Прибор для забора проб газа при определении его запыленности

Номер патента: 116310

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Гуменюк, Попов

МПК: H05B 6/26

Метки: вакууме, вакуумной, высоком, высокочастотной, индуктором, камеры, между, плавке, пробоев, стенками, устранения

...в зоне индуктора.На чертеже изображена схема осуществления описываемого способа.Как видно из схемы, тигель 1 находится в трубе 2 с глухим дном, переходящей в верхней части в перегородку, разделяющую камеру 3 на две части.Газы, выделяющиеся при нагреве шихты 4, откачиваются высоковакуумным насосом через патрубок 5. Газы из зоны индуктора 6 и керамического экрана 7 с подставкой 8 откачиваются через патрубок 9 дру. гим высоковакуумным насосом, Для обоих высоковакуумных насосов используется один механический насос предварительного разрежения.Труба 2 выполнена из проводящего материала с температурой плавления выше температуры плавления шихты; возможно применение трубы из графита, Кроме разделения вакуумной камеры на две части, тру. ба с...

Номер патента: 1330088

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Кадлец, Кононко, Мехисте, Покрасс, Уманский

МПК: C03B 25/00

Метки: ленты, отжига, охлаждением, после, стекла

...напряжений о,(у), регулятор 25 общего темпа ох,паждения. На фиг. 2 представлены графики: 26 - распределение остаточных плоскостных напряжений о," (у); 27 - о"У (у) - начальные термоупругие плоскостные напряжения;28 - 0,(у) - начальные суммарные плоскостные напряжения; 29 - толщинные остаточные напряжения о"о (с 1, у); 30 - о,"у (д у) - начальные толщинные термоупругие напряжения; 31 - оф допустимые величины суммарных напряжений; 32 -- о(у) начальные суммарные напряжения; 33 - Т(у) начальное распределение температур после устройства охлаждения, 34 - Р(у) начальное распределение давлений воздуха в зонах по ширине устройства охлаждения, 35 заданные суммарные плоскостные напряжения о(у); 36 - распределение температур (Т/у) после...

Номер патента: 1428719

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Бялик, Кононко, Покрасс, Уманский

МПК: C03B 25/00

Метки: ленты, отжига, охлаждением, после, стекла

...= - -( --- + Т ) + вт-в - -к . е 9 в т,+ т, к ) 3- + т,т, - в) - вт, 1 в) Далее после приведения подобных членов получаем А(Т, + Т + 2 тг) + С,(Т,а,+ а Тэ+ А(Т, + Тз+ 2 Т ) + Сй(а Т,+ а Т + А(Т + Тз+ 2 тг) + Св(аТ + азТэ+ 2 агТ) -Т,; йб, =б1(5 э = 2 а Тг) - Т,;2 а Т ) - Т . (1 1) Или после преобразований: 13 = Т, а+ Тга + тэа. аб = Т,а, + Тгагг+ Тэазз ,66;= Та, + Т,азг+ Т,азз в (12) где а = А + С,а, - 1; а.= А + Сга; а,= А+ Сга,; а,г= 2 А+ Саг; а,г= - 2 А + 2 Сгаг; азг = 2 А + Сзаг , аэ = А + С,аз, "гзА + Сгазв азз = А + С а,-1; а,= у - В; А = у - В;ю у В2 Вгг 2 ВВС = А = Е 3/62 ВТогда решение системы (12) получаем в виде Ь т(У) = Т(У вяк ) Т(У) ПТ =Т =Тз=П(15) где Р, П , Пз - миноры; 0 - определитель матрицы Определитель матрицы (3)3)...

Номер патента: 1404944

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Зацепин, Казявина, Кортов, Соболев, Тюков, Щеглова

МПК: G01N 33/38

Метки: ионообменной, механической, напряжений, после, приповерхностных, прочности, слоях, стекла

...ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 3097/48 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к областитехнологии стекла, а именно к способам контроля технических параметровстекол и стеклоизделий, и может применяться в промышленности строительных материалов, оптике и приборостроении.Цель изобретения - неразрушающийколичественный контроль.Способ осуществляют следующим образом.Поверхность стеклоизделия, подвергнутого ионообменной обработке,возбуждают пучком электронов с энергией 0,5-1,2 кэВ. Нагревают контролируемое стеклоизделие с постояннойскоростью до 100-130 С и в интервалеэтих температур,...

Номер патента: 2001629

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Закомырдин, Камруков, Кареев, Короп, Кузнецов, Овчинников, Теленков, Федоров, Шашковский, Яловик

МПК: A61L 2/10

Метки: воздуха, дезинфекции, жидкости, объектов, открытых, поверхностей, стерилизации

...механизмом нагрева и др. 45Обеззараживаемые объекты располагаются на таких расстояниях от источника излучения, при которых обеспечиваетсяукаэанный выше уровень плотности мощности Уф-излучения. Бактерицидный эффект 50достигается за один или несколько импульсов облучения в зависимости от суммарнойэнергетической дозы для различных микроорганизмов.Повышение эффективности бактерицидного действия Уф-излучения сплошногоспектра по сравнению с линейчатым обусловлено действием следующих факторов:при воздействии на биомолекулу фотонов с широким энергетическим спектром значительно увеличивается вероятность одновременного осуществления большогочисла резонансных взаимодействий излучения с входящими в ее (биомолекулу) составатомами,...