Способ приготовления реплик

Союз СоаетскихСоциалистическихРеслублик ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 о 898284 461) Дополнительное к авт. саид-ву 422) Заявлено 0802 ВО 421) 2880490/18-21 15) М, Кд,з 6 01 Я 1/28 с присоединением заявки Мо 423) Приоритет Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытийСпец твер ализированное констр тельной электроники прикладной физики АН торско-т опытным Молдавск 71) Заявитель(54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РЕПЛИК поворот реплики, что делает невозможным соотнесение заданного направления на объекте и его электронномикроскопическом изображении.Цель изобретения - повышение информативности исследования за счетполучения ориентированных относительно объекта реплик.Указанная цель достигается тем,что согласно способу приготовленияреплик путем вакуумного распыленияматериала реплики на плоскую поверхность объекта, расположенную под углом к направлению распыления,верхность объекта наносят линеметку, а распыление материалаки производят в направлении, пция которого на плоскость объепараллельна указанной метке.Направление теней на реплике, полученной таким способом, указываетзафиксированное линейной меткой направление. на пойнуюреплироеккта Например., для исследования объектов, представляющих собой пленки теллурида цинка переменной толщины (0,002-1 мкм) на германиевых пластинах размером 2-3 мм, на их поверхность наносится самооттененная угле- родная реплика (под углом оттенения Изобретение относится к технологии приготовления объектов для электронно-микроскопических исследованийИзвестны способы приготовленияобъектов для электронно-микроскопических исследований в виде обычныхреплик 1,Однако данные способы не позволяют при исследовании объектов выявитьопределенное направление на электронно-микроскопическом изображении. Такая задача возникает, например,приисследовании объектов с морфологическими поверхностными неоднородностями в определенных направленияхразмером менее 2-3 мм, пленках полупроводников и металлов переменнойтолщины, выявлении микронеодйородностей полупроводниковых кристаллови т.п.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ приготовления самооттененных углеродных реплик, заключающийся в том, что при приготовлении.реплик плоскость объекта располагаютпод .углом к направлению распространения материала реплики (углерода)в специальном вакуумном устройстве 2,Однако при дальнейших операциях срепликой происходит неконтролируемый оло гйче стсое.бюрооизводством институтаССР898284 Формула изобретения Составитель В. ГаврюшинТехред Ж.Кастелевич Корректор Г. Огар Редактор А. Гулько Тираж 882 ПодписноеВНИИПИ Государственногокомитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 11937/58,Филиал ППП. Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 45 ф) с помощью данного способа,Линейную метку наносят в направлениинаибОльшего изменения толщины пленок.Использование предлагаемого способв позволяет изучить процессы формирования полупроводниковых гетероструктур теллурид цинка - германий, изменение морфологических характеристик пленок в зависимости от их толцины, зародышеобразование, рост икоалесценцию кристаллических частицтеллурида цинка при ранних стадиях 10роста и при автоэпитаксиальном росте,Способ может быть использован приориентировании реплик и других объектов для электронной микроскопии .путем их оттенения, например биоло, гических, кристаллических н др, Сего помощью можно исследовать объекты по морфологическим неоднородностям на участках поверхности размеромменее 2-3 мм, и тем самым повыситьинформативность измерений. Способ приготовления реплик путем вакуумного распыления материала реплики на плоскую поверхность объекта, расположенную под углом к направлению распыления, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения информативности исследования, на поверхность объекта наносят линейную метку, а распыление материала реплики производят в направлении, проекция которого на плоскость объекта параллельна указанной метке. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРР 325537, кл . 6 01 Б 1/28, 1970.2. Шиммель Г. Методика электронной микроскопии. М., Мир, 1972,с. 117 (прототип).