Способ предотвращения налипания материала на стенки емкости

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 12275 А 119) ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ И ЕПЬСТВ етельст б 53/1 Б ПРЕД ТЕ РИАЛ лючающ ектриче 3 4 ь(54) (57) 1. СПОСОНАЛИГАНИЯ МАКИ ЕМКОСТИ, вкна стенку емкости эл во СССР, 1978.ОТВРАЩЕНИЯ ОВ НА СТЕН ий воздействиескими зарядами от источника электрических зарядов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности предотвращения налипания и расширения области использования, заряды создают на внутренней поверхности стенки емкости путем импульсного изменения величины емкости конденсатора, одной из обкладок которого является указанная стенка,2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют плотность зарядов на поверхности стенки емкости, 1227574Изобретение относится к хранению и выгрузке сыпучих и жидких материалов и может быть использовано преимущественно для выгрузки порошкообразных и вязких жидких материалов из емкостей в химической, пищевой и др. отраслях промышленности.Цель изобретения - повышение эффективности предотвращения налипания и рас:цкрение области использования.На фиг. 1 схематично показано устройл во при зарядке конденсатора; на фиг. 2 - .о же, при разрядке конденсатора.Устройство, реализующее способ, состоит кз емкости со стенками 1 и 2 (являющимися одновременно и обкладками конденсатора), материала 3, обкладок 4 и 5 конденсаторов, диэлектрических покрытий (слоев) 6, 7, 8 и 9, источников 10 и 11 электрической энергии, коммутаторов 12 и 3.Сущность способа заключается в следующем.После включения источника 10 электрицеской энергии замыкается коммутатор 12 фцг. 1). Замыкание коммутатора 12 обеспечивает зарядку конденсатора, образованного обкладками 1 и 4 (обкладка 1 одновременно является стенкой емкости), от истоццкка 10 электрической энергии, в результате чего на внутренних поверхностях обкладок 1 и 4 распределяются заряды противоположных знаков, причем величина заряда, распределенного на каждой из обкладок, определяется из известного соотцоц ения)=с и,где с - емкость конденсатора;и . - напряжение источника О электрицеской энергии.11 а вцсшцкх поверхностях обкладок 1 и 4 заряды и поле практически отсутствуют (фкг. 2, т. е. заряды и поле на поверхности стсцкк 1 емкости, с которой соприкасается матерка, 3, практически отсутствуют.1)осле зарядки конденсатора коммутатор 2 размыкают и тем самым обрывают связь стенки 1 емкости (обкладки 1) с источникомО электрической энергии. Обкладку 4 с нанесенным на нее диэлектрическим покрытием 6 удаляют от стенки 1 с диэлектрическим покрытием 7 (фиг. 2). После удаления обкладки 4 первоначальная емкость с конденсатора значительно уменьшается и в результате этого примерно половина заряда д (но меньше - ) с поверхности стенки 1 емЧ2кости, соприкасающейся с диэлектрическим покрытием 7 (с внутренней поверхности обкладки 1), переходит на поверхность стенки 1 емкости, с которой соприкасается материал 3, и напряженность поля на поверхности стенкиемкости, соприкасающейся с материалом 3, резко возрастает. При этом материал 3 у стенки 1 заряжается зарядом того же знака, что и стенкаи в результате этого возникают кулоновские си 5 10 15 лы, отталкивающие материал 3 от стенки 1, т. е. возникают кулоновские силы, противодействуюгцие адгезии материала 3 со стенкойемкости. Затем возвращают обкладку 4 с диэлектрическим покрытием 6 в первоначальное положение.После возвращения обкладки 4 в первоначальное положение емкость конденсатора восстанавливается до первоначального максимального знацения с к конденсатор снова заряжается, в результате чего на поверхности обкладки 1 вновь распределяется зарядПосле зарядки конденсатора коммутатор 12 снова размыкают и вновь удаляют обкладку 4 от стенки 1 емкости и т. д. 20 25 30 35 40 45 50 55 Поверхностная плотность зарядов на поверхности стенкиемкости церкодицескивосстанавливается в результате увеличенияи уменьшения емкости конденсатора. образованного обкладками 1 и 4Величина кулоновсккх сил отталкиванияматериала от стенки емкости с увеличением поверхностной плотности зарядов цастенке емкости возрастает. Поэтому адгезионное взаимодействие материала со стенкой емкости можно регулировать путем изменения поверхностной плотности зарядовна стенке емкости. В свою очередь поверхностная плотность зарядов на стенке емкости зависит от напряжения источникаэлектрической энергии. Поверхностную плотность зарядов на стенке емкости можно регулировать путем изменения уровця напряжения источника 10 электрической энергии.Напряженность поля на поверхности стенки 1, соприкасающейся с материалом 3,может превышать пробивную прочность воздуха (30 кВ/см), цто позволяет воздействовать на материал у стенки емкости большими по значению кулоновскими силамиотталкивания по сравнению с прототипом.Причем при истечении из емкости сыпучего материала 3 в случае превышениянапряженности поля 30 кВ/см на поверхности стенки 1, соприкасающейся с материалом 3, заряд частицам сыпуцего материала 3будет сообщаться под действием дву известных механизмов зарядки - контактнойзарядки и конной зарядки (в результатеосаждения ца частицы ионов из объема газа между цастицами сыпучего материала).Емкость конденсатора можно уменьшатьтакже путем поступательного перемещенияобкладкк 4 в направлении, параллельном обкладке 1,Процесс противодейс. вкя адгезии жидкостей предлагаемым способом ацалогицецпроцессу цроткводейстьия адгсзик сыпучихматериалов.Пограничный слой жидкости, прилегаю.щий к стенкам емкости, несмотря ца ма.лый объем, играет весьма существеннуюроль в движеник жидкости, црицем влцяццк227574 Составитель М. Персова Техред И. Верес Корректор А. Обручар Тираж 833 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал Г 1 ПП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор М. ПетроваЗаказ 996/23 пограничного слоя на движение жидкости возрастает с увеличением вязкости. Поэтому предлагаемый способ преимущественно используют для противодействия адгезии вязких жидкостей со стенками емкости.