Растр
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 119) (11) 3 Р 5/О ВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ГОСУДАРСПО ДЕЛ 7. 4 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Щ/8 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Омский политехнический институт (72) Д.Х.Ганиев, С,П.Гуров и С.М.лабзин(56) Синяков Н.И. Технология изготовления фотомеханических печатных форм. М.: Книга, 1974, с. 44-45,Капустин А,П. Экспериментальные исследования жидких кристаллов, М,: Наука, 1978, с, 334-338.(57) Изобретение относится к полиграфии и позволяет обеспечить воэможность изменения линиатуры растра, Между стеклянными пластинами 1 и 2 размещен прозрачный диэлектрик 13,например лавсановая пленка. Углубленные канавки 3-8 заполнены жидкимкристаллом, контактирующим с провод"никами, соединенными с источникомпостоянного тока. Канавки пластины1 ориентированы перпендикулярно канавкам пластины 2, Для получениялиниатуры подают напряжение в определенные канавки пластин 1 и 2, вызывающее переориентацию молекул жидкого кристалла, в результате чегоон приобретает способность не пропускать свет, Изменение линиатурырастра производится изменением коэффициента преломления жидкого кристалла, заполняющего соответствуняциеканавки. 3 ил.Изобретение относится к полиграфии и предназначено для получения растровых фотоформ,Целью изобретения является обеспечение возможности изменения линиатуры растра.На фиг. 1 изображен растр, поперечный разрез, на фиг. 2 - принципиальная схема и три ячейки растра(вариант наименьшей линиатуры); на 10фиг, 3 - четыре варианта получаемойлиниатуры растра: а - вариант по"лучаемой линиатуры, уменьшенной вдва раза по сравнению с наибольшей;8 - вариант наибольшей линиатуры; 15- вариант наименьшей линиатуры спрямоугольной растровой ячейкой, 2вариант наибольшей линиатуры с прямоугольной растровой ячейкой,Растр содержит две стеклянные 20пластины 1 и 2 (фиг. 1 и 2), в которых выполнены углубленные параллельные канавки глубиной 10-25 мкм, заполненные жидким кристаллом 3-12,между стеклянными пластинами 1 и 2 2находится прозрачный диэлектрик 13(например тонкая лавсановая пленкатолщиной 10-15 мкм), причем стеклянные пластины 1 и 2 совмещены так,что канавки 3-7 пластины 1 расположатся. перпендикулярно канавкам 812 пластины 2, Жидкий кристалл,заполняющий углубленные параллельные линии, контактирует в концах линий с проводниками, например металлическими (медными, на фиг, 1-3 непоказано), нанесенными, например, методами фотолитографии, которые соединены с источником 14 постоянноготока посредством выключателей 15-21.40Для получения растровых фотаформрастр (пока все линии прозрачны) укрепляют в фотарепродукцианном аппарате и производят получение на немтребуемой линиатуры, например наименьшей. Для этого выключатель 15включает (выключатели 16-21 отключены), при этом пад напряжением окажется жидкий кристалл, заполняющийуглубленные параллельные линии 3 и507 (фиг. 2) одной стеклянной пластины и 8 и 12 другой стеклянной пластины. 1 од воздействием приложенного напряжения происходит переориентация молекул жидкого кристалла,при этом он приобретает способностьне пропускать свет, темнея, так какизменится показатель преломленияжидкого кристалла. Основнач частьпадающего света - 95 Х будет поглощаться, Обозначатся растровые ячейки с наименьшей линиатурой (фиг, 2).Для получения растровых фотоформ(например с наибольшей линиатурой)включают выключатели с 15 по 21,при этом поц воздействием напряженияокажется жидкий кристалл, залолняющий углубленные параллельные линии3-7 одной стеклянной пластины и 812 другой стеклянной пластины, приэтом он изменит показатель преломления, образуя растр наибольшей линиатуры,Затем оригинал проецируют черезобразовавшийся растр на фотоматериал, после химико-фотографическойобработки которого получается растровая фотафарма.Аналогично получают растровые фотоформы с другой требуемой линиатурой, при этом изменяют в используемом растре линиатуру путем изменения коэффициента преломления жидкого кристалла, заполняющего соответствующие углубленные линии, подключая их к источнику 14 постоянного тока.Формула изобретенияРастр, содержащий две стеклянныепластины с нанесенными на каждой прямолинейными параллельными канавками,причем пластины наложены одна надругую канавками внутрь так, что канавки одной из них перпендикулярныканавкам другой, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью обеспечениявазможности перестройки растра, между пластинами помещен прозрачныйдиэлектрик, а канавки заполнены жид-ким кристаллам,и соединены с источ-ником постоянного тока через выключатели,1269086 е Составитель Л.БезпрозванныйТехред И.Попович Корректор Т,Колб Редактор А.Нандор Заказ 6033/4 Произво енно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная 9 Тираж 436ВНИИПИ Государственного комитепо делам изобретений и откры 113035, Москва, Ж, Раушская наб ПодписноеСССРд. 4/5
СмотретьЗаявка
3872792, 26.03.1985
ОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ГАНИЕВ ДЖЕЙМАРС ХАМАТХАНОВИЧ, ГУРОВ СЕРГЕЙ ПЕТРОВИЧ, ЛАБЗИН СЕРГЕЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G03F 5/00
Метки: растр
Опубликовано: 07.11.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1269086-rastr.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Растр</a>
Предыдущий патент: Устройство для резки рентгеновской пленки
Следующий патент: Устройство для очистки промежуточного носителя изображения
Случайный патент: Способ получения меркаптометилфосфиновыхили -фосфоновых кислот