Номер патента: 1467383

Авторы: Дрожжин, Седых

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 1% 01) С%4 С 01 В 7 РЕТЕ ИДЕТ ЕЛЬСТВУ й тех а тельнв однихтурыповьпп ен месталлезы онок ну 1 ссчита 1го том я иэ допусти точности отн ную, исхо требуемой изменения ьногооэлемен и сопротивленздействнемеформации м ксимально доокристалла. йФ тов под впустимой ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТпО иЗОБРетениям и ОтиРытиямПРИ П 1 НТ СССР(71) Воронежский политехнический институт(56) Авторское свидетельство СССРМ 1024691, кл. С 01 В 7/18, 1982,Дрожжин А,И, 11 реобразователи нанитевидных кристаллах,р(111,Депонированная рукопись У 6606-84,ВНИИТИ, 1984, с. 82-94.(57) Изобретение относится к измерио к полупро- лям темпераизобретения - ений путем ой погрешуры. Для это- дополнитель 6 и 1,овым преобразовате деформации, Цель ние точности измер ения систематическности измерения температ го датчик снабжен парой ных омических контактов тоположение которых на м 1 кремния определяет дли термоэлементов 2-6 и 7-5Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковым преобразователям для одновременного измерения температуры и деформации.Целью изобретения является повышение точности измерений путем уменьшения систематической погрешности из,мерения температуры, 10На чертеже показан тензотермо-, ,датчик, общий вид.Тенэотермодатчик представляет со;бой нитевидный монокристалл 1 кремния с кристаллографической ориентацией (1 Т 1) дырочной проводимости, на котором сформированы омические контакты 2-, 7 с токовыводами.Крайние контакты 2 и 5 располо,жены на концах монокристалла Сред ние контакты 3 и 4 равноудалены отсоответствующих концов монокристалла на расстояние 1, которое должнобыть равным не менее. десяти диаметрам монокристалла. При выполнении 25 этого условия в пределах базы 1. тензоэлемента отсутствует градиент деформации, наблюдающийся в пределах длины 1 - области кривой неоднородности деформирования монокристалла, 3 О . которая зависит от взаимодействия конкретной системы деталь-клей-моно- , кристалл в заданных условиях динамического нагружения, Длина 1 наи более точно определяется серией предварительных отработочных эксперимен: тов с учетом конкретных условий будущей эксплуатации тензотермодатчика, Исходя из допущения о линейности изменения деформации от нуля до макси О мума в пределахдлины, расстояние 1 от контактов 6 и 7 до соответствую-. щих концов монокристалла определяется из соотношения1= (-")ф- -йК 21 к45К б КЕ,где К - коэффициент тензочувствительности монокристалла;;, - максимальная допустимая деформация монокристалла;1 - расстояние от края монокристалла до третьего контакта;ай( в ) - допустимое относительное из- Кменение сопротивления термоэлемента датчика под воздействием максимально измеряемой допустимой деформации(нормируемое значение неис" ключенного остатка систематической погрешиости измерения температуры), которым задаются исходя из конкретной чувствительности к изменени ям температуры термоэлемента датчика с учетом требований точности.Тензотермодатчик работает следующим образом.Его наклеивают на.исследуемую деталь, токовыводами контактов 3 и 4 подключают в плечо измерительного тензомоста, а токовыводами контактов 2 и 6, 5 и 7 - к измерительным термомостам, по разбалансу которых измеряют деформацию и температуру детали в процессе ее нагружения.С помощью предлагаемого датчика можно одновременно проводить измерения температуры и деформации деталей с высокой точностью в широких диапазонах в условиях быстроизменяющихся температур и деформаций, Утрата одного или двух контактов не приводит к полной потере работоспособности датчика, что позволяет закончить эксперимент, хотя и на менее количествен" ном уровне, так как снижается точность измерений,Формула изобретенияТензотермодатчик, состоящий из нитевидного монокристалла кремния и четырех точечных омических контактов с токовыводами, два из которых размещены на концах монокристалла, а два других равноотстоят от соответствующих концов монокристалла на расстоянии, равном не менее десяти диаметрам монокристалла, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повынения точности измерений путем уменьшения систематической погрешности измерения .температуры он снабжен двумя дополнительнь 1 ми омическими контактами с токовыводами, равноотстоящими от соответствующих концов монокристалла на расстоянии1, определяемом из соотношенияЬК .21 кке КГмгде К - коэффициент тенэочувствительности монокристалла; Е - максимальная допустимая деформация монокристалла;1467383 1 к греиности измерения температуры). лСоставитель В,МелузоваРедактор Л,Гратилло Техред М.Ходанич Корректор В,Гирняк Заказ 1183/36 Тираж 683 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101- расстояние от края моно- кристалла до третьего контакта; АК( в - - допустимое относительное изКЕ менение сопротивления термоэлемента датчика под воэдействием максимально допустимой деформации (нормируемоезначение неисключенного остатка систематической по

Смотреть

Заявка

4207986, 09.03.1987

ВОРОНЕЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

СЕДЫХ НИКОЛАЙ КУЗЬМИЧ, ДРОЖЖИН АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01B 7/16

Метки: тензотермодатчик

Опубликовано: 23.03.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1467383-tenzotermodatchik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тензотермодатчик</a>

Похожие патенты