Патенты с меткой «диодно-емкостное»

Номер патента: 148275

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Куликов, Улановский, Шохат

МПК: G11C 17/06

Метки: диодно-емкостное, запоминающее, матричное, памятью, полупеременной

...и выходной панелей. Следовательно, в каждом месте, где имеется отверстие в сменной панели (т, е. где записана 1 информации), образуется элементарная емкость между одной из входных шин и выходной панелью,Выходная панель имеет нанесенные с одной стороны металлические параллельные выходные шины и отверстия во всех местах пересечения входных и выходных шин ЗУ, В этих отверстиях располагается пленка полупроводника, образующего пленочные полупроводниковые диоды. Одни электроды 1 этих диодов (например, аноды) соединены между собой параллельными пленочными выходными шинами 2 секции ЗУ, нанесенными на одной (внешней по отношению к экранирующему носителю информации) строго выходной панели. Вторые электроды диодов (например, катоды) нанесены на...

Номер патента: 391608

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Уль, Шсесоюзная

МПК: G11C 11/24

Метки: диодно-емкостное, запоминающее

...характеристикой использован двоичный триггер на транзисторах.Транзисторные ключи 4 выполнены с нормально закрытым транзистором с коллекторной и эмиттерной нагрузками, подключенными к источникам онориого напряжения Е, и Е,. Диоды диодных ключей одного разряда нескольких регистров подключены к коллектору и эмиттеру так, чтобы диоды были закрыты. При открывании транзистора потенциалы коллектора и эмиттера будут близки к нулевому, что при равных нагрузках и равных опорных напряжениях эквивалентно подключению второго конца конденсатора на землю. Так как транзисторные ключи 4 могут быть использованы для подключения одноименных разрядов нескольких запоминающих устройств, то из-за возможной неравномерности нагрузки потенциалы коллектора и...