Устройство для размагничивания цветных кинескопов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Изобретение относится к телевиэиЬнной технике и может быть использова,Но при построении устройств для раз,Магничивания цветных кинескопов телевизоров,Целью изобретения является уменьшение остаточного размагничивающего то 1" "ка.На фиг, 1 представлена принципиаль"ная электрическая схема устройстваПри использовании транзистора р-п-р-ипа; на фиг, 2 - то же, .при испольовании транзистора п-р-п-типа,Устройство для размагничиванияЦветных кинескопов содержит размагни"чивающую катушку 1, диодный мост 2,гранзистор 3, диод 4 резистор 5,конденсатор 6,Устройство работает следующим образом.Рассмотрим работу при использовании транзистора р-п-р-типа, При включении устройства в сеть переменноготока клеммы устрой ств а ок аэыв ают сяпод напряжением, Конденсатор 6 в этовремя полностью разряжен, Поэтому че+.рез раэмагничивающую .катушку 1, диодэьй мост 2 и транзистор 8 протекаетмаксимальньй ток, При этом через размагничивающую катушку 1 протекает знакопеременный ток, обеспечивающий перемагничивание элементов кинескопа помаксимальной петле гистеразиса. Повеере заряда конденсатора б по цепи:первая клемма источника 1 питания, диОд 4, резистор 5, конденсатор 6, диодный мост 2, вторая клемма источникаПитания, напряжение между его обкладками возрастает, запирая транзистор 3.Следовательно, амплитудные значения то-"0ка в размагничивающей катушке 1 убывают, обеспечивая размагничивание элементов кинескопа. После заряда конденсатора 6 до состояния когда транзистор 3 закроется, ток через раэмагничивающую катушку 1 прекратится, Обратный ток база-коллекторного переходатранзистора 3 и ток утечки конденсатора 6 протекает по цепи, "вторая клеммаисточника питания, диодный мост 2, резистор 5, диод 4, т,е, минует раэмагничивающуюся катушку 1,Аналогично устройство работает прииспользовании транзистора п-р-п-типа,Таким образом, включение диода 4позволяет достичь полной отсечки токачерез размагничивающую катушку, чтоповышает качество изображения на экране цветного кинескопа, который подвергается размагничиванию,При введении параллельно с конденсатором ключа, устройство позволяет размагничивать кинескоп не только при включении, но и в любой момент времени ьФормула из о брет енияУстройсто для размагничивания цветных кинескопов содержащее последовательно соединенные источник переменного тока, размагничивающую катушку идиодный мост, к второму входу которого подключен второй вывод источникапеременного тока, транзистор, переход эмиттер-коллектор которого включен между выходами диодного моста,конденсатор, включенный параллельнобаза-коллекторному переходу транзистора, и резистор, первый вывод которого подключен к базе транзистора,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью уменьшения остаточного размагничивающего тока, введен диод, включающий между вторым выводом резистора ипервым выводом источника переменноготока,рректор Л.Бескид Редакт Лаз аренк аказ 146 ираж 530 дписно НИИПИ сударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5изводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, 10
СмотретьЗаявка
4404492, 05.04.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6149
БОРОДЮК ОЛЕГ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ИОСЕВИЧ РОМАН ГРИГОРЬЕВИЧ, ЛЯДРИК ЗИНОВИЙ ФЕДОРОВИЧ, ТАТАРИН ВАСИЛИЙ ЯРОСЛАВОВИЧ, ШКЛЯР ВИКТОР ЛЬВОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H04N 9/29
Метки: кинескопов, размагничивания, цветных
Опубликовано: 07.06.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1570029-ustrojjstvo-dlya-razmagnichivaniya-cvetnykh-kineskopov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для размагничивания цветных кинескопов</a>
Способ управления инвертором тока со стабилизирующим диодом
Номер патента: 1690117
Опубликовано: 07.11.1991
МПК: H02M 1/08
Метки: диодом, инвертором, стабилизирующим
...9измеряется датчикам тока 19. В усилителе20 сигнал датчика тока 19 усиливается дотребуемой величины, С выхода усилителя20 сигнал, пропорциональный току стабилизирующего диода 9, далее поступает нафильтр 21. Отфильтрованный сигнал с выхода фильтра 21 сравнивается в устройстве сравнения 22 с сигналом уставки,поступающим от источника задания устэвки23. С выхода устройства сравнения 22 сиг 5 10 15 20 25 30 3540 45 50 55 нал рассогласования поступает на управляющий вход задающего генератора 24. В соответствии с сигналом рассогласования с выхода устройства сравнения 22 изменяется выходная частота задающего генератора 24, Импульсы с выхода задающего генератора 24 через распределитель импульсов 25 и выходные каскады 26, 27, формирующие и...
Однотактный преобразователь напряжения постоянного тока
Номер патента: 1181077
Опубликовано: 23.09.1985
Авторы: Берия, Гамисония, Надашвили, Шавлакадзе
МПК: H02M 3/335
Метки: однотактный, постоянного
...1, сглаживается фильтром 2 и поступает на усилитель 3мощности, от которого переменноенапряжение выпрямляется выпрямителем6 и сглаживается фильтром 7, на выходе. которого имеется постоянноенапряжение. Узел 8 управления служит для вырабатывания импульсов тока, предназначенного для управленияключом 5 усилителя 3 мощности. Обрат ная связь осуществляется через цепь9 обратной связи.В начальный момент, до поступления отпирающего импульса, ключ 5заперт и конденсаторы 12 и 15 заряжены напряжением 0Пс мскс. Узел 8 управления выдает токуправления .у (фиг.2), При положительном импульсе тока управления+открыт транзистор 10, и на базуключа 5, кроме тока управления, поступает отпирающий ток через резистор11. Конденсатор 12 начинает...
Ключ переменного тока
Номер патента: 1525897
Опубликовано: 30.11.1989
Авторы: Кирюхин, Левин, Печерский
МПК: H03K 17/60
Метки: ключ, переменного
...11 и надежно его запирает.Поскольку незначительный ток утечкиисток - сток транзистора 11 отводится через резистор 16, транзистор 10 также оказывается в закрытом состоянии и к нему прикладывается напряжение сети, к коллектору - положительный потенциал через диод 8 или 9, а к эмиттеру - отрицательный через управляющий электрод тиристора 2 и диод 7 или управляющий электрод тиристора 1 и диод 6. Пульсирующее напряжение на транзисторе 10 создает небольшой ток через резистор 14, но этот ток не оказывает влияния на состояние тиристоров 1 и 2.Когда на шины 18 и 19 подаетсянапряжение, фотодиод оптрона 17 переходит в проводящее состояние. Однако при наличии на коллекторе транзистора 1 О положительного потенциала диод 12 заперт и никаких...
Интегрирующее устройство сигналов постоянного тока с одним накапливающим конденсатором
Номер патента: 146976
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Тавдгиридзе
МПК: G06G 7/184
Метки: интегрирующее, конденсатором, накапливающим, одним, постоянного, сигналов
...конденсатор 1 заряжается током от двух пентодов 2 и 3, которые питаются от изолированных источников питания, подключенных к зажимам 4 и 5. Пентод 2 выполняет функции измерения, пентод 3 - функции компенсации. Экранные напряжения для пентодов 2 и 3 подают на зажимы б и , а входной сигнал - на зажимы 8. Пентоды работают в режиме класса А. Устройство одинаково чувствительно к сигналам разной полярности.С целью компенсации схемной погрешности в устройстве предусмотрены триоды 9 и 10. Триоды также питаются от изолированных источников питания, Сопротивления 11 и 12 анодных нагрузок триодов вклю14 б 976 чены в цепи делителей напряжения, задающих начальное смещение сеткам пентодов 2 и 3 Сетки триодов присоединены к делителям напряжений,...
Способ повышения коэффициента усиления по току кремниевых диффузионных р—р-л-транзисторов
Номер патента: 240852
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов
МПК: H01L 21/322
Метки: диффузионных, коэффициента, кремниевых, повышения, р—р-л-транзисторов, току, усиления
...а время и температура геттерирования малы, образующийся наразитный слой и-типа обычно уничтожается при вжигании контактов. Перед нанесением контактов слой Р.О; удаляют травлением в составе, содержащем 15 ч. НЕ (490/О), 10 ч. Н 1 ЧОз (700/) и 300 ч. Н О, в течение 2 мия.На чертеже приведен, пример реализации заявляемого способа в технологическом процессе изготовления,кремниевого планарного р - и - р эпитаксиально-диффузионного транзистора. Исходным материалом для производства подобных транзисторов служит очень низкоомная эпитаксиальная структура: на подложку 1 р-типа наращивают более высокоомную эпитаксиальную пленку 2 и-типа толщиной, порядка 10 мк. Далее проводят изолирующую диффузию бора 3, в результате которой эпитаксиальная пленка...
Предыдущий патент: Устройство передачи телевизионного сигнала
Следующий патент: Способ измерения помех в телевизионном канале
Случайный патент: Способ получения производных кумермицинов