Способ модификации поликарбонатной пленки

Номер патента: 638904

Опубликовано: 25.12.1978

Авторы: Рашидханов, Страхов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, пленок, свойств, тонких

...может быть покрыта проводящим слоем.На чертеже представлена структурная схема устройства.Устройство содержит диск 1 из слабомагнитного материала, маску-трафарет 2, испаритель 3, проводящее покрытие 4, кварцевую нить 5, кварцевую трубку б, магнитный подвес 7 и полюсные наконечники 8 и 9.Устройство работает следующим образом.В процессе обезгаживания прибора необходимо обезгазить испаритель с веществом, Это достигается прогревом испарителя при расположении кварцевой трубки в положении б, предотвращающем попадание молекулярного пучка на диск- подложку. Затем кварцевую трубку б перемещают в положение б и включением/магнита убеждаются в отсутствии крутящего момента диска без пленки в магнитном поле, Далее выключают магнит и включают...

Номер патента: 996962

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Мурзаев, Рашидханов, Страхов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, пленок, свойств, тонких

...работает следующим образом.В процессе обеэгаживания прибора, на внутреннюю поверхность которого йанесен проводящий слой 5 оО, обеэга живают испаритель с мелкими кристаллами исследуемого вещества (напри.мер СОТе) пропусканием тока силой 5-10 А через молибденовую спираль, намотанную на испаритель 11, иэготов ленный из кварцевой трубки в виде ампулы и впаянный в нижнюю часть стеклянного прибора. При этом кварцевую трубку-заслонку 10 выдвигают наклоном прибора,в положение 10 , предотвращающее попадание молекулярного пучка иэ ампулы испарителя 11 на диск-подложку 6. После обезгаживания при достижении необходимого вакуума, прибор отпаивают от вакуумной уста новки, кварцувую трубку-заслонку возвращают в исходное положение, исключающее...

Номер патента: 989397

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Палий, Рогачев

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионных, вакуумном, используемых, качестве, металлических, напылении, оценки, подложек, покрытий, полимеров, свойств

...результаты приведены в табл. 1.Иэ табл.1 видно,что при температуре пленки 50 фС адгеэиониая прочность соединений наиболее высокая. Этому режиму обработки соответствует и более высокий коэффициент конденсации. Краевой угол смачинания для такой обработки нельзя использовать н качестве критерия оценки ев качества: при всех режимах он практически не и. ечегся.Коэффициент конденсации, определен. ный прн толщине покрытия 0,5 и 10 нм, не зависит от режимов активационной обработки.П р и м е р 2. Проводят контроль качества обработки пленок полиэтилена перед нх механизацией свинцом, Обработку пленок осуществляют в тлеющем разряде при различных .режимах. Технологические режимы металлизацин и регистрации коэФфициента конденсации 10 такие же; как...

Номер патента: 360625

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гончаров, Пискл, Полул, Раздовский, Харьковский

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, магнитоупрур№, пленок, свойств, тонких, цилиндрических

...между напряжениями генераторов возникает фазовый сдвиг, Генераторы прои зтам за счет связи между ними работают на одной частоте.В контур генератора 1 включен участок образца пленки, Ток контура генератора, протекая по этому участку, создает малое пробное поле, направленное :по оси легкого намагничивания. Поэтому участок образца пленки представляет сабой инду 1 ктивное сопротив лениевеличина которого прямо прапорциональна дифференциальной ма 1 снитной,восприимчивасти вдоль оси легкого намагничивания испытуемого, участка пленки. Изменение диф- ференциальной магнитной восприимчивости пленки,вызывает изменение индуктивного сопротввления участка пленки, включенного в контур, т. е. изменение параметра контура 1. За счет связи между...

Номер патента: 602890

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Венгринович, Рудницкий

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитных, механических, пленок, поверхностных, свойств, слоев, тонких

...опирается стержневой постоянный магнит со сферическим концом, то где Г- усилие отрыва постоянного магнита от испытуемого .образцаО - расстояние от полюса магнита (точка 4) до поверхносити испцггуемого образцаЧмагнитный заряд, сосредоточенныйФ 20 в полюсе пстойнного магнита,1- наведенный магнитный заряд в точке 5 зеркапьного отражения исследуемого образца.Наведенный магнитный заряд с равен поверхностному интегралу намагнченности=/,и+/,ав3 82гдето,З - намагниченности материала, соот 301 Ф Хветственно в деформированной и педеформированной зонах,Ь и 5 "поверхности, ограничивающие,2соответственно, деформированную и недефор.,мированную эоны,Йамагниченность;1 определяется магнитной восприимчивостью Ф. Восприимчивость участка поверхности 2 с...