Матричное диодно-емкостное запоминающее устройство с полупеременной памятью

У,.1Класс 42 гп, 14148275 СССР СТЕНИ описдник из К АВТОРСКОМУ СВ И ЕТЕЛЬС дписная группа174 В, Е. Куликов и В. С, Шохат Э, Н, Улановск АТРИЧНОЕ ДИО УСТРОЙ СТВОАПОМИНАЮЩЕЕЙ ПАМЯТЬЮ О-ЕМКОСТНОЕ ОЛУПЕРЕМЕН Заявлено 15 сентября 1961 г. зав Комитет по делам изобретений и открытий при 4861/26-24овете Министров СС убликовано в Бюллетене пзобретеннй12 за 1962 г Известны диодные долговременные матричные запоминающие устройства. Также известны и емкостные долговременные запоминающие устройства, каждая секция которых содержит параллельные входную и выходную панели из листового или пленочного изоляционного материала с нанесенными на них соответственно входными и выходными шинами секций и с расположенным между входной и выходной панелями плоским экранирующим носителем информации, записываемой на нем путем перфорации в соответствующих местах перекрещивания входных и выходных шин данной секции и образования в этих местах элементарных емкостей.Предлагаемое матричное диодно-емкостное запоминающее устрой:тво с полупеременной памятью отличается тем, что для улучшения соотношения сигнала к помехе на выходе ЗУ и увеличения емкости памяти ЗУ выходная панель каждой секции выполнена в виде совокупности расположенных во всех местах перекрещивания входных и выходных шин секции полупроводниковых диодов. Одни электроды диодов (например, аноды) соединены между собой выходными шинами, а другой электрод (например, катод) каждого диода служит одновременно обкладкой элементарной емкости ячейки памяти ЗУ.Для уменьшения габаритов ЗУ и их стоимости, а также упрощения технологии изготовления, диодные выходные панели ЗУ выполнены на таких же стандартных перфокартах, как и экранирующие носители информацииНа фиг. 1 показана выходная панель описываемого ЗУ, в разрезе; на фиг, 2 - электрическая схема ЗУ.Каждая секция описываемого ЗУ состоит из трех сложенных в стоп ку плоских панелей, выполненных из листового (или пленочного) электроизоляционного материала: входной панели, сменной панели (носителя информации) и выходной панели,148275Входная панель имеет нанесенные с одной стороны параллельные входные шины из металла. Сменная панель (носитель информации) расположена между входной и выходной панелями и имеет отверстия (в соответствии с записанными кодами) в местах перекрещивания входных и выходных шин секции. Поверхность сменной панели покрыта пленкой металла (или фольгой), которая заземлена и служит для взаимной экранировки входной и выходной панелей. Следовательно, в каждом месте, где имеется отверстие в сменной панели (т, е. где записана 1 информации), образуется элементарная емкость между одной из входных шин и выходной панелью,Выходная панель имеет нанесенные с одной стороны металлические параллельные выходные шины и отверстия во всех местах пересечения входных и выходных шин ЗУ, В этих отверстиях располагается пленка полупроводника, образующего пленочные полупроводниковые диоды. Одни электроды 1 этих диодов (например, аноды) соединены между собой параллельными пленочными выходными шинами 2 секции ЗУ, нанесенными на одной (внешней по отношению к экранирующему носителю информации) строго выходной панели. Вторые электроды диодов (например, катоды) нанесены на другой стороне выходной панели в виде несоединенных между собой кружков 3 пленки металла, каждый из которых служит в местах перфорации одним из электродов элементарной емкости ячейки памяти (другой электрод - входная шина),Таким образом, в месте перфорации сменной панели сигнал проходит с входной шины 4 (фиг. 2) через элементарную емкость 5 ячейки и диод б на соответствующую выходную шину 2. Диодные выходные пане. ли ЗУ выполнены на таких же стандартных перфокартах, как и экранирующие носители информации (сменные панели).Совмещение принципов действия диодного и емкостного долговременных ЗУ в предложенном ЗУ позволяет уменьшить возможность обратного прохождения информации, т. е улучшает соотношение сигнал - помеха, и тем самым позволяет увеличить емкость и надежность ЗУ. Указанные достоинства предлагаемого ЗУ обусловливают полезность его применения.Предмет изобретения1, Матричное диодно-емкостное запоминающее устройство с полу- переменной памятью, каждая секция которого содержит параллельные входную и выходную панели из листового или пленочного изоляционного материала с нанесенными на них соответственно входными и выходными шинами секции и с расположенным между входной и выходной панелями плоским экранирующим носителем информации, записываемой на нем путем перфорации в соответствующих местах перекрещивания входных и выходных шин данной секции и образования в этих местах элементарных емкостей, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью улучшения соотношения сигнала к помехе на выходе ЗУ и увеличения емкости памяти ЗУ, выходная панель каждой секции выполнена в виде совокупности расположенных во всех местах перекрещивания входных и выходных шин секции плоских полупроводниковых диодов, одни электроды которых (например, аноды) соединены между собой выходными шинами, а другой электрод (например, катод) каждого диода служит одновременно обкладкой элементарной емкости ячейки памяти ЗУ.2. Устройство по и, 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения .габаритов ЗУ и их стоимости, а также упрощения технологии изготовления, диодные выходные панели ЗУ выполнены на таких же стандартных перфокартах, как и экранирующие носители информации.148275 2 фиг / фуг 2 Составитель описания А, И, Хохло Реда Л. Корченко Техред А А. Камышникова Корректор В, Андрианов Типо ия ЦБТИ, Москва, Петровка, 1 Подп, кпеч. 18/Ъг. ф3 ак. 6232ЦБТИ Комитета по делам изобрМосква Цент рмат бум. 70;х,1Тираж 700тений и открытии