Транзисторный усилитель переменноготока

ОП ИСАН И Е 111)ЗИ 490ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(45) Дата опубликовани СССР по делам изобретений и открытий(54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЪ ПЕРЕМЕННОГО ТОК орах, (ОБ), 5 льноНедостаткомменного токабильность.Целью изобтермостабильн известного усилителя пере вляется низкая термоста ляется повышение30 тенияти. 1Изобретение относится к радиотехнике, вчастности к транзисторным усилителям переменного тока,Известны усилители на транзиствключенных по схеме с общей базойхарактеризующиеся высокой стабистью (1.Недостатком таких усилителей являетсяотсутствие усиления по току.Известны усилители на транзисторах, 10включенных по схеме с общим эмиттером(ОЭ), характеризующиеся высоким коэффициентом усиления, но низкой стабильностью 2, 3, 4.Наиболее близким к данному техническому решению является транзисторныйусилитель по схеме с ОЭ с отрицательнойобратной связью по току, также содержащий р-и-р транзистор, подключенный коллектором через резистор к отрицательному 20полюсу источника питания, а базой черезконденсатор - к шине входного сигналаи через резистор - к положительному полюсу источника питания 15,Поставленная цель достигается тем, что в транзисторном усилителе переменного тока параллельно базо-эмиттерному переходу транзистора подсоединена цепь из последовательно соединенных резистора и дополнительного источника постоянного напряжения с полярностью, обеспечивающей отпирание этого перехода.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема транзисторного усилителя переменного тока, выполненного согласно данному изобретению.Усилитель содержит р-и-р транзистор 1, параллельно переходу база-эмиттер которого подключена цепь из последовательно соединенных резистора 2, источника 3 постоянного отпирающего напряжения и резистора 4; база транзистора 1 подключена через резистор 5 к положительному полюсу источника 6 питания, отрицательный полюс которого через нагрузочный резистор 7 соединен с коллектором транзистора 1, к базе транзистора 1 через конденсатор 8 подключена шина входного сигнала, в эмиттерной цепи транзистора 1 включен конденсатор 9, Такое соединение элементов, обеспечивая включение транзистора к схеме ОБ для постоянного тока, позволяет входному сигналу переменного тока проходить через переход база-эмиттер транзи811490 Формула изобретения Составитель И, ГореловаРедактор Т. Авдейчик Теред И Пенчко Корректор Р. Берк аказ 504/17 Изд.239 Тираж007 НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изо 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5пографпя, пр. Сапунова, 2 стора. Резистор 5 затрудняет прохождение выходного сигнала по цепи смещения перехода база-коллектор, а так как выбором конденсатора 9 обеспечивается прохождение входного сигнала через переход 5 база-эмиттер, то усилитель обладает свойством схемы ОЭ по переменному току. При этом резистор 5 является элементом отрицательной обратной связи по току параллельного типа, 10Усилитель, выполненный по предложенной схеме, обладает высоким коэффициентом усиления, соответствующим схеме ОЭ, и высокой температурной стабильностью, соответствующей схеме ОБ, т. е. сочетает 15 преимущества и схемы ОЭ и схемы ОБ. Транзисторный усилитель переменного 20 тока, содержащий р-п-р транзистор, подключенный коллектором через резистор к отрицательному полюсу источника питания, эмиттером через конденсатор - к положительному полюсу источника питания, а 25 базой через конденсатор - к шине входного сигнала и через резистор - к положительному полюсу источника питания,отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности, параллельно базо-эмиттерному переходу транзистора подсоединена цепь из последовательно соединенных резистора и дополнительного источника постоянного напряжения с полярностью, обеспечивающей отпирание этого перехода.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Радиотехнические схемы на транзи сторах и туннельных диодах (теория и рас. чет) под ред. Р. А, Валитова, М Связь, 1966, с. 107,2. Справочник по радиоэлектронике под ред. Куликовского А. А Энергия, 1967, т. 1, с. 444.3, Николаевский И. Ф. Эксплуатационные параметры и особенности применения транзисторов, Связьиздат, 1963, с. 83, рис. 2.13 ж.4. Кобзев В. В., Шишмаков В. Н. Каскады радиоприемников на транзисторах, Госэнергоиздат, 1960, с. 75, рис. 4-2 а.5. Радиотехнические схемы на транзисторах и туннельных диодах (теория и расчет) под ред. Р. А. Валитова, М., Связь, 1966, с. 106 (прототип).