Микросборка

(505 Н 05 К 7/20 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Диковский В.И., Асвадурова Е.И. Некоторые причины повышенного значения тепловых сопротивлений в мощных СВЧ- транзисторах. Электронная техника, сер, 2, 1980, вып.1(136), с. 41-47.Гелль П.П., Иванов-Есипович Н.К. Конструирование РЭА. - Л.: Энергия, 1972, с. 66-68.Патент США В 4602314,кл. Н 05 К 7/20, 1987,2 1725422 А 1(57) Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам, содержащим мощные полупроводниковые приборы, например усилители, выпрямители, тиристорные переключатели; Целью изобретения является повышение технологичности конструкции и надежности путем улучшения теплового контакта между соприкасающимися поверхностями теплопроводной прокладки фланца корпуса полупроводникового прибора и теплоотводом за счет обеспечения высокой степени деформации теплопроводной прокладки,Микросборка содержит теплоотвод 1, прокладку 2 иэ металлической фольги, полупроводниковый прибор 3, фланец 4, крепежные винты 5. 2 ил.10 15 Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам, содержащим мощные полупроводниковые приборы, например усилители, выпрямители, тиристорные переключатели.Целью изобретения является повышение технологичности конструкции и надежности путем улучшения теплового контакта между соприкасающимися поверхностями теплопроводной прокладки фланца корпуса полупроводникового прибора и теплоотводом за счет обеспечения высокой степени деформации теплопроводной прокладки.На фиг.1 изображена микросборка, общий вид; на фиг.2 - схема эксперимента по измерению теплового сопротивления контакта,Микросборка содержит теплоотвод 1, теплопроводную прокладку 2 из металлической фольги, которая расположена на теплоотводе 1, полупроводниковый прибор 3, установленный фланцем своего корпуСа(условно не показан) на теплопроводной прокладке 2 и стянутый с ней и теплоотводом 1 посредством крепежных винтов 5 с обеспечением теплового контакта между фланцем 4 его корпуса, теплопроводной прокладкой 2 и теплоотводом 1 последовательно. При этом в качестве металлической фольги теплопроводной прокладки использована бытовая алюминиевая фольга,Теплопроводная прокладка 2 из алюминиевой бытовой фольги использована для обеспечения теплового контакта между полупроводниковым прибором 3 - полевым транзистором типа 2 П 920 А и теплоотводом 1, охлаждаемым водой. Измерение общего теплового сопротивления проводится в соответствии с ОСТ. На кристалл транзистора наносится термоиндикатор плавления - (условно не показан). При нагревании кристалла до 114 С происходит изменение цвета термоиндикатора, Режим работы транзистора задается включением его в схему в соответствии с фиг.2. Между стоком и истоком задается напряжение питания, равное Оси = 31 В. Плавным увеличением напряжения на затворе задается ток стока, равный 1 с, Если в течение 1 мин не происходит проявление термоиндикатора, то ток стока увеличивают на 0,05 А, Процесс ступенчатого увеличения тока стока на 0,05 А с минутными паузами проводится до проявления термоиндикатора.Микросборка работает следующим образом.Тепло от полупроводникового прибора 3 через фланец 4 его корпуса передается через теплопроводную прокладку 2 из бытовой алюминиевой фольги к теплоотводу 1,20 25 30 35 40 45 50 55 который может быть снабжен различными средствами, обеспечивающими отвод тепла от него, например использование охлаждения его водой (не показано).Использование бытовой алюминиевой фольги в качестве материала прокладки 2 стало возможным благодаря высокой теплопроводности и электропроводности алюминиевой бытовойфольги, а также усиленному дополнительному свойству -высокой деформируемости алюминиевой бытовой фольги, вследствие дополнительной операции отжига после ее штамповки и прокатки толщиной 14 - 18 и 30 - 35 мкм, а также низкой стоимости ввиду применения для ее изготовления материала более дешевого - первичного алюминия техническойчистоты марок А 5-А 6. Всегда существуют неоднородности поверхности не менее 7 мкм, Реальная неплоскостность металлического фланца 4 корпуса полупроводникового прибора 3 большой мощности, например транзистора 2 П 920 А, колеблется от 8 до 20 мкм, Согласно технологической карте ТУ выпускается бытовая алюминиевая фольга толщиной 14 - 18 и 30 - 35 мкм, что позволяет компенсировать неоднородности как для случая слабо, так и сильно выраженной неплоскостности фланца 4 корпуса.Достижение низкого теплового сопротивления корпус - теплоотвод за счет алюминиевой фольги в быту обусловлено как за счет монолитной однослойной конструкции высокотеплопроводного материала, равномерно проводящего электрический ток, так и оптимальной ее толщины 14 - 18 и 30 - 35 мкм (только эта фольга имеет эти толщины из всей номенклатуры выпускаемых алюминиевых фольг), а также очень высокой деформируемости(в 5-6 раз более высокой по сравнению с нагартованными алюминиевыми лентами) путем ее отжига при изготовлении.Формула изобретения Микросборка, содержащая теплоотвод, теплопроводную прокладку, выполненную из металлической фольги, расположенную на теплоотводе, и полупроводниковый прибор, фланцем своего корпуса установленный на теплопроводной прокладке и стянутый с ней и теплоотводом с обеспечением теплового контакта между фланцем корпуса полупроводникового прибора теплопроводной прокладкой и теплоотводом последовательно, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения технологичности конструкции и надежности путем улучшения теплового контакта между соприкасаюаказ 1187 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 щимися поверхностями теплопроводной прокладки фланца корпуса полупроводникового прибора и теплоотводом за счет обеспечения достаточно высокой степени деформации теплопроводной прокладки, в качестве металлической фольги теплопроводной прокладки использована бытовая алюминиевая фольга.5