Многостабильный триггер

(19) 111) А 1 3 К 3/29 МИТЕТ СССРИЙ И ОТНРЬТИЙ ГОСУДАРСТНЕННЬЙ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТ ольэовано в устрой и устойчивыми сост ствах с неско яния ельности и изобретения - повы быстродействия. Ус д однотипных ячеек ение содержитЯчейка папервогоор 3 втод 10, реостижения иство мяти соде типа пров жит тран димости, проводим рого типа эисторы 5 поставлен 8, 13, ой цели тор 14 п еэисторь во введе транэи а провоод 11,димости1 ил. ПИСАНИЕ ИЗОБРЕ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Авторское свидетельство СССРУ 1152079, кл. Н 03 К 3/29, 1983.Авторское свидетельство СССРФ 1261083, кл. Н 03 К 3/29, 1984.1 1 309Изобретение относится к импульсной технике, а именно к устройствамс несколькими устойчивыми состояниями.Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия,На чертеже приведена принципиальная Электрическая схема многостабильного триггера,Многостабильный триггер состоитиз п однотипных ячеек памяти 1 -1каждая иэ которых содержит первыйтранзистор 2-2 первого типа проводимости, у которого эмиттер соединенс общей шиной, база и коллектор соединены соответственно с коллектороми базой второго транзистора 3, -3второго типа проводимости, коллектортранзистора 2 -2 соединен с соот 1ветствующим выходом 4 -4 триггера,и через первый резистор 5,-5 подключен к шине б питания, база транзистора 2-2 соединена через шестой резистор 7 -1 с общей шиной, а черезвторой резистор 8-8 подключена ксоответствующему установочному входу9,1-9 триггера и аноду дополнительного диода 10 -10, катоды диодов101-10 всех ячеек памяти соединенывместе и подключены к катоду общегодля всех ячеек памяти диода 11, анодкоторого соединен с входом 12 установки нулевого состояния, эмиттерытранзисторов 3 -3 всех ячеек соединиены вместе и через общий для всехячеек четвертый резистор 13 с шиной6 питания, змиттер третьего транзистора 14 - 14 первого типа проводимости соединен с общей шиной, его коллектор подключен к базе транзистора21-2 п, а база соединена через пятыйрезистор 151-15 с общей шиной и через третий резистор 1 бб подключе,на к катоду диода 10-10.Иногостабильный триггер работаетследующим образом. В исходном (нулевом)-. состоянии все транзисторы всех ячеек закрыты, на выходах 4-4высокие уровни на" пряжения, В этом состоянии устройство практически не потребляет энергии от источника питания.Если в исходном состоянии на один из установочных входов 9 -9 п поступает положительный импульс, то включается соответствующая ячейка памяти.Предположим что положительный импульс поступает на установочный вход 2 б 3 29, Возникает ток через резистор 8и открывается транзистор 2, уровеньнапряжения на выходной шине 4, уменьшается, что приводит к открываниютранзистора 3, Ток коллектора тран-.зистора 3 еще больше открывает транзистор 2 , и возникает лавинообразный1 фпроцесс переключения транзисторов 2и 3 который заканчивается насыщением транзисторов, После окончанияимпульса на входе 91 транзисторы 2и 3 остаются в насыщенном состояниии удерживаются в этом состоянии засчет тока через резистор 13 и эмиттер транзистора 3., Таким образомвключается ячейка памяти 1 и на выходе 4 устанавливается низкий уровень напряжения, на всех остальныхвыходах 4-4 сохраняется высокийуровень напряжения,Если в многостабильном триггеревключена одна из ячеек памяти, например первая, и на любой другой установочный вход, например последний,25поступает положительный импульс, тоположительный импульс поступает черездиод 9 и резисторы 1 б - 1 б на базытранзисторов 141-14, Последние открываются и входят в насыщение, чтоприводит к уменьшению ниже порогового уровня напряжений на базах транзисторов 2 -2 я, поэтому транзистор2 закрывается, а это приводит к выключению первой ячейки. Транзистор35 14 также открывается, но не входитв режим насыщения, потому что засчет входного импульса ток протекаетчерез резистор 8 и ток коллекторатранзистора 14 п больше, чем ток насьпцения Часть тока через резистор8 протекает через базу транзистора2 и открывает последний. Это приво,цит к уменьшению потенциала на выходе4 п и открыванию транзистора 3. Возникает лавинообразный процесс, который приводит к включению последнейячейки памяти. Таким образом, перваяячейка памяти вь 1 ключается, а последняя включается, следовательно, многостабильный триггер может переключаться в произвольном порядке,Если в многостабильном триггере включена одна из ячеек и на вход установки нуля поступает положительный импульс, то возникают токи через резисторы 8-8 , открываются и входят в насыщение все транзисторы 14-14. Включенная ячейка выключается, такизобретения формула Многостабильный триггер, содержащий и однотипных ячеек памяти, каж- дая из которых содержит первый транзистор первого типа проводимости,Составитель А.ЯновРедактор И,Николайчук Техред М.Ходанич Корректор Г.Решетник Заказ 1803/53 Тираж 902 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 130926 как на базе транзистора 2 этой ячейки напряжение уменьшается ниже порогового, а новая ячейка не включается, т.е, устройство переключается в исходное (нулевое) состояние.Повышение надежности работы много- стабильного триггера достигается за счет того, что включение и выключение ячеек памяти не зависит от степени насыщения транзисторов ячеек. 10 Повьцпение быстродействия достигается за счет того, что может быть снижена степень насыщения транзисторов ячеек памяти, и за счет того, что насыщенный дополнительный транзистор 14-14 шунтирует ток базы выключаемого транзистора 2 -2:, поэтому ток коллектора закрываемого транзистора 3 -3 не влияет на время выключения транзистора 2- 2. Значительная степень насыщения в дополнительных транзисторов 14-14 не снижает быстродействия устройства, так как во время действия входного импульса эти транзисторы практически без задержки выводятся из насыщения увеличением тока коллектора.о 3 4эмиттер которого соединен с общейшиной, база и коллектор соединенысоответственно с коллектором и базойвторого транзистора второго типа проводимости, коллектор первого транзистора соединен с соответствующим выходом триггера и через первый резистор подключен к шине питания, базапервого транзистора соединена черезвторой резистор с соответствующим установочным входом триггера, первыевыводы третьих резисторов всех ячеекпамяти соединены с катодом диода,анод которого соединен с входом установки нулевого состояния триггера,эмиттеры вторых транзисторов всехячеек через четвертый резистор подключены к шине питания, о т л и ч а -ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности работы и быстродействия, в каждую ячейку памяти введены дополнительный диод, два резистора и третий транзистор первого типапроводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - сбазой первого транзистора, а базасоединена через пятый резистор с общей шиной и подключена к второму выводу третьего резистора, база первоготранзистора через шестой резисторподключена к общей шине, аноды дополнительных диодов соединены с соответствующими установочными входамитриггера, а катоды подключены к катоду диода.