Разъемное соединение типа ласточкина хвоста

Номер патента: 586296

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Григорьев, Миронов, Сомов

МПК: F16L 13/08

Метки: детали, металической, соединение, стенкой, трубки, углом

...в меньшем основании для прохода трубки, прикрепленной к степке швом по периметру отверстия 2.Недостатком всех известных соединений является низкая стойкость соединения.1(елью изобретения является повьпнсние стойкости соединения.Эта цель достигается тем, что наружная поверхность трубки сопрязкена со стенкой конусной воронки и дополнительно прикреплена к ней, причем, по крайней мере, одна точка дополнительного крепления смещена относительно плоскости шва.На чертеже показано соединение трубки под углом со стенкой детали, в разрезе.Корпус 1 имеет боковые стенки 2 с коническим углублением 3 и отверстием 4 в меньшем основании конического углубления. Сквозь отверстис 4 проходит трубка 5 под заданным углом, причем наклон образующей конуса...

Номер патента: 22600

Опубликовано: 31.08.1931

Автор: Уэйт

МПК: E01D 19/00, E04B 1/38

Метки: балок, двутавровых, прямым, соединения, сходящихся, углом

...В патенте10119 описано устройство соединения под прямым углом двутавровых балок без помощи болтов или заклепок, состоящее в том, что стенка вертикальной балки целиком срезана на высоту поперечной балки, с целью образования сквозных прорезов для стенки - последней, В предложенном видоизменении изобретения, вместо цельных двутавровых балок, применены составные из плоских листов, заранее снабженных необходимыми вырезами и затем соединенных в двутавр сваркою при помощи прямоугольных или тра пецоидальных шпунтов в листах, служащих полками балок. В означенные шпунты вставляются продольные края листа, служащего стенкой двутавра.На чертеже фиг. 1 изображает вид стенки сверху; фиг. 2 и 3 - вид сверху двух полок в отдельности; фиг. 4 -...

Номер патента: 763707

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Зиняев

МПК: G01L 5/24

Метки: детали, коэффициента, податливости, резьбового, соединения

...тензо- ЗО метрические болты с устройствами для замера. силы.Определяют известными способами коэФфициент податливости 3системы болта, шайбы 4 и гайки, например, путем замера зависимости удлинения болта от действующей на него осевой растягивающей силы с последующим расчетом.устанавливают оттарированный болт 2 в участок корпусной детали 1 коэф Фициент податливости которого необходимо замерить, Для уменьшения влия-ния пластической деформации торца корпусной детали, соприкасающегося сторцом гайки, подкладывают под торецгайки смазанную тонкую шлифованнуюизготовленную из твердого материала шайбу 4. Наворачивают на болт оттарированную вместе с ним гайку 3 изатягивают ее предварительно на конт- щролируемую по величине счлу затяжкиЯЗ ....

Номер патента: 638272

Опубликовано: 15.12.1978

Автор: Андре

МПК: E04B 1/38

Метки: профилированных, расположенных, соединение, углом

...штырями 8, причем каждый штырь снабжен упругим элементом 9для создания распорпого усилия между опорнымп деталями,Опорные детали 4 и 5 выполнены в виде уголков 10 и 11, а каждый упругий элемент - в виде конической пружины 12, один конец которой взаимодействует с подвижным штырем, а другой - с ответвлением противоположной опорной детали.Каждый штырь имеет хвостовик 13 меньшего диаметра, чем штырь, и упорный фланец 14 для ограничения хода под действием пружины.Каждое ответвление одной детали имеет на свободном конце изгиб 15, а опорная деталь без штырей на каждом ответвлении снабжена опорным утолщением 16 и винтом 17, при этом профилированныс изделия 2 и 3 снабжены отверстиями 18.Процесс сборки соединения осуществляется следующим...

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.