Устройство для моделирования температурныхрежимов гибридных микросхем
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 819812
Автор: Попов
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 Ц 819812 Союз СоветскнхСоцналнстичесннх Реслублннао делан иаееретеиий и атхрнтий(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНЫХ РЕЖИМОВ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМИзобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано дляопределения температурных режимов элементов гибридных микросхем.Известно устройство для определениятемператур элементов микросхем, испбльзующее методы физического моделирования 11.Недостатком этого устройства являетсянизкая точность.Наиболее близким к изобретению является устройство, содержащее чувствительный и нагревательный элементы, выполненные в виде транзистора и резистора 2) .К недостатку этого устройства следуеттакже отнести низкую точность,Целью изобретения является повышениеточности моделирования температурных режимов гибридных микросхем. 15Это достигается тем, что в устройстве,содержащем герметичный корпус с выводами и транзисторы, базы транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, коллекторы транзисторов подключены к одному извыводов корпуса, эмиттер каждого транзис- фтора соединен с соответствующим выводомкорпуса.На фиг. 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 - коммутационная подложка, установленная в корпусе (крышка корпусаусловно снята),Устройство содержит бескорпусные транзисторы 1, которые являются одновременноисточником тепла и датчиком их температуры и включены по схеме с общей базой.Коллекторы 2 транзисторов объединены водну точку и выведены на вывод 3 для подключения источника питания, базы 4 транзисторов тоже объединены и через вывод 5выведены на землю. Эмиттеры 6 каждоготранзистора подключены к отдельным выводам корпуса 7, обеспечивая тем самым возможность устанавливать режим разогреваи измерения температуры каждого транзистора отдельно.Вся коммутация производится, пленочными проводниками, нанесенными на коммутирующую подложку 8, которая установленав корпус микросхемы.Моделирование теплового режима исследуемых гибридных микросхем производитсяустановкой транзисторов в точки тепловыделения и пропусканием через них разогревающего тока, а их температура определяетсяпо изменению теплозависимого параметра Чм,819812 Фиг.Г Составитель И. ЗагорбининаТехред А. Бойкас Корректор Г. РешетникТираж 745 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Редактор А. БерЗаказ 1332/28 Количество транзисторов на подложке равно количеству тепловыделяющих источников и может меняться в зависимости от исследуемой схемы. Измерение температуры может производиться в условиях герметично закрытого корпуса микросхемы.Принципиальная электрическая схема устройства предусматривает подключение к эмиттеру каждого транзистора отдельного генератора разогревающего тока и не зависит от электрической схемы моделируемого устройства.Изобретение значительно повышает точность моделирования, так как моделируется тепловой режим внутри герметичного кори са. УФормула изобретенияУстройство для моделирования температурных режимов гибридных микросхем, содержащее герметичный корпус с выводами и транзисторы, отличающееся тем, что, с целью повышения точности устройства, в нем базы транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, коллекторы транзисторов подключены к одному из выводов корпуса эмиттер каждого транзистора соединен с соответствующим выводом корпуса. Источники информации,1 Опринятые во внимание при экспертизе1. бцп 11 ож Ч. Т. ТЬегп 1 а дез 1 дп апс 1рас 1 сарпд о 1 ЬуЬгЫ 1 п 1 едга 1 ед с 1 гсцйзЕ 1 ес 1 гоп 1 с Со 1 пропеп 15 1969,9, р. 1046. 2. Авторское свидетельство СССР432541, кл, б 06 б 7/56, 1974 (прототип).
СмотретьЗаявка
2328990, 01.03.1976
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7162
ПОПОВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G06G 7/56
Метки: гибридных, микросхем, моделирования, температурныхрежимов
Опубликовано: 07.04.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-819812-ustrojjstvo-dlya-modelirovaniya-temperaturnykhrezhimov-gibridnykh-mikroskhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для моделирования температурныхрежимов гибридных микросхем</a>
Предыдущий патент: Устройство для автоматического управленияштабелером
Следующий патент: Автомат для розлива горячих напитков
Случайный патент: Тензометрическое устройство