156702

Номер патента: 563931

Опубликовано: 30.06.1977

Автор: Джордж

МПК: G02F 1/133, H02H 3/24

Метки: жидклкристаллическое, защиты, схемой

...15 в (колеблющееся от 0 до 15 в) частотой 30 гц, которое находится или в фазе или в противофазе с напряжением сигнальной пластины. Когда требуется, чтобы на индикаторе была какая-либо цифра, то блок управления устройства отображения подает напряжение частотой 30 гц в фазе с напряжением на сигнальной пластине к сегментам, которые не должны быть видны, а напряжение частотой 30 гц, сдвинутое на 180 по фазе по отношению к напряжению сигнальной пластины, к соответствующим сегментам, которые должны быть видны. В результате этого к визуализируемым сегментам подается биполярное переменное напряжение амплитудой 30 в, а к остальным сегментам - нулевое напряжение, Напряжение возбуждения в 30 в заставляет жидкий кристалл, если он относится к типу...

Номер патента: 1408424

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральной, подложки, смещения, схемы

...соединен с обидней шиной 5, а затвор - с его стоком, вход инвертора соединен с первой шиной 6 управляющих импульсов, сток транзистора 4 заряда - с подложкой 7 ИС через МДП- транзистор 8 разряда, затвор которого соединен с второй шиной 9 управляющих импульсов, второй вывод конденсатора 3 - с эмиттером биполярного транзистора 1 О, коллектор и база которого соединены,с подложкой 7 интегральной схемы. При реализации в виде ИС конденсатор 3 образован обкладками из поликристаллического кремния и диффузионного (например, п)слоя, от которых сделаны отводы в схему устройства, а вокруг диффузионной обкладки конденсатора расположена диффузионная шина, отделенная от конденсатора участком подложки,Устройство работает следующим образом.Во время...

Номер патента: 140901

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Карандеев, Соболевский

МПК: G01R 17/02

Метки: компенсационных, напряжений, отсчета, схемах

...декады и добавочное сопротив(и)ление Я,) (фиг. 1). Величину этого добавочного сопротивления находят из условия получения требуемого значения отношения токов (равного 10)" =10,Откуда Йд" = 8,1 го Предмет изобретения Устройство для регулировання и отсчета напряжения в компенсационных схемах измерения, состоящее из ряда декад сопротивлений, снабженных сдвоенными переключателями, установленными через один или через два выводных контакта декады и соединенных по каскадной схеме таким образом, что каждая последующая декада присоедине:(а к контактам переключателя предыдущей декады, шунтируя часть секций последней, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, сопротивления всех декад выполнены одной величины, а для...

Номер патента: 1679575

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Алексеев, Соколов

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, источника, питания, элементов

...порогового элемента 4 и срабатыванию защиты, Устройство обеспечивает защиту и от перегрузки и от перенапряжений при минимальном количестве элементов схемы, 1 ил. ство работает следующим обраПри увеличении тока напряжение на датчике 1 тока растет, Напряжение источника 6 опорного напряжения, имеющего большое внутреннее сопротивление, которое больше номинального напряжения на нагрузке, открывает диод 5, Таким образом, напряжение на инверсном входе операционного усилителя 4 равно сумме напряжений нагрузки 3 и открытого диода 5, При увеличении тока падение напряжения на датчике 1 тока становится больше напряжения на открытом диоде 5. Происходит смена знака выходного напряжения операционного усилителя, срабатывает преобразователь 2. Когда...

Номер патента: 568987

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Арямова, Гапоненко, Путилин

МПК: H01L 27/12

Метки: связью, схем, тепловой, теплопередающее

...разрезЛ - А фиг. 1.Теплопередающее устройство состоит из кармана 1 монокристаллического кремния, расположенного в диэлектрической подложке 2. В кармане методами полупроводниковой технологии выполнены источники тепла 3, 4 и термочувствительные элементы 5, 6. Между зонами 7 - 10, в которых расположены источники тепла и термочузстзительчыс элементы, расположены зоны 11, 12 и 13, проводимость,которых противоположна проводимости зон 7 - 10,Формирование кармана или островка монокристаллического кремния в виде изогнутого стержня позволяет использовать для размещения теплопроводящего стержня не только длину, но и ширину подложки 2. Бла. годаря этому длина теплопередающего устройства может быть уменьшена в несколько раз,Параметры полупроводника з...