Козляковский

Номер патента: 1311016

Опубликовано: 15.05.1987

Авторы: Гаращенко, Козляковский, Мелентьев

МПК: H03K 19/20

Метки: асимметрией, инверторная, минимальной, схема

...высокий уровень наг- ряжения на коллектгре закрытого транистора 6 приводит к паявлениэ токабазовых елях г:анзисторов 26 и 10. .ранзистары 26 и 10 Открываются, иачинают пОс гекат., таки через резисторы О и 15 образующие базовый Ок тран .Истора 1., 0 ткрытый тран - "исгср 16 формирует на шине 3 низ- кЙ уров сН напряжения . . рянз истар 25 закрыт, так как закрыт транзистор 8 и атсутс еует замкнутая цепь для протекания базава О така транзиста- Г а 25. Слецсватегна, гри наличии на шинеНизкого у-.авня напряжения на шине 2 фсрм:руе гся высокийуравень напряжения, а не 1 и:е 3 - низкий уровень апряж ния, 1 ри изменении на пине 1-аряжения с низкого уровня на высо - кий диац 19 закрывается, в базу транзистора 23 гСступяет так От шины пи".ачия -...