала в направлении вперед.При реализации способа в качестве исследуемых материалов берут сплав 00 в ЯС с содержанием меди 40, выполненный в виде плоскопараллельного клина с воэможностью перемещения его в направлении, перпендикулярном распространению излучения. В качестве ис. гочника бета-излучения используют иэо топ стронций 90 +.иттрий 90. 5В соответствии с изобретением сняты кривые зависимости максимума плотности потоКа излучения Ф/Ф от плотности сплава и чистого алюминия и меди,Ископаемая концентрация меди (40) 20 вычисляется по формулеф/фф - Фа/фо36где Р, /Ф- значение максимума плотности потока излучения при С : 100, Е 0; Ч /- значение максимума плотности потока излучения при С100 С 01СоФ/У, - значение максимума плотности потока излучения при неизвестной концентрации.При реализации данного способа в потоке необходимо осуществить циклическое дозирование контролируемого вещества так, чтобы в одном цикле доэирования поверхностная плотность контролируемого слоя вещества изменялась от весьма малых значений до слоя полного ослабления ,р -излучения,Формула изобретенияСпособ контроля состава бинарных сред путем облучения и последующего измерения бета-излучения, рассеянного фвперед, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью автоматизации контроля, изменяют поверхностную. плотность контролируемой среды, фиксируют максимальное значение плотности потока бета-излучения и по значениям до и после изменения поверхностной плотности бинарной среды вычисляют содержание аналиэируеьых компонентов.441484 Составитель Ю.Громоведактор Е.Караулова Техед И.Климко Корреектт Е.Папи Заказ 640/2ЦНИИПИ Г илиал ППП РПатентРР г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Тираж 702 П осударственного комитета Совпо делам изобретенин и о 330 35 Москва жРаушская дпиеноета Министров ССкрытийнаб, д. 4 5