Матрица запоминающего устройства

О П И С А Н И Е ь)427378ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(22 единением заявки-при осударствеинын камитеСвввта Министров СССвд долам изобретенийи открытий Приоритет - ковано 05.05.74, Бюллетень17 УДК 681.327.66(088.8) Опуб Дата опбликования описания 10.12.74 2) Авторы изобретения Мартынюк и Т, В. Груц К. Г. Сам ов,Киевский ордена Ленина политехнический институтмени 50-летия Великой Октябрьской социалистическойреволюции(54) МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА- оощй эле Известны матрицы запоминающих устройств, содержащие акустически монолитные пьезотрансформаторные ячейки памяти, одноименные разрядные электроды которых соединены между собой. 5Недостатком конструкции подобных матриц является высокий уровень помех при считывании информации, который определяется тем, что образованные пересечениями числовых, разрядных и экранирующих шин-элек тродов многоразрядные пьезотрансформаторные ячейки памяти акустически связаны между собой, Эта связь определена тем, что пьезокерамические пластины секций пьезотрансформаторных ячеек памяти являются общими 15 для всех ячеек. Вследствие этого сплошные пластины - благоприятная среда для распространения различных паразнтных упругих деформаций. Кроме того, большая величина диэлектрической проницаемости пьезокерамиче ских материалов обусловливает большие паразитные емкостные связи между ячейками и между разрядными и адресными шинами. В целом это ухудшает параметры ЗУ, построенных на основе пьезотрансформаторов, и тре бует увеличения геометрических размеров матрицы и усложнения формы электродов с целью ослабления паразитных емкостных и акустических связей, Кроме того, автоматизация процесса сборки известных матриц труд на, так как контактные площадки, к ко присоединяют выводы, расположены и р личных поверхностях конструкции.Целью изобретения является повышение помехозащищенности матрицы и улучшение технологичности ее изготовления.Поставленная цель достигается тем, что матрица ЗУ содержит в каждой ячейке памяти дополнительные электроды, расположенные в той же плоскости, что и разрядные электроды, а экранирующий и общий электролгя каждой ячейки памяти соединены по торцам и подключены к соответствующим дополнительным электродам,На чертеже показана матрица с тремя трехразрядными ячейками,Матрица состоит из многоразрядных ячеек памяти 1, число и разрядность которых определяется объемом ЗУ. Матрица помещена з акустически вязкую среду с малой диэлектрической проницаемостью. Ячейки памяти представляют собой многослойную конструкцию, в которую объединены пьезокерамические пластины 2. Эти пластины объединены в акустически монолитную конструкцию по экранирующему электроду 3. На одной поверхности ячейки памяти расположены разрядные электроды 4, а на противоположной поверхности ий электрод б, Экранирующий и общи ктроды соединены по торцам с дополнптельными электродами б и 7, которые расположены в той же плоскости, что и разрядные электроды. К электродам б и 7 присоединены выводы 8 и 9. Разрядные электроды ячеек памяти соответствующих разрядов соединены между собой проводящими разрядными шинами 10,В предложенной конструкции промежутки между пьезотрансформаторн ячейками заполнены акустически вязким компаундом с малой диэлектрической проницаемостью.Матрица работает следующим ооразом, Г 1 ьезокерамические пластины 2, которые расположены между экранирующим 3 и общим Б электродами, поляризованы жестко при изготовлении матрицы, а участки пьезокерамики пластин между экранирующим 3 и разрядными 4 электродами поляризуются при записи информации. Направление и величина поляризации этих участков определяет записанную информацию. Записывать информацию в предлагаемую матрицу путем приложения соответствующих напряжений к разрядным и экранирующим электродам можно как на входе (управление поляризацией секции возбуждения), так и на выходе пьезотрансформатора (управление поляризацией генераторной секции), Таким образом, разрядные электроды могут быть как входными, так и выходными.Если информация записывается на выходе, то считывание информации осуществляется путем подачи импульса напряжения на общий электрод б (при этом экранирующий электрод 3 подключен к общей точке устройства), Этот импульс вызывает импульсную деформацию пластины 2 между общим и экранирующим электродами и одновременно с этим импульсную деформацию участков пьезокерамики между экранирующим 3 и разрядными 4 электродами, При этом на разрядных 5 шинах 10 появляются импульсные напряжения, полярность которых определяется поляризацией пьезокерамики под соответствующими разрядными электродами, т. е. записанной информацией.10 Если информация записывается на входепьезотрансформаторов, то считывание осуществляется путем приложения импульса напряжения к разрядным электродам 4. В результате на общих электродах 5 появляются импульсы напряжения, полярность которых определяется деформацией участков пьезокерамики под разрядными электродами, т, е.поляризацией этих участков. Сигналы на общих электродах соответствуют ранее запи санной и хранимой устройством информации.Предмет изобретенияМатрица запоминающего устройства, содержащая акустически монолитные пьезотрансформаторные ячейки памяти, одноименные разрядные электроды которых соединенымежду собой, отличающаяся тем, ччо, с цельюповышения помехозащищенности матрицы и30улучшения технологичности ее изготовления,она содержит в каждой ячейке памяти дополнительные электроды, расположенные в тойже плоскости, что и разрядные электроды, а35экранирующий и общий электроды каждойячейки памяти соединены по торцам и подключены к соответствующим дополнительнымэлектродам,