Высоковольтное логическое устройство

060 А 9) (ИЭ СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК ЦП Н 03 К 19 И И ОТКРЫТИИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ОПИСАНИ К АВТОРСКОМУ ЕТЕЛЬСТВУ(2 (2 (4 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИ 1) 3450381/18-212) 07.06.826) 30.11.83. Бюл. Ю 44(54)(57) ВЫСОКОВОЛЬТНОЕ ЛОГИЧЕСКОЕУСТРОЙСТВО,: содержащее входной элемент И, фазорасщеплякщий транзистор первого типа проводимооти,коллектор которого через резисторсоединен с шиной низковольтногоисточника питания, а база - с выходом вкодного элемента И, и высоковольтный сложный инвертор на двухтранзисторах первого типа проводимости, база первого из которыхсоединена через развязывакщий диодс эмиттером фазорасщепляющего транзистора, о т л и ч а ю щ е ес фтем, что, с целью исключения потребления мощности от высоковольтного источника питания в состоянии низкого уровня выходного сигнала и увеличения быстродействия, в него дополнительно введены отражатель тока на двух транзисторах первого типа проводимости и двух диодах смещения, и транзистор второго типа . проводимости, причем коллектор фазорасщепляющего транзистора соединен с базой первого транзистора отражателя тока, эмиттер которого через первый и второй диоды смещения подключен к базе второго транзистора отражателя тока, эмиттер которого соединен собщей шиной и через резистор - с его базой, а коллектор Е подключен к базе первого транзис тора отражателя тока, коллектор которого соединен с базой транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине высоковольтного источника питания и че- В рез резистор соединен с его базой, коллектор соединен с базой второго транзистора высоковольтного инвертора.1058060 Ик) = Изб 1 + И + Икнъ 1,6 - 1,8 В,меньший отпирающего потенциала базы транзистора 6, равного Иу++ 2 П см "1,9 - 2,1 В.Транзистор б и последовательнос ним включенные транзисторы 11 и16 запираютсяНа выходе элементаФормируется низкий уровень выходного сигнала Икэн 15 0,2 - 0,6 В,Если наодин или несколько входов элемента Н 1 подать низкийуровень напряжения, то фазорасщепляющий транзистор 2 и последовательно с ним соединенные диод 13 ии- выходной транзистор 15 запираются.Ток, протекающий по резистору 3,при запертом транзисторе 2 поднимает потенциал базы транзистора бЬО до уровня И 67 ) И . +20 см иоткрывает его, транзистор б - всвою очередь, отпирает последовательноподключенные транзисторы 11 и 16,В установившемся режиме на базеЬ 5 транзистора б устанавливается поИзобретение относится к вычислительной и импульсной технике имикроэлектронике, в частности к интегральным схемам (ИС) для управления газоразрядными индикаторными панелями (ГИП) переменного ипостоянного тока.Известна ИС, содержащая входнойлогический элемент И, Фазорасщепляющий транзистор и сложный инвертор,позволяющая коммутировать высокоуровневые сигналы1(.Недостатками указанной ИС являются большой уровень потребляемоймощности и невозможность коммутирования напряжения выше 20-30 В.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является высоковольтное логическоеустройство, содержащее входнойлогический элемент И, фазорасщепляющий транзистор, запитываемые отнизковольтного источника питания,и высоковольтный выходной инвертор, позволяющий коммутироватьуровни напряжения до 100 В 23,Недостатком известного устройства является недостаточно высокбе быстродействие и потреблениемощности от высоковольтного источника питания в состоянии, когдана выходе элемента низкий уровеньвыходного напряжения, что приводит.к значительному снижению КПД источников питания, увеличению габаритов устройств управления.Цель изобретения - исключениепотребления мощности от высоковольтнОго источника питания в состоянии низкого уровня выходногосигнала и увеличение быстродействиявысоковольтного логического устройства,Для достижения поставленной целив высоковольтное логическое устройство, содержащее входной элементИ, фазорасщепляющий транзистор первого типа проводимости, коллекторкоторого через резистор соединенс шиной низковольтного источникапитания- а база - с выходом входного элемента И, и высоковольтныйсложный инвертор на двух транзисторах первого типа проводимости,база первого иэ которых соединеначерез раэвязывающий диод с эмиттером фазорасщепляющего транзисторадополнительно введены отражательтока на двух транзисторах первого тпа проводимости и двух диодах смещения, и транзистор второго типапроводимости, причем коллектор Фаэорасщепляющего транзистора соединен с базбй первого транзистора отражателя тока, эмиттер которого через первый и второй диоды смещенияподключен к базе второго транзистора отражателя тока, эмиттер которого соединен с общей шиной и черезрезистср - с его базой, коллекторподключен к базе первого транзистора отражателя тока, коллектор которого соединен с базой транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине высоковольтного источника питания и через резистор соединен с,его базой,коллектор соединен с базой первоготранзистора высоковольтного инвертора.На чертеже изображена электричес-.кая схема высоковольтного логического элемента.Высоковольтный логический эле-.мент содержит входной элемент И 1,фазорасщепляющий транзистор 2 с коллекторным резистором 3, запитываемые от низковольтного источника питания, отражатель 4 тока, построенный на транзисторах 5 и б первоготипа проводимости, резисторе 7,диодах 8 и 9 смещения и токозада-,ваемом резисторе 10, транзистор 11второго типа проводимости, и высоковольтный инвертор 12, запитываемый от высоковольтного источникапитания, включающий развязывающийдиод 13, резистор 14 и выходныетранзисторы 15 и 16 первого типапроводимостиЗО Устройство работает следующим образом.Когда на все входы элемента И 1подается высокий уровень напряжения, сткрываются и насыщаются фазо расщеплякщий транзистор 2 и выходной транзистор 15. Ток, протекающийпо резистору 3, перехватывается иэбазы транзистора б в коллектор транзистора 2, на котором устанавлива О ется уровень напряжения1058060 для включения верхнего выходноготранзистора 16, высоковольтного инвертора,12, отражателя 4 тока нтранзистора 11 второго типа проводимости позволяет, уменьшить габариты, потребляемую мощность, снизитьсебестоимость изготовления, расширить функциональные и логическиевоэможности на базе увеличения быстродействия и степени интеграции 10 .высоковольтных элементов средствотображения графической и цифровойинформации на ГИП переменного токаи постоянного. остаехред Квятковская,Редактот. Щж 936 9600/57 Тир ВНИИПИ .Государственного по делам изобретений 5; Москва, Ж, Райш Пода СССРий н к комити открыская н 4/5 303 пиал ППП фПате ул. Проектная,г, У тенЦиал Иб + 2 Исм + Иав и отражатель 4 тока обеспечивает в базу транзистора 11 стабилизированный ток, равный Изб /В 10, уровень которого выбирается из условий насыщения транзистора 11 и минимума потребляемой и рассеиваемой мощности от высоковольтного.источника питания Е, на выходе элемента формируется высокий уровень напряженияЕ - И уб 1 - Ивн) .Технико-э кономический эффект з аключается в том, что использование ль С. ПронинМигунова Корректор М. Шароши