Схема согласования уровней ттл-эсл

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 19) И 1) 301 3 К 19 09 51) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретение от пульсной техники. Мо но при создании И ней. Цель изобретен дежности, достигаемо ройство содержит тра 17 и 18, диоды Шот резисторы 3, 6, 8, 9 ния поставленной це. ны диод Шоттки 24 ры 25, 26 и 27. 2 ил ОВАНИЯ УРОВНЕ ели уровМ.: Радио С 4 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ, КОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫ(56) Мкртчан С, О. Преобразоватней логических элементов.и связь, 1982, с. 9, рис, 3.Международная заявка84/Окл. Н 03 К 19/092, 1984. осится к области имжет быть использова- С согаасования уровня - повышение напутем упрощения Устнзисторы 4, 5, 11, 16, тки 21 н 22, диод 2,и 10. Для достижеи в устройство введедиод 28, транзисто 130930145 50 55 Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании ИС согласования уровней.Целью изобретения является повышение надежности, достигаемое путем упрощения.На фиг, 1 представлена электрическая принципиальная схема согласования уровней ТТЛ-ЭСЛ; на фиг. 2 - таблица истинности входной схемы согласования.Устройство содержит первую входную шину 1, соединенную с катодом первого диода 2, анод которого соединен с первым выводом первого резистора 3 и базой первого транзистора 4, коллектор которого соединен с базой второго транзистора 5 и через второй резистор 6 - с вторым выводом первого резистора 3, с шиной 7 питания, первыми выводами третьего 8, четвертого 9 и пятого 10 резисторов и с коллекторами второго 5 и третьего 11 транзисторов, эмиттеры которых соединены соответственно с псрвой 2 и второй 13 выходнымипнам и сервымиыводами первогс 14 и второй 15 источников тока. Вторые выводы четвертого 9 и пятого 10 резисторов соединены соогветственно с коллектором и базой четвертого транзистора 16, эмиттер которого соединен с эмиттером цсрвого транзистора 4, база четвертого транзстори 6 соединена с базой и коллектор;м пятого транзистора 17, бзи коллектор шестого транзистора 18 соединены вместе, а эмиттер соединен с общей шиной 9 и с вгорыми выводами первого 14 и второго 15 источников тока. Вторая входная шина 20 соединена с катодом первого диода 111 оттки 21, анод которого соединен с анодами второго диода 111 оттки 22 и с общей шиной 19. Первая входная шина 1 соединена с катодами второго дио. да 111 оггки 22, первый вывод третьего источника 23 тока соединен с общей шиной 19. Кроме того, схема содержит третий диод Шоттки 24, седьмой 25, восьмой 26 и девятый 27 транзисторы и второй диод 28, катод которого соединен с второй входной шинй 20. а анод -- с вторым выводом третьего резистора 8, с базой седьмого транзистора 25 и с базой и коллектором восьмого транзистора 26, эмиттер которого соединен с базой четвертого транзистора 6 и с катодом третьего диода Шоттки 24, анод которого соединен с базой первого транзистора 4, коллектор седьмого транзистора 25 соединен с базой третьего транзистора 11, а эмиттер с вторым выводом третьего источника 23 тока и с эмиттером первого транзистора 4, эмиттср пятого транзистора 17 соединен с коллектором и базой девято го транзистора 27, эмиттер которого сое дицецколлектором шестого транзисто ра 18. 1 О 15 20 25 30 35 40 Устройство работает следующим образом.Транзистор 16 является опорным и подключен к источнику опорного напряжения (резистор 10, транзисторы 17, 27 и 18). При поступлении на обе шины 1 и 20 входного напряжения низкого уровня потенциал на базе транзистора 16 выше потенциалов на базах транзисторов 4 и 25. Ток источника 23 тока переключается в транзистор 16 и создает падение напряжения на резисторе 9. На шине 13 устанавливается выходное напряжение низкого уровня, а на шине 12 - выходное напряжение высокого уровня.Гри поступлении на шину 1 входного напряжения высокого уровня диод 2 закрывается, От шиныпитания через резистор 3, диод 11 оттки 24, транзисторы 17, 27 и 8 начинает ротекать ток в общую шину 19. За счет протекания этого тока потенциал на базе транзистора 4 становится выше уровня анодцого напряжения на величину падения напряжения на прямосмещенном диоде 1 Иоттки. Если на шину 20 по-прежнему поступает входное напряжение низкого уровня, то ток источника 23 тока переключается в транзистор 4 и создает падение напряжения ца резисторе 6, На шине 12 устанавливается выходное напряжение низкого уровня, а на шине 13 - выходное напряжение высокого уровня.При поступлении на шину 20 входного напряжения высокого уровня диод 28 закрывается. От шины 7 питания через резистор 8, транзистор 26 в диодцом включении, транзисторы 17, 27 ц 18 цачицает протекать ток в общую пину 19. За счет протекания этого тока потенциал на базе транзистора 25 становится вьпе уровня опорного напряжения на величину падения напряжения ца прямосмс ценном диоде 26. Если на шину 1 поступает входное напряжение низкого уровня, то ток источника 23 тока переключается в транзистор 25 и создает падение напряжения ца резисторе 9. На шине2 устанавливается выходное напряжение высокого уровня, а на шине 3выходное напряжсцис цизкого уровня. При поступлении на обе шины 1 и 20 входного напряжения высокого уровня диоды 2 и 28 закрыты. От шины 7 питания в общую шину 19 начинают протекать два тока: первый через резистор 3, диод Шоттки 24, транзисторы 17, 27 и 18, второй через рсзистор 8, диод 26, транзисторы 17, 27 и 18. За счет протекания этих токов потенциал на базе транзистора 25 выше потенциала ца базе транзистора 4.Путем подбора параметров диода 26 и диода Шоттки 24 эта разность выбирается достаточной для того, чтобы ток источника 23 тока полностью переключился в транзистор 25 и создал падение напряжения1309301 Формула изобретеная Составитель А. КабановРедактор Л. Лангазо Техред И. Верес Корректор Л. ПилипенкоЗаказ 1449/55 Тираж 902 ПодписноеВИИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 на резисторе 9. На шине 13 устанавливается выходное напряжение низкого уровня, а на шине 12 - выходное напряжение высокого уровня.Диоды Шоттки 22 и 21 являются антизвонными. Резистор 1 О служит для смещения транзисторов 27 и 18, выполняемых в диодном включении КБ - Э. Источники 14 и 15 тока служат для смещения переходов база - эмиттер транзисторов 5 и 17 соответственно, а также для перезаряда емкостей нагрузок. Схема согласования уровней ТТЛ-ЭСЛ, содержащая первую входную шину, соединенную с катодом первого диода, анод которого соединен с первым выводом первого резистора и базой первого транзистора, коллектор которого соединен с базой второго транзистора и через второй резистор - с вторым выводом первого резистора, с шиной питания, первыми выводами третьего, четвертого резисторов и с коллекторами второго и третьего транзисторов, эмиттеры которых соединены соответственно с первой и второй выходными шинами и с первыми выводами первого и второго источников тока, вторые выводы четвертого и пятого резисторов соединены соответственно с коллектором и базой четвертого транзистора, эмиттер которого соединен с эмиттером первого транзистора, база четвертого транзистора соединена с базой и коллектором пятого транзистора, база и коллектор шестого транзистора соединены вместе, а эмиттер соединен с общей шиной и с вторыми выводами первого и второго источников тока, вторая входная шина соединена с катодом первого диода Шоттки, анод которого соединен с анодом второго диода Шоттки и с общей шиной, первая входная шина соединена с катодом второго диода Шоттки, первый вывод третьего источника тока соединен с общей шиной, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, в нее введены третий диод Шоттки, седьмой, восьмой и девятый транзисторы и второй диод, катод которого соединен с второй входной шиной, а анод - с вторым выводом третьего резистора, с базой седьмого транзистора и с базой и коллектором восьмого транзистора, эмиттер ко торого соединен с базой четвертого транзистора и с катодом третьего диода Шоттки, анод которого соединен с базой первого транзистора, коллектор седьмого транзистора соединен с базой третьего транзистора и с вторым выводом четвертого резистора, а эмиттер - с вторым выводом третьего источника тока и с эмиттером первого транзистора, эмиттер пятого транзистора соединен с коллектором и базой девятого транзистора, эмиттер которого соединен с коллекторами шестого транзистора.