Способ определения деформации посредством электронно лучевой трубки

Номер патента: 1352445

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Тырроф, Шмидт

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: ионно-лучевых, маски, проекционных, свободной, систем, электронно-и

...литографии.Если требуется получить рисунок с более высоким разрешением, то при формировании вспомогательной маски из двуокиси крем. ния используется ионолитография, а в качестве ионорезиста - молибден.Пример 2, На подложку, например из кремния или алюминия, осаждается первый слой никеля толщиной примерно 5 мк, а затем при помощи шаблона типа ядерного фильтра литографически формируют контакт. ную маску, рисунок которой путем травления ионным лучом напряжением 1 кВ и плотностью тока 1 мА/смпереносится в никелевый слой. При этом плотность тока и напряжение должны выбираться таким образом, чтобы исключить усадку или разложение контактной маски и обеспечить соотношение скоростей травления никеля и маски 1. В данном случае достигается" 54...

Номер патента: 1109946

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Бычков, Зыков, Тимофеев

МПК: H04N 5/34

Метки: записи, луча, лучевой, регулировки, трубки, электронно

...видеосигнала превышает опорное напряжение, то на выходе блока 2 формируется уровень логической единицы, в противном случае, формируется уровень логического нуля, Бинарноквантованный сигнал с выхода блока 2 поступает на один вход элемента И 3, на другой вход которого с второго выхода синхронизатора 8 подается строб для временной селекции бинарно-квантованного эталонного сигнала. С выхода элемента И 3 бинарно-квантованный эталонный сигнал поступает на вход первого триггера 4, на установочный вход которого подается короткий иьеульс с третьего выхода синхронизатора 8, совпадающий с передним фронтом строба эталонного сигнала. Сигнал оценки с выхода первого триггера 4 поступает на управляющий вход реверсивного счетчика 6, на счетный вход...

Номер патента: 1426339

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Андриевич, Гейзлер, Зубков, Мартынова, Шумик

МПК: H01J 31/20

Метки: массового, пользования, телевизионных, трехцветная, трубка, экранов, электронно-лучевая

1. ТРЕХЦВЕТНАЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА ДЛЯ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ ЭКРАНОВ МАССОВОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ, включающая оболочку и трехлучевую планарную электронно-оптическую систему, содержащую катоды, модулятор, фокусирующую систему и анод, а также цветоделительную диафрагму и экран с люминофорными полосами, отличающаяся тем, что, с целью повышения яркости свечения триады и контрастности изображения в условиях повышенной освещенности при уменьшении потребляемой мощности, габаритов и массы трубки, а также унификации конструкции электронно-оптической системы для электронно-лучевых трубок с различными размерами диагонали экрана, фокусирующая система выполнена из двух частей, первая из которых, выполняющая функцию расфокусировки, состоит из набора электродов с...

Номер патента: 1774273

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Абросимов

МПК: G01R 13/30

Метки: визира, координат, разверткой, растровой, съема, трубки, формирования, экрана, электронно-лучевой, электронного

...сигна 20 ла (масштабированное значение Х) и действительным значением величины Х.С технической точки зрения операция(1) обратного масштабирования означаетиспользование блока возведения в произ 25 вольную степень основания, значение которого равно десяти.На примере 1 проиллюстрировано использование операции обратного масштабирования в широко известном случае.30 П р и м е р 2, Более сложным случаемявляется организация снятия отсчетов с отображаемых на экране ЭЛТ с растровой разверткой графиков надежности, особенностикоторых описаны выше,35 Указанная сложность состоит в том, чтозначения функции надежности У, лежащиев пределах 0,9-0,999999, после выполнениянад ними операций логарифмирования(масштабирования). снова имеют многопо 40...

Номер патента: 273840

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Рахметулов, Стучинский

МПК: H01J 31/26

Метки: медленных, передающая, пучком, разверткой, телевизионная, трубка, электронов

...основного не- проводящего высокопористого слоя, осуществляемым путем,пыления основного материала (КС 1, Сз 1 и,прочие) в той же газовой атмосфере. Тонкие пленки таких сурьмяно-щелочных соединений на поверхности зерен основного высокопаристого,непроходящего слоя могут быть получены при обработке в парах щелочных металлов пленок сурьмы, напыленных ,в вакууме на,зерна заранее сформированного основного слоя, Процессы напыления мате,риала основного слоя и фотоэмиссионного материала могут многократно чередоваться с целью получения прослоек из зерен фоточувствительного материала внутри ооновного высокопористого непроводящего слоя.Принцип действия предложенной трубки ,предусматривает зарядку поверхности мишсни до отрицательного потенциала...