156702
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 156702
Текст
(а"г б 06 н д 2 д 10 6 06 д; 42 тп, 36 Х 558702 СССР ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ дтская г ппа Л( 17 Я. Л. Райхман УСТРОИСТВО, ИМИТИРУ НЕРВНОЙ КЛЕТК Е( ЛЪНОСР) НЕИРИС Заявлено 2 в Комитет по делам изоб Опбликовгно в Бюллете 1августа 1962 г. за М 792297,(26-24тений и открытий при Совете Министроизобретений и товарных знаков,(хе 6 з СР 3 г итирующие дех источника эне Известны устройства, их ятесостоящие из распределенны. рПнакопительного элемента.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что оно выполнено на многослойном полупроводнике, состоящем, например, из соединенных последовательно через активное сопротивление туннель- (ого диода и четырехслойного диода, зашунтированных распределенной емкостью, а связь между элементами (нейристорами) осуществляется передачей сигналов по слоям полупроводника.Это обеспечивает повышение быстродействия устройства.На фиг. 1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 приведена эквивалентная схема включения отдельного элемента устройства.Между двумя металлическими проводящими пластинами 1, на которые подается напряжение от источника 2, расположен пятислойный полупроводник 3 - 7. В переходе между слоями 3 и 4 используется туннельный эффект. Четыре слоя 4, 5, 6 и 7 создают тиратронную характеристику. Слой 4 имеет высокое омическое сопротивление,Последовательная цепь из туннельного диода Д сопротпвленп йт и четырехслойного диода Д. находится под напряжением Уо. Кроме того, туннельный диод Д 1 связан сопротивлениями Р с соседними элементами. На емкостях С, и С. происходит накопление энерпш, причем ССь.","о 56702асчет схемы Вкл 10 чения д 1 Одз Д ПокззыВзет, что сопротиВения Л 1 и Й 2 м 02 кно заменить Одн 11 м экВ 11 взлентным сопротиВлением ЛР,В) гл,+л.,включенным нз эквивалентное Зпряжение Ьз. оз = аИю + рЬ+ рГ,рГде: О. =ЛЭлементы можно выбрать таким образом, что в нормальном состоянии, когда на соседних элементах (ЕГ и Е/") высокое напряжение, схема включения диода Д будет иметь два устойчивых состояния. Если один из соседних элементов возбудится, напряжение его понизится и схема перейдет из одного состояния в другое, а если напряжение нз этом элементе понизится, то сработает следующий элемент. Таким образом по нейристору распространится волна возбуждения, Для восстановления его после прохождения волны используются тиратронные характеристики тройного перехода между слоями 4: 7.Предмет изобретенияУстройство, имитирующее деятельность нервной клетки (нейристор), состоящее из распределенного источника энергии, распределенцого накопителя энергии и распределенного накопительного элемента, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения быстродействия устройства и точности воспроизведения, оно выполнено на многослойном полупроводнике, состоящем, например, из соединенных последовательно через активное сопротивление туннельного диода и четырехслойного диода, зашунтированных распределенной емкостью, а связь между элементами (нейристорами) осуществлена передачей сигналов по слоям полупроводника.Составитель И, Дубинский едактор Богатырева Текред Т, П. Курилко Корректор Р, М. РамазаноТипографии, пр. Сапун Подп. к печ. 25 Ъ 111 - 63 г.Эак. 21 17/15Ц 1-1 ИИПИ Государственного коМосква,Формат бум. 70(108Тираж 725 итета по делам изоб Центр, пр. Серова, д 6 Объем 0,18 изд, л.Цена 4 коп.тений и открытий СССР4.
СмотретьЗаявка
792297
МПК / Метки
МПК: G06G 7/60
Метки: 156702
Опубликовано: 01.01.1963
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-156702-156702.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">156702</a>
Предыдущий патент: 156701
Следующий патент: 156703
Случайный патент: Система формирования спектра широкополосных случайных вибраций