Устройство для анализа электронной структуры

Номер патента: 1104551

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Богданов, Зарубина, Козлов, Кулаков, Макаров, Мамаев, Маркелов, Маслова, Пантелеев, Шихер, Яновский

МПК: G01D 1/16

Метки: анализа, образца, плотности

...10 поступает в 15 амплитудный анализатор 11, частотный анализатор 12, блок 13 для вычисления автокорреляционной функции, в блок 14 для вычисления взаимнокорреляционной Функции (на второй вход которого 20 подается ранее записанный сигнал от препарата, принятого за условнуюнорму , из запоминающего устройства блока 15). Выход приемника 10 согласован с входом каждого анализатора 25 через соответствующие усилители, модуляторы и др. (не показаны). При необходимости сигнал приемника 10 может быть зарегистрирован в блоке 16 в виде записи на бумажной ленте, перфо- З 0 ленте или перфокарте. Эта исходная информация может сохраняться для повторной или дополнительной обработки, она же используется и для блока 15. Количественные параметры,...

Номер патента: 646938

Опубликовано: 05.02.1979

Автор: Стенфорд

МПК: G01N 21/00

Метки: анализа, жидкого, образца

...Шторка 2 закрывает нижнюю часть экрана во время измерений. В момент погружения зонда в кювету с жидкостью шторка открывается,Все описанные устройства работаютсле.- дующим образом,После того как дозирование исследуемого образца, реагента или раэбавителя на чашку выполнено капельными доэирующими устройствами, лента приводится в движение, и чашка с подготовленной жидкой сме.- сью останавливается над выходными концами каналов 3, 4.В рабочем положении чашка перекрывает оба выходных конца каналов 3, 4, причем оси каналов смещены относительноразбавителей в каждую чашку в устройстве применена трубка 13. Образец дози-руют в чашКу в тот момент, когда лента не- . подвижна и чашка находится непосредственно под трубкой, т. е. лента имеет прерывистое...

Номер патента: 233798

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бабиченко, Гусев, Скл

МПК: G01T 1/18, H01J 47/06

Метки: излучения, мягкого, пропорциональный, регистрации, рентгеновского, селективной, счетчик

...- коэффициент ослабления интенсивности рент- ГеновскОГО излчени 55; бп - Геох 5 етРически 20 фактор регистрщии; Р - вероятность вторичной ионизации в регистрируюцем объл 5 е фОТОЭЛЕКТРОНОМ.Для Рт -го ооъема и любой заряженнойчастицы, имеющей коэффициент удельной ионизацги 1, справедлива следующая форх 5 ула: де ;, - ,толщина второго олокирующег ма.,Предмет изобретения Составитель Т. Горчаковаехред Л. Л. Камышникова Корректор Г. И. Плешаков саактор Э. Руба заказ ВЯЗ,о Тираж 437 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 Типографии, пр. Сапунова,Выражения (1) и (2) позволяют найти соотношение между значениями 1 г, 1 а, га, а также давлением Р, при которых поглощение...

Номер патента: 1492384

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Воробьев, Каплин, Мун

МПК: G21K 1/06

Метки: излучение, кристалла, рентгеновское, фокусирующего

...пластины. Длину пластиныкоторую целесообразно использовать в данном способе, можно оценитг по формуле, учитывающей многократное рассеяниеЕ1 макс(Ь1,. зги о) ф (2)Выбор Ьмакс производят из условия, чтобы из-за многократного рассеяния не происходило выбываниепучка электронов при прохождении через пластину толщиной Ь, Здесь Ь - радиационная длина, Е - энергия электронов, Е - 2 11 эВ. Например, для пластины 81 и Е =ГэВ величина макс - 1-5 см,Излучаемые рентгеновские фотоныс частотами в диапазоне Мо - (д,+ бйЗ)испытывают поглощение в материалепластины, которое определяется линейным коэффициентом поглощения( ( 6 Э ), С учетом этого эффектатолщину пластины целесообразно ограничить как Ь - 1Кроме того, толщина пластиныдолжна...

Номер патента: 857817

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Калеганов

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, образцов, порошкообразных, рентгеновского, фазового

...интенсивностей аналитических линий фазы в образце и эталоне, эталон выполняют в виде плоскопараллельной пластинки, укрепляют его на поверхности образца и прн облучении857817 Формула изобретения Составитель Е.Сидохин едактор О.Малец ТехредМ, Рейвес Корректор Е,Рошк07 П енного комитета етений и открыти Раушская наб,7231/71 Т ВНИИПИ Госудпо делам 13035, Москва сноеР ж ак зобрЖлиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проек располагают эа образцом по ходу первичного луча.На чертеже схематически показан ход рентгеновских лучей при осуществлении рентгеновской съемки 1 на просветф.Первичный рентгеновский луч 1 и луч 2, возникающий врезультате дифракции от определяемой фазы в образце 3, образуют одинаковые углы 8 с нормалью 4 к поверхности образца 3...