Способ формирования эталонного электростатического изображения на диэлектрическом носителе

СОЮЗ СОВЕТСНИХиидсииииинпРЕСПУБЛИН 69 (И) 4(51) 6 03 Ь 13 02 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИщ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИЙ И ОТЯфЦТЮ и дитсдсисии сдиддтюъствт(54)(57) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭТАЛОН: - НОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ, включающий осаждение на его поверхностьэлектрических зарядов через металлический трафарет, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения метрологической точности и скорости формирования изображения, одновременно с зарядкой открытых участков носителя осуществляют зарядкуметаллического трафарета с постоянной времени эаряження в 2-3 разабольшей постоянной времени заряжения открытых участков диэлектрнческого носителя.Изобретение относится к электрографии, в частности к формированию эталонного электростатического изображения на нефоточувствительной поверхности для проверки 5 проявляющих составов (электрограФических проявителей ), устройств и методов проявления.Известен способ формирования . эталонного электростатического изоб О ражения на диэлектрическом носителе, включающий осаждение на его поверхность электрических зарядов через металлический траФарет Ц .Недостатками известного способа 15 являются низкие метрологическая точность и скорость Формирования изображения на диэлектрической поверхности.Цель изобретения - повышение мет О рологической точности и скорости ФОрмирования изображения на диэлектрической поверхности, которое может быть использовано для проверки и аттестации электрографических прояв ляющих составов, а также для проверки Функционирования электрофотограФических узлов и аппаратов.Нсставленная цель достигается тем, что согласно способу формирова- ЗО ния электростатического изображения на диэлектрическом носителе, одновременно с зарядкой открытых участков носителя осуществляют зарядку металлического трафарета с постоянной времени заряжения в 2-3 раза35 большей постоянной времени заряжения открытых участков диэлектрического носителя.На чертеже представлена схема40 устройства для реализации способа.На схеме обозначены диэлектрический слой 1 на проводящей подложке, генератор 2 ионов, например радиоактивный излучатель М -частиц, ме 45 таллический трафарет 3, управляюц 1 ий электрод 4, диэлектрическая йлвнка 5 с проводящим покрытием. Способ осуществляется следующимобразом.50Скрытое электростатическое изображение формируют на металлизированной лавсановой пленке 1, толщиной 20 мкм, Ироврдящее покрытие пленки заземляют, а на ее поверхность 55 накладывают металлический трафарет 3 из медной фольги толщиной 50 мкм, в которой протравлены параллельные штрихи с пространственной частотойот 1 до 8 мм , На расстоянии 20 ммот диэлектрического слоя устанавливают металлический управляющий электрод, представляющий собой металлическую сетку, на которую подано напряжение, величина которого точно равнатому напряжению, до которого необ-ходимо зарядить открытые участкидиэлектрического слоя, За сетчатымуправляющим эпектродом 4 располагаютгенератор ионов, выполненный в видепластинки, с радиоактивным изотопом плутония, испускающим Жлучи, которые ионизируют воздушныйпромежуток между управляющим электродом 4 и диэлектрическим слоем 1,гВ электрическом поле, созданном в результате приложения напряжения между проводящей подложкой диэлектрического слоя 1 и управляющим электродом 4, система металлический трафарет - диэлектрический слой начинаетзаряжаться. Ток в воздушном промежутке протекает до тех пор, пока напряженность поля в каждой точке этогопромежутка не станет равной нулю,т,е. до тех пор, пока металлическийтрафарет 3 и открытые участки диэлектрического слоя 1 на зарядятсядо потенциала управляющего электрода. Если бы металлический электродбып соединен сразу с управляющимэлектродом 4 (если бы напряжениена металлическом электроде возрастало много быстрее, чем на диэлектрическом слое), то заряжение диэлектрического слоя в прорезях трафаретапроисходило бы очень медленно,особенно в узких прорезях, Связаноэто с тем, что поле металлическоготрафарета, простирающееся вплотьдо управляющего электрода 4, препятствует направленному движениюзаряженных частиц к узким прорезямметаллического трафарета 3, под которым находятся заряжаемые участки диэлектрического слоя 1. Какизвестно, поле электростатическогоизображения высокой пространственнойчастоты существует лишь в непосредственной близости к поверхности, поэтому на узкие элементы изображения осаждаются лишь ионы, генерируемые в непосредственной близостиот поверхности заряженных участков диэлектрика, а количество ихтам очень чало,1137436 1счет того, что по его периметру была нанесена диэлектрическая пленка5 с внешним металлизированным покрытием, которое заземляли Толщина5пленки 10 мкм, а площадь ее равняласьполовине площади металлического трафарета,Проверку прямоугольности формызарядного рельефа производили сканирующим электрометром с диаметромсчитывающего. зонда 70 мкм. Ширинаперехода от заряженного участкак незаряженному не превышала 80 мкм,т,е, определялась апертурными свойствами измерительной зондовой системы, а не самим электростатическимизображением,Предложенный способ формированияэлектростатического изображения использован для метрологического контроля качества электрографическихпроявителей. Применение данногоспособа позволило значительно повысить достоверность контроля выпускад емых промышленностью составов дляэлектрографии, так как к методикампроверки гранулярности, цветности,температуры плавления и т.п, добавилась методика определения важного в30электрофотографии интегрального критерия - проявляющей и разрешающейспособности проявителя,. 3Если же металлический трафарет изолирован (и от земли и от управляю щего электрода) и заряжается ч процессе заряжения системы металлический трафарет - диэлектрический слой с той же скоростью, что и участки диэлектрического слоя в прорезях, то по мере приближения напряжения трафарета к напряжению управляющего электрода поле металлического трафарета начинает сильнее экранировать эаряжаемые участ. - ки диэлектрического слоя и рост заряда на,них замедляется. Во избежание этого необходимо замедлить скорость роста потенциала металли-, ческого трафарета по сравнению со скоростью роста потенциала диэлектрического слоя. Постоянная времени нарастания напряжения заряжения на открытых участках диэлектрического слоя должна быть по крайней мере в 2 раза больше, чем постоянная: времени заряжения металлического трафарета, но превышение более чем в 3 раза нецелесообразно, так как общее замедление процесса уже не окупается повышением контраста электростатического изображе ния на узких линиях. В данном случае замедление скорости роста по-тенциала трафарета достигнуто,за Составитель В,АксеновТехред,А.Бабинец Корректор О.Луговая Редактор М, Колб Заказ 10521/35 Тираж 448 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5