Способ мечения контролируемых объектов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 5)5 6 06 1 К 11 /00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСА ЕНИ РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ К может быть использовано ии распознаваемых объекения состоит в повышении ния. Поставленная цель дона поверхность диэлектрила наносят координатную шагом, облучают ее пучком ью 10-10 ион/см изатем растворе МаОН до образо- алов на поверхности диэже тем, что в качестве о материала используют ивин, полимеры, полиэтит.п. 3 ил. ство СССРО, 1975. ство СССР МА 01 К 11/00,1 КО НТРОЛ ИРУЕся к автоматике, в ния контролируеетени к спо тов, и ифика травящии раствор. Вдоль скрытых радиационных повреждений скорость растравливания выше, чем в остальном диэлектрическом материале, в результате чего в диэлектрическом материале образуются микроканалы, видимые в оптический микроскоп. Именно благодаря наличию микроканалов, а точнее их расположению в диэлектрическом материале,и обязана метка своей высокой степенью индивидуальности. е относится к собу мечения может бытьции распозна томатике, в онтролируе-,пользовано емых объекчастностимых объепри иденттов. Цель изобретения - повышение надежности мечения объектов,На фиг.1 изображены схемы примеров облучения диэлектрического материала; на фиг.2 - схема химической обработки полимерной пленки; на фиг.3 - входные отверстия противонаправленных сквозных микроканалов.Способ заключается в следующем.Исходный материал, в качестве которого выбирается диэлектрический материал, обладающий свойством образовывать травимые треки при облучении его ионами, облучают ионами плотностью 10 - 10 ион/см . Ион; проникая в диэлектрический материал, вдоль своего пути (трека) оставляет скрытые рациональные повреждения. Облученный диэлектрический материал помещают в селективно В дальнейшем диэлектрический материал с микроканалами промывают, высушивают, при необходимости разрезают на фрагменты, нумеруют клеймом и крепят на контролируемом объекте либо помещают в кассеты. Идентификацию производят путем сравнения образа метки - фотографии расположения микроканалов, сделанной с помощью оптического микроскопа, с контрольной фотографией либо непосредственно, наблюдая метку в оптический микроскоп.(54) СПОСОБ МЕЧЕНИМЫХ ОБЪЕКТОВ(57) Изобретение относичастности к способу меч Е ИЗОБРЕ мых объектов, и при идентификац тов. Цель изобрет надежности мече стигается тем, что ческого материа сетку с заданным ионов с плотност травят в 20%-ном вания микрокан лектрика, а так диэлектрическог слюду, кварц, ол лентерефталат и 718249 А 14 1718249 иге гяхеаРи аани левыге ос тяюлаикьяра палинванаа агам РПЫВОИИОЕй 1 Е - КОРиРИ та - ОСКОЛМН ДИ а ИИЯ длахФ 1 са саади уюта 111 МФН РРОНИ П р и м е р 1. На поверхность лавсановой (полиэтилентерефталат) пленки толщиной 20 мкм механическим способом при помощи клейма наносят опорные знаки в виде круга диаметром 100 мкм через каждые 10 мм, затем пленку облучают пучком тяжелых ионов с энергией 10 мэВ /нукл с плотностью 10 ион/см (фиг,1 а),травят в6 г20%-ном растворе йаОН при 70 С до образования микроканалов ф = 5 мкм. Время травления подбираютдля каждоготипа пленки. После травления пленку промывают и высушивают (фиг.2), Пленку с протравленными каналами разрезают на фрагменты так, что на каждом фрагменте - опорный знак. Дальше готовую метку прикрепляют к контролируемому объекту и с помощью оптического микроскопа и фотоаппарата изготавливают образ метки, фотографируя расположение микроканалов в области, находящейся внутри опорного знака.П р и м е р 2. На поверхность лавсановой пленки толщиной 100 мкм механическим способом при помощи устройства для изготовления дифракционных решеток наносят координатную сетку с шагом 100 мкм, затем пленку облучают осколками деления (фиг.1 в). Время облучения подбирают так, что плотность осколков в пленке 10 ион/см . Облученную пленку кладут на время в сейф с радиационной защитой для уменьшения радиационной активности до безопасной ве личины, Затем пленку травят в 20 О-номрастворе йаОН при 70 С до образования микроканалов диаметром 5 мкм. Время травления определяют экспериментально.После травления пленку промывают и вы сушивают. Пленку с протравленными каналами разрезают на фрагменты площадью 25 мм, а готовые метки наклеивают на контролируемый объект и покрывают тонким слоем защитного 15 прозрачного лака. Формула изобретенияСпособ мечения контролируемых объектов, основанный на нанесении метки из20 диэлектрического материала на контролируемый объект, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения надежности мечения,на поверхность диэлектрического материалананосят координатную сетку с заданным ша 25 гом, облучают ее пучком ионов с плотностью10 10 ион/см, затем травят в 20;-номрастворе МаОН до образования микроканалов на поверхности диэлектрика,каем аде сюноьвй паенк и