Способ электростатической записи изображения

(19) Б О (1) 3(59 0 03 0 1 0 ТЕНИ АНИЕ ИЭ ВИДЕТЕЛЬСТ ВТОРСКОМ(2 (2 (4 (7 тис довогоДружбы верситет лада,2. С,щ илектро пособ по п,1, ос я тем, чтостатический конмерением разносческих зарядови неэкспонирова тлич а аксимальный раст опреде и плотносте а экспониро ных участка(54) (5 ЗАПИСИ спонир ния на,мин ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ 1) 3328422/18-122) 20.07.816) 07.06.84. Бюл. Р 212) А.В,Кубилюс, В.М,Петри А.А,Тракимавичюс(71) Вильнюсский ордена ТрКрасного Знамени и орденанаРодов государственный уним В.Капсукаса) 1,СПОСОБ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЙИЗОБРАЖЕНИЯ, включающий эквание оптического изображеФотопроводниковый слой, зарядку слоя и проявление скрытогоиэображения, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения качества записи изображения путем повышения контраста, осуществляютравномерную зарядку слоя, а проявление осуществляют в момент достижения максимального электростатического контраста в процессе темнового30 Изобретение относится к областиэлектрофотографии, в частности кспособу формирования электростатического изображения на фотопроводниковом слоеИзвестен. способ электростатической записи изображения включающийэкспонирование оптического изображения на фотопроводниковый слой,зарядку слоя и проявление скрытогоиэображения ( 1 3.Недостатком способа являетсянизкое качество записи изображенияЦель изобретения - повышение качества записи изображения,Для достижения поставленной цели 15согласно способу электростатическойзаписи изображения, включающемуэкспонирование оптического изображения на Фотопроводниковый слой, зарядку слоя и проявление скрытого 20иэображения, осуществляют равномерную зарядку слоя, а проявление осуществляют в момент достижения максимального электростатическогоконтраста в процессе темнового спадаеМаксимальный электростатическийконтраст определяют измерением разности плотностей электрических зарядов на экспонированных и неэкспонированных участках слоя.На фиг.1 изображена кинетикаплотности поверхностных зарядов втемноте фотопроводникового слоя,,предварительно освещенного и выдержанного в темноте перед зарядкойв течение 1 мин (кривая Н и в те-.чение 1 ч (кривая 2; на фиг,2 - зависимость разности плотности поверхностных зарядов предварительно освещенных и выдержанных в темноте передзарядкой участков Фотопроводникового слоя от времени разрядки слоя втемноте.Сущность предлагаемого пособа заключается в том, что слой заряжаютравномерно, а разность плотностиповерхностных зарядов участков Фотопроводникового слоя, предварительНоосвещенных и выдержанных в темнотеперед зарядкой, зависит от времени 50разрядки слоя в темноте (фиг.11 .При этом разность плотности поверхностных зарядов сразу после зарядкиФотопроводникового слоя быстро увеличивается, достигает максимального 55, значения и после этого медленно падает до нулевого значения (фиг.2 .Кроме того, разность плотности понерхностных зарядов контролируют впроцессе Формирования скрытогоэлектростатического изображения спомощью измерителя распределенияпотенциала, Проявление скрытого электростатического изображения проводят обычным способом, применяя порошковый или жидкий проявитель. Подготовка фотопроводникового слоя кповторному использованию для записи иэображения осуществляется путемтермической обработки или воздействия на него инФракрасного излучения,П р и м е р . На слой селена спримесью Фосфора толщиной 50-60 мкмэкспонируют штриховое изображение ввидимой области спектра с экспозицией 100-150 лк с. После экспонирования в течение 1 мин слой в темноте заряжают равномерно коронным разрядом до 1400-1600 В. Измерителемраспределения потенциала измеряюткинетику поверхностного потенциалаи плотности зарядов в светлых и темных участках изображения, После 23 мин достигается максимальная разность плотности зарядов и в данныймомент скрытое электростатическоеизображение проявляют известным способом. При этом видимое иэображениеобладает максимальной контрастностью,Так как поверхностные заряди в освещенных участках Фотопроводникового слоя в момент проявления фактически отсутствуют, то фон проявленного изображения язляется минимальным. Для подготовки Фотопроводникового слоя к использованию для записи иэображения прогревают слой при40 С в течение 15 мин,Эффективность предлагаемого электрофотограФического способа записиизображения обусловливается тем,что разность плотности поверхностного заряда фотопроводникового слоя,заряженного равномерно после экспонирования оптического иэображения,меняется в процессе разрядки слоя втемноте. Это создает возможностьконтроля контрастности плотностиповерхностных зарядов скрытого изображения и проявления изображения с максимальной оптическойплотностью. Таким образом, использование предлагаемого способа эапцси изображения увеличивает качество проявленного изображения, записанного в условиях, удаленных от заряжающего и проявляющего оборудования.109 б 600 Ояпн, е 0 мие Составитель А.НосыреваТехред Т.дубинчак Корректор О,ТИгор ор Т.Кугрыше дписн аказ 3821/34 роектная, 4ужгород,ате иал юФю 8 Тираж 464 ИИПИ Государственного комите по делам изобретений и откр 35, Москва, Ж, Раушская н