Запоминающий модуль

(21) 447019 (22) 02.08.8 (46) 30.01,9 (72) В.В. Л (53) 681.32 (56) Заявка кл,611 СЗаявк кл. 0 11 С 1. Бюл, %4есных7.66 (088,8)Японии М 611/14, опубла ЕПВ М 02019/08, опубл 0-48058ик. 19850173,ик. 1986 МОДУЛЬ сится к вычисл ть исполъзовэ щих устройств ных доменах (ЦМД). вляется повышение ющего модуля. Моиз магнитомягкого асположены доменоительно при на ци 3 ъ ОЧ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) ЗАПОМИНАЮЩИ (57) Изобрвтение отно ной технике и может бы разработке запоминаю линдрических магнит Целью изобретение я надежности запомина дуль содержит корпус материала, в котором р Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Цель изобретения - повышение надежности запоминающего модуля,На фиг. 1 и 2 - показаны варианты конструктивного исполнения предложенного запоминающего модуля.Запоминающий модуль содержит корпус 1 из магнитомягкого материала, в котором расположены доменосодержащий кристалл 2, магнитосвяэанный с источником магнитного поля управления в виде сердечника 3 прямоугольной формы, на котором расположены две взаимоортогональные катушки индуктивности, источником магнитного поля смещения в виде двух постоянных магнитов 5. Кристалл 2 вместе с сердечником 3 и катушками 4 окружен проводящим. содержащий кристалл, магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде сердечника прямоугольной формы, на котором расположены две вэаимоортогональные катушки индуктивности, и источником магнитного поля смещения в виде двух постоянных магнитов. Кристалл вместе с сердечником и катушками окружен проводящим экраном, на котором расположены параллельно кристаллу постоянные магниты. При этом о корпусе напротив постоянных магнитов выполнены пазы наклонной формы таким образом, что они образуют переменные по высоте воздушные зазоры с корпусом, равномерно изменяющиеся с постоянным градиентом вдоль линии постоянных магнитов, За счет этого вдоль длины постоянных магнитов возникает неравномерная плотность магнитных зарядов. 2 ил,экраном 6, на котором расположены параллельно кристаллу 2 постоянные магниты 5. причем в корпусе из магнитомягкого материала напротив постоянных магнитов выполнены пазы наклонной формы так, что они образуют переменные по высоте воздушные зазоры с корпусом, равномерно изменяющиеся с постоянным градиентом вдоль длины постоянных магнитов, за счет чего вдоль длины постоянных магнитов возникает неравномерная плотность магнитных зарядов, Вследствие этого результирующий вектор напряженности магнитного поля смещения направлен не- перпендикулярно поверхности микросхемы памяти и постоянных магнитов смещения, а под углом к ним. В результате создается постоянная составляющая этого вектора в плоскости микросхемы памяти, обеспечивающая сохранность информации при отклю 1624522чении питания. На фиг, 2 изображено другое конструктивное исполнение предложенного запоминающего модуля. Доменосодержащий кристалл 2 вместе с сердечником 3 и катушками 4 окружен проводящим экраном 6, на котором расположены параллельно кристаллу 2 постоянные магниты 5, причем проводящий экран 6 закреплен на корпусе 1 из магнитомягкого материала так, что внешняя поверхность постоянных магнитов 5 образует угол определенной величины с внутренней поверхностью корпуса 1. Это достигается закреплением, например методом сварки или приклеивания проводящего экрана 6 на поперечных гранях корпуса 1. Величина расстояний определяется в соответствии с величиной угла наклона корпуса 1 по отношению к проводящему экрану и постоянным магнитам, который определяется согласно элементарным законам тригонометрии.Кроме того, эа счет плоскопараллельного расположения кристалла 2 и постоянных магнитов путем ликвидации зазора необходимого для конструктивной реализации наклона кристалла 2 относительно постоянных магнитов в прототипе, значительно улучшается однородность за счет плоскопараллельного сближения постоянных магнитов, что повышает надежность запоминающего модуля, в том числе при выполнении принципа сохранности информации при отключении питания.Экспериментально подобрано значение этого угла, составляющее величину а =1 - 2,5, зависит от величины результирующего вектора напряженности магнитного поля смещения.Запоминающий модуль работает следующим образом.При подаче переменного тока на катушки 4 создается вращающееся магнитное поле, которое обеспечивает запись, продвижение, считывание и деление информации.При этом сохранность записанной информации при отключении катушек 4 может быть обеспечена только за счет постоянных магнитов 5, Причем в данном случае постоянную составляющую магнитного поля смещения в плоскости кристалла 2 создаетнеравномерное распределение плотности магнитного потока вдоль плоскости постоянных магнитов 5, а наличие постоянного градиента способствует стабильности сохранности информации при отключении питания, Наличие угла наклона корпуса 1 из 10 15 20 25 30 35 40 45 50 магнитомягкого материала по отношению к постоянным магнитам 5 и кристаллом 2 обуславливает неравномерную плотность магнитного потока вдоль плоскости этих постоянных магнитов, а постоянный градиент изменения зазора между корпусом 1 и постоянными магнитами 5 создает необходимый градиент изменения плотностИ магнитного потока вдоль плоскости постоянных магнитов 5,Кроме того, путем ликвидации зазора, необходимого для конструктивной реализации наклона кристалла относительно постоянных магнитов в прототипе и локализации магнитного поля смещения в ограниченном пространстве между плоскопараллельно расположенными постоянными магнитами 5 за счет их сближения между собой и с кристаллом 2, значительно улучшается однородность магнитного поля смещения, что повышает надежность запоминающего модуля, в том числе при выполнении принципа сохранности информации при отключении питания,Формула изобретения Запоминающий модуль, содержащий корпус из магнитомягкого материала, в котором расположены доменосодержащий кристалл, размещенный внутри проводящего экрана и магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде двух вэаимоортогональных катушек индуктивности и источником магнитного поля смещения в виде двух постоянных магнитов, расположенных с обеих сторон доменосодержащего кристалла,о т л и ч а ю щ и й с я тем,что,с целью упрощения и повышения надежности запоминающего модуля, постоянные магниты расположены параллельно доменосодержащему кристаллу на внешних поверхностях проводящего экрана, а между внутренней поверхностью корпуса и постоянными магнитами выполнены переменные по высоте воздушные зазоры с постоянным градиентом магнитного поля смещения,1624522Составитель Ю.Розенталь Редактор М,Келемеш. Техред М.Моргентал Корректор М.Пожо Заказ 194 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101