Устройство для нагрева керамических форм и заливки их металлом

Номер патента: 1376277

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Валдур, Лаугис, Лехтла, Роосимаа

МПК: H05B 6/36

Метки: бегущего, индукционный, листового, нагрева, нагреватель, поля, поперечного, трехфазный

...установленными па противоположной сторонерабочего зазора. Лве секции 1 второй группы имеют укороченную по сравненио с секциями 2 длину и размещены между указанными ярмами в зонахстыков секций первой группы. Их 40общая активная мощность составляет10 - 15% суммарной активной мощностисекций первой группы.Обмотки секций первой группы подключены к трехФазному источнику питания по схеме звезды (фиг.3) так, чтоотоки в них сдвинуты по Фазе на 60что уменьшает результирующие электро"динамические усилия на лист и снижает потери в магнитопроводах. Обмотки секций второй группы подключенык двум Фазам трехФазного источника.При этом схема подключения обеспечивает сдвиг токов в них по сравнению с токами секций первой группына 30Индукционный нагреватель...

Номер патента: 2004379

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Мешков, Рабинович, Тананин

МПК: B22D 27/02

Метки: бегущем, отливок, поле, электромагнитном

...питание на участках а-Ь; Ь-с; с-д; б-е,Перед заливкой металла литейную форму разогревают до температуры 523-573 К,Жидкий металл при температуре 923 - 973 К заливают в металлоприемник 4, Порция залитого в металлоприемник 4 строго соответствует необходимому объему отливки, то есть объему рабочей полости 6 и литниковой системы 5. Верхняя точка литниковой системы 6 должна быть выше уровня порции металла залитого в металлоприемник 4, то есть согласно фиг.1: Ь 1Ь 2, тогда жидкий металл будет удерживаться в металлоприемнике 4 до момента приложения к нему бегущего электромагнитного поля, Это простой и надежный способ накопления и удержания металла в металлоприемнике 4, не требующий дополнительных запорн ых устройств.После накопления...

Номер патента: 1203027

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Любимов

МПК: C03B 5/033

Метки: кварцевых, кварцеплавильная, печь, полых

...загрузки и выгрузки опускается в нижнее положение, на нее помещают теплоизоляционный круг 6. Затем на круг устанавливают графитовую подставку 7 с уплотнительным кольцом 11, после чего на подставку ставят графитовый тигель 13. Графитовый тигель заполняют кварцевой крупкой через отверстия 16 сверху. Крышку 4 поднимают в крайнее верхнее положение, при этом уплотнительное кольцо 11 герметиэирует нагревательную камеру 3, чем достигается стабилизация температурного Режима в ней, что позволяет проводить равномерный нагрев кварцевой крупки в тиглях разного диаметра и соответственно получать в одном устройстве блоки кварцевого стекла расширенного ассортимента. Одновременно с этим повышается качество кварцевого стекла,так как при равномерном...

Номер патента: 444596

Опубликовано: 30.09.1974

Авторы: Дубровин, Сницаренко, Щенев

МПК: B21J 1/06

Метки: заготовок, индукторе, нагрева

...в зависимости от требуемого техпроцесса повысить или понизить температуру нагрева заготовок 5 н выходе пз пндуктора, то магнитный перепуса тель 8 соответственно перемещают в паправ ляющих салазках 9 в сторону подающего ме ханизма 6, меняя при этом точку температурного предела потери магнитных свойств стальных заготовок и замедляя подачу заготовок в индуктор, или перемещают магнитный перепускатель 8 на большее расстояние от подающего механизма б в зону большего прогрева заготовок. Это ведет к меньшеп степени проскальзывания регулируемого подпружинснно. 4го фрикциона 7, повышению скорости перемещения заготовок в индукторе и понижению температуры заготовок на выходе из индуктора, например, до 900 С.5Предмет изобретенияУстройство...

Номер патента: 205372

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Август

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких

...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...