Способ управления фокусным расстоянием акустической линзы

Номер патента: 1037063

Опубликовано: 23.08.1983

Автор: Вернер

МПК: G01B 11/00

Метки: изменения, интерферометрическое, расстояний

...(не показан) световозвращатепя 2, основными эпементами которого являются вогнутое эеркапо и линза, ( й - измеряемое расстояние мех- ду главными точками 3 и 4 пинэ о и 6).В таком устройстве источник 7 света, выпопненный в виде оптического квантового генератора, освещает оптоакустичеокую ячейку 8, которая пучок 8 света дифрагирует в оцредепенное чиспо дифракционных пучков, из которых пучок 10 О-го порядка предусмотрен дпя хода измеритепьных лучей, а пучок 11 1 го по рядка - дня хода пучей сравнения. Так , как пучок 0-го порядка обпадает наибоп шей допей энергии, то он спужит дпя освещения обпасти обьекта и имеет частоту колебаний Ч, генерируемую источником 7 света. Частота пучка 11 1-гопорядка модупируется посредством наводимой в...

Номер патента: 1040441

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Бакай, Болейко, Доний, Хруцкий

МПК: G01S 17/66

Метки: акустических, анализа, оптическое, сигналов

...толщины.Подаваемые через одно из окон акустические сигналы сб скоростью звука в жидкой среде передаются на мембрану с зеркальным покрытием, заставляя колебаться те участки ее, частота собственных колебаниЯ которых равна частоте колебаний акустического сигнала. При этом лучи, отражаясь от неровностей, возникших в мембране, дают на выходе интерференционную картину. Колебания мембраны происходят в зависимости от спектра частот подаваемого на нее акустического сигнала.Предлагаемая конструкция оптического устройства позволяет производить анализ спектра акустических сигналов с высокой точностью и в широком диапазоне частот, определяющимся толщиной мембраны, практически 10 Гц - 30 кГц. Оптическое устройство также может определять...

Номер патента: 1352345

Опубликовано: 15.11.1987

Автор: Анисимов

МПК: G01N 29/04

Метки: акустической, давления, источников, координат, сосудах, эмиссии

...однозначного определения координат В, Границы этих областей совпадают с границами об 2345 2ластей ВВ В .сотая группа электроакустических преобразователей 3,9, 12, 14 установлена. с таким же пе"рекрытием относительно третьей группы преобразователей 5, 7, 8, 6 (показана при совпадении преобразователей 7 и 1,.8 и 4), Области однозначного определения координат - В- заполняют оставшиеся места между областями В и В., В и ВСпособ осуществляется следующимобразом,Сигналы акустической эмиссии, воз 5 никающие в контролируемом сосуде давления из листовых материалов, распространяются от источника и принимаются, например, группой электроакустических преобразователей 1, 2, 3, 4,20 которых эти сигналы достигают в разные моменты времени. По мере...

Номер патента: 1325361

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Андрейченко, Сафаров, Собко, Тупиков

МПК: G01N 33/38

Метки: акустический, бетона, зонд, качества, ультразвукового

...выточкой, причем держатель 4 герметизирован в корпусе 1 посредством уплотнительного кольца 13.В корпусе 1 размещен рычаг 14 сверхним толкателем 15 и нижним ско 35сом 16, который взаимодействует свыточкой упора 12 и дополнительнофиксируется пружиной 17, Верхняя крышка 18 и нижняя крышка не показана)корпуса изолированы прокладкой 19.На наружных сторонах корпусов 1выполнены шлифованные уклоны 20,облегчающие извлечение зонда из твердеющего бетона, и установлены ограничители 21 погружения, Позицией 22указан кабельный разъем, Рукоятка 2крепится с корпусом 1 посредствомзажимов 23 с ручками 24.Акустический зонд работает следующим образом,Взяв зонд за рукоятку 2, в каждомкорпусе 1 нажимают на толкатель 15 ирычаг 14, который своим скосом...

Номер патента: 1619627

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Губа, Коржак, Крюков, Кучмий, Походенко

МПК: C01B 3/02

Метки: водорода, композиция, фотокаталитическая

...процесс, нанесения П:Ю нз фатаь зтзлизатор - Сб 5 (ТМФДП проводили при аптилзльных условиях, канцентрзция ПЭПК и время перемеаивани. как в прототипе),П р и л рл 2 и 3, Гетерогенный фаокатзлизатар - сул фид кадмия с нанесенным ТМФДП, покрытьй ПЭПК, готовят, как в примере 1, . таи лишь разницей, что варьируют конценграцио ТМФДП в ацето- нЕ, а именна: 5 10 и 5 10 моль/л. По- лучают сульфид кздллич с содержанием ТМФДП на ега поверхности саотве гственно 6,4 и 0,64 мгг, В примере 1 содержание ТМФДП на поверхности полупроводника составляла 12,8 мг на 1 г СОЯ,, П р и м е р ы 4 и 5. Гетерогенный фотокатализатар готовят, как в примере 3, с той лишь разниц".й, что варьируют. концентрацию полимера в бензоле 1 10 и 7 10 З моль/л.П р и м а р ,...