Регулятор температуры

324582 Сава Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 05,Х.1970 ( 1479452/18-24) л. б 056 23/19 с присоединением заявки М ПриоритетОпубликовано 20.111.1973, Бюллетень1Дата опубликования описания 31,Ч.1973 итет па делам зобретеннй и открыт К 621-555.6 (088.8 при Совете Министра СССР. Ф, Андреи явитель РЕГУЛЯТОР ТЕМПЕРАТУРЬ 1.Известные регуляторы температуры содержат релейный распределитель, размещенные на объекте регулирования нагреватель и чувствительный элемент. Последний подключен к последовательно соединенному м агнитному усилителю и полупроводниковому релейному усилителю мощности.В этих регуляторах температуры для ускорения выхода регулируемого объекта на рабочий тепловой режим осуществляется форсированный разогрев объекта путем подачи на нагреватель мощности, существенно большей, чем мощность, необходимая в установившемся режиме.Однако точность регуляторов в переходном режиме от форсированного разогрева к стабилизации рабочей температуры и непосредственно при ее стабилизации невысокая. В предложенном регуляторе эмиттер выходного транзистора полупроводникового усилителя мощности соединен с обмоткой тактового реле релейного распределителя через нормально замкнутый контакт оконечного реле релейного распределителя и через нормально разомкнутый контакт этого реле подключен к нагревателю. Между последовательно соединенными дополнительной обмоткой магнитного усилителя с регулировочным сопротивлением и коллектором транзистора включен другой нормально разомкнутый контакт оконечного релерелейного распределителя.Это позволяет повысить точность регулирования и надежность работы устройства.На фиг. 1 приведена схема регулятора температуры; на фиг, 2 - график изменения мощности и температуры в объекте терморегулирования,Регулятор (см. фиг, 1) содержит чувстви 10 тельный элемент 1, напряжение на выходе которого пропорционально температуре в объекте 2 регулирования, магнитный усилитель 3с обмоткой 4 смещения и дополнительной обмоткой 5, полупроводниковый релейный уси 15 литель б мощности с выходным транзистором7, релейный распределитель 8 с тактовым реле9, которое подключено к выходному транзистору 7 через нормально замкнутый контакт10 оконечного реле 11, источник 12 питания,20 имеющий ряд дискретных значений выходногонапряжения, нагревательный элемент 13 объекта 2 регулирования, регулировочный резистор 14, резисторы 15 - 18, при помощи которых магнитный усилитель 3 настраивается на25 отпускание проводникового релейного усилителя б мощности при входных сигналах, соответствующих выбранным значениям температуры в объекте регулирования. Резисторы15 - 18 подключаются к обмотке смещения30 магнитного усилителя 3 при помощи контактов19 - 21 реле релейного распределителя 8. К нагревательному элементу 13 контактами 22 - 26 реле этого же релейного распределителя в порядке, соответствующем выбранному закону регулирования, подключаются выводы исгоч ника питания 12.Устройство работает следующим образом.При включении питанич на вход магнитного усилителя 3 с чувствительного элемента 1 поступает входной сигнал, пропорциональный 10 температуре О, (сы. фиг, 2) в объекте регулирования.Сигнал с выхода магнитного усилителя поступает на вход полупроводникового релейного усилителя 6 мощности, который срабатыва ет. При этом открывается выходной транзистор 7, срабатывает тактовое реле 9 и посредством контакта 26 подключает к источнику питания реле 27 релейного распределителя. Оно, в свою очередь, контактом 22 подключает к 20 нагревательному элементу 13 максимальное напряжение от источника 2 питания, а также становится на самоблокировку и готовит к работе реле 28 релейного распределителя. При этом на нагревательньй элемент 13 от источ ника 12 питания подается максимальная мощность Р. Объект начинает разогреваться.Вследствие включения резистора 6 в цепь смещения магнитный усилитель 3 настроен на отпускание полупроводникового релейного уси лителя б при входном сигнале, соответствуюцем температуре объекта регулирования. Поэтому при достижении объектом регулирования температуры Оз выходной транзистор закрывается, тактовое реле отпускает, срабаты вает реле 28 и своим контактом 19 отключает от цепи смещения магнитного усилителя резистор 16 и подключает резистор 1 б. В результате подключения последнего происходит перестройка магнитного усилителя 3 на отпуска ние полупроводникового релейного усилителя б мощности при входном сигнале, соответствующем температуре объекта 2 регулирования Оз, более высокой, чем Оз. При этом полупроводниковый релейный усилитель б мощности 45 срабатывает, выходной транзистор 7 открывается, срабатывает тактовое реле 9, что приводит к срабатыванию реле 29 релейного распределителя 8. Это реле своим контактом 23 переключает напряжение источника 2 пита ния, и на нагревательный элемент 13 подается мощность Рз, которая меньше мощности Р,.При достижении объектом температуры Оз процесс повторяется с перестройкой магнит ного усилителя 3 на отпускание полупроводникового релейного усилителя б при температурах Оз О,. При этом на нагревательный элемент 3 подается мощность Рз, Р 4,(причем Рз)Р 4 Рз) 60 Количество дискретных значений мощностей, подаваемых на нагревательный элемент 13, определяется временем вывода ооьекта 2 на раоочий режим и выбранным законом регулирования.При достижении ооъектоь 2 регулирования температуры 0+срабатывает тактовое реле 9 релеиного распределителя 8, которое своими контактами 26, 30, 21, 10 оключает нагрева тельный элемент 13 от источника 1питан , подключает к коллектору выходного транзистора 7 через регулировочный резистор 14 дополнительную обмотку б ьаитного усилителя 3, Включает в цепь Оомотки 4 смещения этого усилителя резистор 18 и переклочает коллектор выходного транзисторас такоВого реле 9 на агреВательный э,езент 13,В результате включения в цеь смещения резистора 18 характеристики магнигного усилителя 3 перестраиваются на отпускание полупроводникового релейного усилитсл; 6 мощности при температуре 0;ь обьекте регулирования, равной рабочей температуре. Это вновь приводит к срабатыванию полупроводникового релейного усилителя моцности. Прн этом открывается выходной транзистор 7, и через нареВательный элезент 13, а также дополнительную обмотку б магнитного усилителя 3 от источника питания "2 идет ток.В это время на магнитный усилитель 3 действуют два сигнала, направленных в противоположные стороны: ток входного сигнала и ток в дополнительной Обмотке з загит;ого усилителя 3, Величина тока, протекающего по дополнительной обмотке, постоянна, а величина входного тока изменяется пропорционально температуре объекта регулирования.Предмет изоб,ретенияРегулятор температуры, содержащий размещенные на объекте регулирования нагреватель и чувствительный элемент, подключенный к последовательно соединенным магнитному усилителю и полупроводниковому релейному усилителю мощности, и релейьй распределитель, от.гичиющийся тем, что, с цельо повышения точности регулирования и надежности работы устройства, в нем эмиттер вьходого транзистора полупроводникового усилителя мощности соединен с обмоткой тактового реле релейного распределителя через нормально замкнутый контакт оконечного реле релейного распределителя и через нормально разомкнутый контакт этого реле подключен к нагревателю, а между последовательно соединенными дополнительной обмоткой магнитного усилителя с регулировочнызсопротивление:,и коллектором транзистора включен другой нормально разомкнутый контакт оконечного реле релейного распределителя.Составитель Г. Романенко еда ктор Н. Джарагетта Техред Т. Ускова Корректор Е. Зимин Заказ 1558/9 Изд,379 Тираж 780 ПодппсносЫНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5пография, пр. Сапунова, 2