Способ сушки сыпучих материалов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) ( 26 В 3/ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ое объеди аломатов СС 81(5 о МАТЕРИАОБ СУР 1 КИ СИП 7) Из циров ке сып у (К ОСУДАРСТЕЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬТИЯПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕРЬСТВУ(21 ) 4062523/24-06 (22) 30.04.86, (46) 07.02.89. Бюл. У 5 (71) Научно-производствен нение "Сибцветметавтомати (72) М.Й.Потылицын и.В.П. (53) 66.047.334 (088.8) (56) Авторское свидетельс У 1016643, кл, Р 26 В 3/3 ретение позволяет интенсиь тепломассообмен при сущх материалов (СМ). В каме- подают СМ, который заряжается положительным потенциалом (П) за счет трения о вкладыщ 4, выполненный из фторопласта, распределительного патрубка 2. Через патрубок 3 в К подают газообразный агент, который приобретает отрицательный П за счет трения о вкладыщ 5, выполненный из оргстекла. В верхней части К происходит электроосмотическое обезвоживание СМ за счет разности П между СМ и газообразным агентом. Далее СМ поступает в насадку 6, выполненную из диэлектрического материала и предварительно заряженную положительным или отрицательным П, Ва счет хаотически расположенных на поверхности ае1456728 Способ осуществляют следующим образомВ камеру 1 через .распределительный патрубок 2 подают сыпучий материал, который заряжается положительным потенциалом за счет трения о вкладыш 4, выполненный из фторопласта. Одновременно через расйределительный патрубок 3 в камеру 1 подают газообразный агент, который приобретает отрицательный потенциал за счет трения о вкладыш 5, выполненный из оргстекла. В верхней части камеры 1 происходит электроосмотическое обезвоживание сыпучего материапа за счет разности потенциалов между час-. тицами сыпучего материала и газообразным агентом. Далее газовзвесь материала поступает на насадку 6,которую предварительно заряжают положительным или отрицательным потенциалом (в зависимости от вида сыпучего материала)так как насадка 6 выполнена из. диэлектрического материала, то этот потенциал постоянно возобновляется при работе установки за счет трения сыпучего материала о материал насадки 6, При этом за счет наличия выпуклостей 8, хаотически расположенных на поверхности 7 насадки Ь, по высоте камеры 1 образуется неоднородное электростатическое поле, при воздействии которого на сыпучий материал резко интенси фицируются процессы тепло- и массо- передачи. Все электрические явления возникают внутри камеры 1,не требуют специальных устройств для их создания и нейтрализуются заземлением выводного патрубка 9.Формула изобретенияСпособ сушки сыпучих материалов в сушильной камере путем их взаимодействия с потоком газообразного насадки 6 выступов в объеме К создается неоднородное электростатическоеполе, .которое приводит к интенсификации тепломассообмена. Подзарядканасадки 6 П происходит в ходе работыза счет трения газовэвеси СИ о поИзобретение относится к техникесушки и может быть использовано вгорной, химической, фармацевтической и других отраслях промышленности для электроосмотической сушки сыпучих материалов.Цель изобретения - интенсификациятепломассообмена.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу сушки сыпучих материалов в сушильной камерепутем их взаимодействия с потокомгазообразного агента с предварительной зарядкой материала положительным потенциалом, а газообразногоагента отрицательным потенциалом вкамере дополнительно создают неоднородное электростатическое поле.На фиг.1 изображено устройстводля реализации способа сушки сыпучихматериалов; на фиг, 2 - разрез А-Ана фиг,1,Устройство содержит камеру 1,распределительные патрубки 2 и 3 дляввода сыпучего материала и газообразного агента соответственно, снабженные внутренними вкладышами 4 и 5,выполненными из диэлектрического материала, например фторопласта и оргстекла соответственно, В камере 1размещена насадка 6, образующая яче- .истую структуру и снабженная на поверхности 7 хаотично расположеннымивыпуклостями 8. В нижней части камеры 1 размещен патрубок 9 для вывода газовзвеси высушенного материала,Насадка 6 выполнена, например, изфторопласта или иэ электретного материала, температура стеклования которого на 10-50 С выше температурыгазообразного агента, и выбираетсядля сушки каждого конкретного материала, исходя из требуемых технологических параметров процесса,г 10 1520 25 30 35 40 верхности насадки, Насадка 6 изготавливается из фторопласта или электретного материала, имеющего температуру стеклования на 10-50 С вышетемпературы газообразного агента.2 ил.1456728 4с я тем, что, с целью интенсификации телломассообмена, в камере дополнительно создают неоднородноеэлектростатическое поле. агента с предварительной зарядкой материала положительным потенциалом, а газообразного агента - отрицательным потенциалом о т.л и ч а ы щ и йФ5. оставитель С.Полянсехред Л.Олиинык Корректор В.Гирняк Ред И.Горная Заказ 754 ВНИИПИ Го Тираж 592 ственного комитета по и 113035, Москва, Ж, одписное и открытиям при ГКНТ СССРб., д. 4/5 бретени аушская Проектн эводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород,