Преобразователь изображения

Л 4ТЕ и АВТОРСКОМУ СВ ЛЬСТВ титут оры света ука, 1971,18,М 8 АЖЕНИЯ оматике и связано с найти приике, Цель Преобра ет следующиВ исходзаписывающ ной волны приложенно кристалла 7 ния работазователь изображм образом,ном состоянии пей подсветки (смЬ амплитуда наго к структуре, деи диэлектриках и отсутствифиг.1) с длряжения О о, ое но на рат ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗО(71) Курский политехнический ин(57) Изобретение относится к аввычислительной технике, так какобработкой информации и можетменение также в оптоэлектрон Изобретение относится к автоматике вычислительной технике, так как связано обработкой информации, и может найт применение так же в оптоэлектронике и г лографии. Цель изобретения - повышение разрешающей способности преобразователя изображения и увеличение контраста преобразованного изображения.На фиг.1 представлена схема предлагаемого преобразователя иэображения; на фиг.2 и фиг.3 изображены варианты слоев диэлектрика, выполненных в виде матрицы отверстий, заполненных светопроводящим материалом.На фиг.1 показаны записывающий свет 1 с длиной волны Ь транспарант 2, поляризатор 3, считывающий свет 4 с длиной волны 1672431 А изобретения - повышение разрешающей способности преобразователя и увеличение контраста иэображения. Преобразователь изображения содержит последовательно расположенные входной прозрачный проводящий электрод 5, первый слой диэлектрика 6, слой высокоомного фоточувствительного кристалла 7, обладающего линейным электрооптическим эффектом, второй слой диэлектрика 8, выходной прозрачный проводящий электрод 9, Первый и второй слои диэлектрика выполнены из высокоомного непрозрачного материала в виде матрицы 12 взаимно соосных отверстий, заполненных светопроводящим материалом. 3 ил,А 2, входной прозра род 5, первый слой фоточувствительн сталла 7 с линейны фектом, второй выходной прозрач род 9, анализатор напряжения. Перв трика выполнены ала 12 в виде Й заполненных све чныи проводящии электдиэлектрика 6, пластина ого высокоомного крим электрооптическим эфслой диэлектрика 8, ный проводящий элект- О, источник 11 внешнего ый и второй слои диэлекиз высокоомного материатрицы отверстий 13, топроводящим материа 1672431пропорционально их емкости. Запись изображения транспаранта 2 осуществляется активным для фоточувствительного высокоомного кристалла 7 светом 1 с длиной волны А 1, падающим со стороны первого слоя диэлектрика 6. Записывающий свет проходит через светоделительный элемент, входной прозрачный проводящий электрод 5 и достигает первого слоя диэлектрика 6, который состоит из высокоомного материала 12, выполненного в виде матрицы отверстий 13, заполненных светопроводящим материалом (см. фиг,2 и фиг.3). При этом высокоомный материал 12 и светопроводящий материал 13 имеют коэффициенты преломления и, удовлетворяющие неравенству п 12 п 1 з. В этом случае записывающий свет проходит дальше только через отверстия 13, заполненные светопроводящим материалом, и попадает на участки поверхности полупроводника, находящиеся только под отверстиями. Под действием записывающей подсветки в полупроводнике под торцами отверстий происходит генерация информационных носителей заряда, Их концентрация в соответствующих участках поверхности определяется распределением интенсивности записывающего света, распространяющегося по отверстиям со светопроводя щим материалом. Возникновение информационных носителей заряда в полупроводнике под действием засветки приводит к перераспределению (модуляции) падений напряжения на полупроводнике и слоях диэлектриков, Из-за возникающего градиента концентраций информационные носители заряда диффундируют из-под торцов отверстий во все стороны вдоль границы раздела полупроводник - диэлектрик 6 (см. фиг,1) в пространство полупроводника, находящееся между отверстиями, Если диффузионная длина носителей заряда меньше, чем расстояние между отврстиями, то они не достигают участков поверхности полупроводника находящихся под соседними отверстиями, Кроме того, информационные носители заряда захватываются на ловушках в объеме и на поверхности в промежутках между отверстиями, поскольку концентрация ловушек в используемых высокоомных кристаллах обычно велика. При изготовлении обоих диэлектриков 6 и 8 в виде матрицы отверстий, заполненных светопроводящим материалом запись изображения можно проводить с любой стороны многослойной структуры, считывание открытого иэображения осуществляется постоянно действующим поляризованным нейтральным для высокоомного фоточувствитель 10 15 20 25 50 55 30 35 40 45 ного полупроводника 7 светом 4 с длиной волны Л 2, Считывающий свет 4 проходит через поляризатор 3, вх чной прозрачный проводящий электрод 5. первый слой диэлектрика 6, слой электрооптического кристалла 7 без генерации в нем носителей заряда, второй слой диэлектрика 8, выход. ной прозрачный проводящий электрод 9(режим "просвет"). На выходе каждого участка структуры считывающий свет промодулирован по фазе в соответствии с распределением падений напряжения по участкам площади электрооптического кристалла, соответствующим распределению концентрации информационных носителей заряда. Модуляция считывающего света по фазе с помощью анализатора 10 преобразуется в модуляцию по интенсивности, а регистрируемое изображение транспаранта 2 передается в дальнейшие каналы его обработки. Выполнение слоев диэлектрика в виде матрицы отверстий, заполненных светопроницаемыми материалами, приводит к тому, что записывающий свет, распространяясь к поверхности полупроводника только по этим отверстиям, генерирует в нем информационные заряды только под отверстиями, Эти заряды, распространяясь дволь границы раздела полупроводник - диэлектрик под действием градиента концентраций, проходят расстояние, не более диффузионной длины, При наличии ловушек в объеме и на поверхности материала, концентрация ко-. торых высока, они захватываются на эти ловушки, а расстояние распространения за- рядов существенно уменьшаются. Если расстояние между отверстиями в преобразователе изображения достигает величины, равной двум диффузионным длинам (4-5 мкм), то взаимное влияние элементов изображения друг на друга, как это имеет место в прототипе, исключается,Разрешающая способность устройства может быть повышена еще на ЗОО(, за счет изменения конструкции матрицы отверстий при расположении их в шахматном порядке (см. фиг.З),Формула изобретения Преобразователь изображения, содержащий пластину из фоточувствительного высокоомного кристалла с линейным электрооптическим эффектом, на каждой поверхности которой последовательно размещены соответственно слой диэлектрика и прозрачный электрод, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения разрешающей способности преобразователя и увеличения контраста преобразованного изображения,1672431 2 3 дг 5 б 7 8 .У 72 7 З 2 г.г Составитель С.Самуцевичехред М.Моргентал Корректор М.Максимишине Редактор Т.Шагова Заказ 2840 Тираж 394 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 10 слои диэлектрика выполнены из высокоомного непрозрачного материала в виде матриц взаимно соосных отверстий, заполненных светопроводящим материалом,