Расплав для электролитическоговольфрамирования
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 827611
Авторы: Делимарский, Зайцева, Перекупко, Сарнавский, Святненко, Таранишина, Туманова
Текст
Е 82761 Сосо Советских Соееиелистическнх Республик(ч)цыблич)вдц) )7.05).81. В)ллстсц), Л (4;,1 ятя с)п с),)иовд)П 5 с)писяии 5 0(.0 О.81 но деяем не 8) УЛК 621.357Иистит и неорганической хи микраииской ССР щеиН)55)5)ви)с(и) СПЛАВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКО ВОЛ Ьф РА)Ч И РОВАН ИЯ(5 ли ще 3 - 97 ИСПОЛЬЗОтуре 140 -зцодцы,5,0 А(дм.основойзсм, аг)Ороводцостьч олиза ведут спри темперакатодцы;)ает э зетропцость арбам и Процесс электр вацием Л -анодов,80 С, в ицтервалслотцостей тока Р Карбамид явля в расплава и комплс рцд аммония повьц расплава и стябилповсрх- ользовавд. Г 1 ро 160 С цтокацз вольЕииу по)ждеция табчвлияци Изобрстсцис относится к элсктролеЕТП- ческому осаждению мсталличссИ.х покры. тий, и в частцости к осаждсцию вольфрамо. вых покрытий из расплава солей.Известен расплав для элсктролитичсского осаждения вольфрамовы: покрытий, содержащийлорцд и вольфрамят щелоч)кзсмельцого металла, например кальция (1.Наиболее близким к изобрстеци)о являстся расплав, содсржд)ций хорид и во(5 ь. фрамат Ецслочцого мстя.)ла, а тд)кс мстдфосфат и пирофосфат шслочцого металла 21.Недосте)1 ое известцык расплавов вольфрамировация является высокая температура осаждеиия, что мо)кст привести Ес чкчд- исеиО структуры под(ЕО)и и тем самы ОрапиЕепаст Есо(ЕИ)сство мстя,),)ов, ця которые можно цацс)сить покрытие. Цс(Е )о изобретсци 5 является сиижсцс температуры процесса (до 140 - 180 С), что умсцыцаст вероятность царуисция структуры подложки и сокращает цспрс)изводитсг)Е,. цый рас.од элсктроэцсргци цд )юдо рс электролита.(казациа 5 цель достигался за счет того, )О расцЛЯВ, содсрждцЕИй ВОЛЬфраг)ЯТ ПЕЕ. лочцого или шелочио-земсльцого металла и ,лорид дммоция, дополцитслы)О содержит 2карбамид прц следующем соотцошсции компоцецтов, все. ": Вольфрамат щелочногоочцо-зсмельцого металла Хлорид аммония Кдроамид Пример. Покрытия наносили ца);Ость цицковых пластинок прц ис иии электролитов разлцчцого соста цссс ол шествляли при температуре катодцои и аиодцой плотцостя2,5 А,д 52. Ацодом служит стсржець фрама. При этом определяли тол крытия, его яЕсствс) и скорость ос Получсццыс даццыс приведсцы и В табл. 2 и 3 приведены даццыс цо г)лотцости тока и температуры ця зо по рытий и скорость Осяждеция.Кс)К СЛЕдуст ИИ ТябЛИ(Ы 2, 03(ГИМ,)Л),ИЫ МИ ЯПЯсСИНЯМИ ИЛО ПОСТЕ 3 ТОКИ 51 НЛИОТС)3 ) ) Г) ) ),ТМ 2 5 с)(И; ПРЕДО,(38 И) ) ЧЯОГ,5 Сотапи)ел), Л. Казакова с;(и л И, 3 аболотионаЛдКГрБрасс(33)спад 1 о" с" Р С)синова Заед30 ИГ Иал с,го Ос 88 1 и р с се2 131 И И Государств иного к ми гстд СГГР по Лслам изоорстсиий и О) ерь)т) 13035, Москва, )К. Рдуп)с)са)( 3(дб., л 4,5)ольфрде)д г (.ис,1 С 05 3 ЯЧЕСТ)СИНЬЕ тЕ,КОК) ИС тЯЛЛ ИЧЕСКИС ПОКРЫтип с коропе Ядге:)ие.
СмотретьЗаявка
2765966, 17.05.1979
ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ И НЕОРГАНИЧЕСКОЙХИМИИ AH УКРАИНСКОЙ CCP
ДЕЛИМАРСКИЙ ЮРИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ, ТУМАНОВА НЕЛЛИ ХАЧАТУРОВНА, САРНАВСКИЙ НИКОЛАЙ МИХАЙЛОВИЧ, ТАРАНИШИНА КЛАВДИЯ МИХАЙЛОВНА, ЗАЙЦЕВА ЛАРИСА ЯКОВЛЕВНА, СВЯТНЕНКО ТАТЬЯНА ВАСИЛЬЕВНА, ПЕРЕКУПКО ВАДИМ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C25D 3/66
Метки: расплав, электролитическоговольфрамирования
Опубликовано: 07.05.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-827611-rasplav-dlya-ehlektroliticheskogovolframirovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Расплав для электролитическоговольфрамирования</a>
Предыдущий патент: Способ электроосаждения металловгруппы платины
Следующий патент: Способ декоративного никелирования
Случайный патент: Устройство для модифицирования чугуна