Контактное устройство для микро-cxem

Номер патента: 1626300

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Васильева, Гротт, Скачкова

МПК: H01R 23/70, H05K 1/18

Метки: контактирования, контактное, микросхем

...11 прижима б. Другие (наружные) концы 20 П-образных контактов 14 с отогнутым концом 21 расположены в пазах 22, которые выполнены на торцовых поверхностях нижней части 11 прижима 6 для обеспечения возможности перемещения концов 21 в продольном направлении. Пазы выполнены со скосом 23. Угол скоса авыбирается практически в пределах 20 а 40. В верхней части 10 прижима 6 выполнены прямоугольные отверстия 24 для перемещения в перпендикулярном (по отношении к плоскости продольного се 10152025 30354045 50 14 - часть 5 контакта 4. При контактировании исключается деформация выводов микросхемы.По окончании процесса измерения (проверки) осуществляется выгрузка микросхемы 9 из контактного устройства путем снятия прижима 6 с держателя 1, в результате...

Номер патента: 1684754

Опубликовано: 15.10.1991

Автор: Воронов

МПК: G01R 31/04, G01R 31/28

Метки: контактирования, микросхем

...суммарный информативный параметр результа та контроля И-с толбцл (дьиг, 2 э, и, к), который сравнивается на компараторах 7.1-7.Л с эталонным значением, результат сравнения с последних поступает на входы блока 4 обработки и управления ЭВМ, где они преобразуются в М+ 1 информационных И-раэряд 35 ных слов, полученный массив информации анализируют и по результатам анализа судят о дефектных позициях в контактирукв 1 ем приспоссблении. Формула изобретенияСпособ контроля контактирования микросхем, в соответствии с котарым подают входные воздействия на клеммы для подключения объекта контроля, снимают выходные реакции, сравнивают полученный информативньи параметр с эталонным, преобразуют результат контроля в И-разрядное слово, анализируют...

Номер патента: 2005308

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Катеринич, Курин, Онопко, Оспищев, Попов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: испытаний, микросхем, моп-интегральных, пластине, ускоренных

...достижения сходного эффекта за счет отказа от установления связи коэффициента жесткости с плотностью ПС и сроком службы по току в подложку ИМС в патентной и научно-технической литературе не найдено. Сущность изобретения заключается в том, что ускоренные испытания на надежность МОП ИМС проводятся до разрезания пластины на кристалль 1 на основе установленной для данного типономинала изделия зависимости между вероятностью отказа при воздействии ИИ от уровня дозы ИИ в операции обучение - низкотемпературный отжиг, Контроль стандартных параметров МОП ИМС проводится до и после операции облучение-отжиг в режимах и условиях, указанных в ТУ для испытаний на надежность,Такой способ ускоренных испытаний обеспечивает сокращение длительности испытаний...

Номер патента: 450852

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Величко, Носиков

МПК: C22D 3/02

Метки: алюминиевых, зажим, контактирования, токоведущих, электролизеров, элементов

...качества зажима и облег;.чить его обслуживание. 25 Для снижения контактных напряжений, а, следовательно, и уменьшения износа трушихся деталей и для сохранения стабильности во времени силы прижатия рычага к токоподводу контактирование эксцентрика с прижимным рычагол 1 при его рабо тем положенин осушествляется через промежутоичный вкладыш 8, расположенныи в цилиндрическом гнезде 9 прижил 1 ного рычага 1. Поверхность промежуточног о вкладыша, контактируемая с эксцентриковым зажимом, выполнена по радиусу, равному радиусу эксцентрика. 11 ри повороге эксцентрика вкладыш может поворачив гься в гнезде рычага, чем достигается постоянное соприкосновение поверхнос ги эксцентрика с контактирующей поверхностью вкладыша.Для предотвращения выпадания...

Номер патента: 944486

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Белявский, Епифанов, Завало, Кононов, Ступень, Филиппович, Ярош

МПК: H05K 1/18

Метки: зондового, интегральных, микросхем, пластине

...положение и на шаг, для каждой микросхемы определяют расстояние между контактными площадками и зонда ми, перемещают пластину на это расстояние и останавливают, затем пере мещают ее в положение контроля.1 электрических параметров микросхемы 1 пластина опускается в исходное положение на величину г : Ее =Л +д 2 + 21 1 Н1 0 й (фиг, 1) и перемещается на один шаг (фиг. 4).В это время для микросхемы 2, контроль которой будет осуществлять" ся второй, с помощью датчика 5 положения определяется величина разновысотности по отношецию к микросхеме 1 аХ . После этого пластина поднимается до соприкосновения зондов с контактными площадками микросхемы 2 на Величину 2 -дя =1,Фд" 17 ц остаС навливает св (фи. 5 1.20 3 94448Дальнейший подъем пластины...