291324
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 291324
Текст
О П И С А Н И Е 291324ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства- Заявлено 20,71.1969 ( 1338449/26-9 ПК Н 03 с 5 рисоединением заявки-Комитет по делам обретений и аткрыти ри Совете 1 т 1 инистров СССРпубликовано 061971. Бюллетеньа опубликования описания 22.17.1971 Авторизобретения У 1 ЕНК Заявител к 1 1 ГЭ" ЕЛАКСАЦИОННЪЙ фОРМИРОВАТЕЛ ПУЛЪСО 2 1 Гэ 1 нач падение переходбэ 1 Д 110 Д, тока через тся. В рснебольшое а на коленце, еще деиствпсм нется За счеттранзистора его базе вное напряжен;юложнтельн пряжениябазовогоб насыщаозникает1 е 1е н 11 п 1 рян т э 1 нзч 14 за з нзч Д 1 анзистоь постуВ известных формирователях импульсов, построенных на гранзисторах с дополнительной симметрией, при фиксированной амплитуде запускаю 1 цих импульсов, незначительно превосходящей порог срабатывания, если частота запуска превышает определенное граничное значение, осуществляется режим деления частоты повторения запускающих и м пульсов.Цель изооретения - уме 1 ньшить порог сраоатыван;1 я и зависимость,длительности выходных импульсов от частоты запускающих импульсов.Это достигается тем, что между коллектором входного и базой выходного транзисторов с дополнительной симметрией включен стабилитрон, защунтированныц конденсатором, а параллельно открыт, но не насыщен. Коллекторный ток этого транзистора создает На реэиоторе 7 НаПРЯжЕНИЕ Она кОтОрое меньше напряжения 11 вз открывания стабнлптрона. Это значит, что напряжение на коллек- тОрЕ траНЗИСтОра 1 Увыа 1 = - Е+СначТак как стабилитрон закрыт, транзистор 2 также закрыт, и 1 напряжение на его коллек- ТОРЕ У выэ 2 ОПрЕДЕЛЯЕтСЯ ПАДЕНИЕМ НаПРЯЖЕ- ния на резисторе б за счет протекания тока через делитель напряжения на резисторах 5 иб, т. е, с 1 выаз =11 РОНапряжение на эмиттере транзистора 1 В момент 11 на вход устройства воздействует отрицательный запускающий импульс 20 (см. фиг, 2). Передний фронт каждого из запускающих импульсов усиливается транзистором 1. Усиленный и инвертированный импульс через конденсатор 10 поступает на ба зу транзистора 2, который открывается в томслучае, если его амплитуда превосходит напряжение 11 оэ отсечки этого транзистора.Во время усиления переднего фронта запуска)ощего импульса напряжение на конденсаторах 3 и 10 практически не успевает измениться, что обеспечивает максимальное усиление запускающего импульса и хорошую его передачу на базу транзистора 2.Усиленный и инвертированный трЗ 0 ром 2 импульс через резистор 8 опят5 то 5 паст на базу транзистора 1, что приводит к времязадающему конденсатору подключен через полупроводниковый диод дополнительный конденсатор.На фиг. 1 приведена принципиальная схема предлагаемого формирователя импульсов; на фиг. 2 - эпюры напряжений.Эмиттер транзистора 1 соединен с эмиттером транзистора 2 через конденсатор 3. Высокоомный резистор 4 в цапи эмиттера транзистора 1 совместно с делителем положительного напряжения, .образованным резисторами 5 и 6, спрелеляст токовый режим транзистора 1 в длительно устойчивом состоянии. Резистор 7 является нагрузкой транзистора 1, включенной между его коллектором и эмиттером транзистора 2. Коллектор транзистора 2 подсоединен к общей точке резисторов 5 и 6, а через времязадающий резистор 8 - к базе транзистора 1. Между коллектором транзистора 1 и базой транзистора 2 включена цепочка, состоящая из стабилитрона 9 параллельно которому включен конденсатор 10, и времязадающего резистора 11. Между базой и эмиттером транзистора 2, подсоединенным к источнику отрицательного напряжения, вклочен резистор 12, гарантируюгций длительно устойчивое закрытое состояние этого транзистора, Между эмиттером и базой транзистора 1 включен закрытый в исходном состоянии диод 13. К эмиттеру транзистора 1 через диод 14 подсоединен конденсатор 15, емкость которого многократно превышает емкость конденсатора 3. Другой вывод конденсатора 15 соединен с эмиттером транзистора 2, К общей точке диода 14 и конденсатора 15 полсоедитен ключевой каскад на транзисторе 16. Резистор 17 в базе транзистора 16 ооеспечивает исходное пасыщсннос состояние последнего. Коллекторной нагрузкой транзистора 16 являет"я резистор 18. Запуст( осуществляется на базу транзистора 1 черсз конденсатор 19. До прихода запускающих импульсов (схт. фиг. 2) транзистор 1 лавинообразному процессу открывания обоих транзисторов и стабилитрона (момент ). В этот момент транзисторы 1 и 2 насыщаются и .остаются в насыщенном состоянии некоторое время после окончания запускающего импульса. Это объясняется протеканием через них сначала тока разряда конденсатора 3, а затем, после открывания диода 14, суммарного тока разряда конденсаторов 3 и 15. Время разряда определяется сухмарнойт емкостью конденсаторов 3 и 15 (приближенно можно учитывать лишь емкость конденсатора 15, поскольку она многократно превышает емкость конденсатора 3) и величиной сопротивления резисторов 8 и 11. В хомент начала разряда конденсатора 15 транзистор 16 закрывается и на его коллекторе (выходе 3) образуется ттоложитсльный перепад напряжения.В процессе разряла конденсаторов 3 и 15 напряжение на эмггтсре и коллекторе насы 20 25 30 35 40 5 50 55 60 щенного транзистора 1 уменьшается по экспоненциальному закону, обеспечивая до момента г открытое состояние стабилитрона и транзистора 2. В момент 1 стаби,титрон и транзистор 2 закрываются, напряжстие на коллекторе транзистора 2 резко повышается, вызывая закрывание транзистора 1. Напряжение на коллекторе послелнего становится равным - Е 2, а напряжение на коллекторе транзистора 2 принимает первоначальную величину Уре.Таким ооразом, в течение интервала времени хежду моментамии 1 равного т на коллекторе транзистора 1 образуется полакительный ихтпульс са скошенной вершиной, а на коллекторе транзистора 2 - отрицательный пр 5 тмоугольный импульс. Непосредственно после закрывания транзистора 1 начинаются, процессы восстановления исходного напряжения на конленсатарах 3 и 15. Однако время восстановления напряжения на конденсаторе 3 во много раз меньше времени восстановления напряжения на конденсаторе 15. Это объясняется, во-первых, относительно малой емкостыа конденсатора 3 тпо сравнению с емкостью конденсатора 15) и, во-вторых, значительно большим током заряда конленсатора 15. Большой ток заряда конденсатора 15 достигается суммированисм двух составляоших. Меньшая течет через резистор 4, а ббльшая - через отнозттельно низкоомгную цепь, состоящую из лелителя на резисторах 5 и 6, резистора 8 и открытого диода 13. Наряду с обеспечением ускоренного заряда конденсатора 3 диод 13 защищает эмиттерный переход транзистора 1 от пробоя во время заряда этого конленсатора. В начале быстрого заряда конденсатора 3 диод 14 закрывается, благодаря чему заряд конденсатора 15 производится малым таком, протекающим через высокоохтный резистор 17, и идет поэтому медленно. В ходе быстрого заряда конденсатаза 3 сначала зак 1 зывастся ттол 13, а за.ем сразу же открывается транзистор 1, что завершает кратковременный процесс восстановления напряжения на конденсаторе 3 (хомент тз).С этого момента наряжения на всех электродах транзистора 1,принимают исходные значения и схема готова к очередному запуску с сохранением номинального порога срабатывания несмотря на то, что процесс восстановления напряжения на конденсаторе 15 только начался. Этот процесс заканчивается в момент 1, когда откростся и насытится транзистор 16, вследствие чего напряжение на его коллекторе принихтает исходгное нулевое значение, Таким .образом, на коллекторе транзистора 16 формируется прямоугольный импульс ллительностыа -,. Конденсатор 3 обеспечивает запуск схехты,а конденсатор 15 является времязалающим.291324 Предмет изооретения Еу гп Составитель А. Мерман едактор Т, Юрчикова Техрсд 3, Н, Тараненко Корг)ситор О. И, ВолкИзд. М 164, Заказ 51/278 Тираж 473 По пина. ЦНИИПИ Комитета по делам изоорстсний и открытгш при Совете Министров СССРМосква, Ж, Рахшскан нао., д. 45 ип. Харьк. Фнл. пред. Патентъ Релаксационный формирователь импульсов, построенный по схеме ждущего мультивибратора на транзисторах с дополнительной симметрией и содержащий времязадающий конденсатор и усилительный каскад, от,гичаюи 1 ггйся тем, что, с целью уменьшения порога срабатываггия и зависимости длительности выходных импульсов от частоты запускающих импульсов, между коллектором входного и базой выходного транзисторов с дополнительной симметрией включен стабилитрон, зашунтированный конденсатором, а параллельно времязадающему конденсатору подключен через полупроводниковый диод дополнцтельньгй конденсатор.
СмотретьЗаявка
1338449
МПК / Метки
МПК: H03K 5/01
Метки: 291324
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-291324-291324.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">291324</a>
Предыдущий патент: Транзисторный формирователь импульсов
Следующий патент: Ирователь мощных двухполярных илшульсов на тиратронах
Случайный патент: Матричный магнитный переключатель