Ячейка памяти для полупостоянногозапоминающего устройства

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОИ:КОМУ СВИ ВТИЛЬСТВУ Союз Советсник Социалистических Республик(53)М. Кл.з Я 11 С 17/00 с присоединением заявки Й 9 Государственный комитет СССР ио делам изобретений и открытий(72) Автор изобретения Л. К. Сафронов ф. А%7" ф;д фа м Заявитель 4) ЯЧЕЙКА ПЬИЯТИ ДЛЯ ПОЛУПОСТОЯНУСТРОЙСТВА ИЮИИН Поставленная цель достигается тем, что ячейка памяти для ППЗУ, содержащая магнитопроводы с расположенным между ними магнитомодуляционным элементом прошитые шинами записи, считывания и числовой шиной, и замыкающее ярмо, содержит токоароводящув термомагнитнув ленту иэ магиитотвердого материала, расположенную между магнитопроводамн н замыкающим ярмом.На фиг.1 приведена конструкция ячейки памяти для ППЗут на фиг.2 характеристика термомагннтной лентыеЯчейка памяти для ППЭУ содержит магнитопроводы 1 н 2, между которыми расположен магннтомодуляцион- ный элемент, состоящий нз перемычек 3 - 5, токопроводящув термомагнитную ленту б. из магиитотвердого материала, замыкающее ярмо 7 и шины записи 8, считывания 9 н чи" словув 10.до тех пор, пока енты меньше критической вная сила НС ленты раи некотором превьюениииая сила равна И, причем ия,ре вй- гннннт температура л Ти , коэрцитн вна Н, а пр Тк коэрцитивЦельвышениеППЗУ. Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении полупостояиных запоминающих устройств (ППЗУ).Известна ячейка памяти для ППЗУ, содержащая магнитбпровод, выполненный из двух различных материалов - магнитомягкого и магнитотвердо" го 1.акие ячейки памяти очень устойчивы к вибрациям и воздействию сильных магнитных полей, что обуславлива ет целесообразность использования их в особо трудных условиях эксплуатации, но имеют весьма существенный недостаток - сложность изготовленНаиболее близким техническим шением к изобретению является яче ка памяти для ППЗУ, содержащая ма топровод, выполненный из термомаг ного материала 2 ).Запоминающие устройства на основе подобных носителей характеризуются. высокой надежностью, но при использовании эффекта Керра или Фарадея имеют сложную технологию изготовления. зобретения - упрощение и поадежности ячейки памяти для+иа. 2. Составитель Ю. Розентальедактор Л. Повхан Техред А,Бабинец Корректор Л. И Заказ 914/76 Тираж 656 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/ Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектн Ток записи выбирается таким, чтобы носитель перемагничивался в области значений Ни не перемагничивался в области значений Н . Носитель магнитной записи намагничивается в перпендикулярном направлении.Работа предложенной ячейки памяти для ППЗУ осуществляется следующим образом.При записи информации в ячейку через ленту 6 пропускается электрический ток смещения 1 , и лента 0 нагревается до температуры, несколько большей Тк, Затем подается в шину записи 8 ток записи Т нужной полярности, например положительной полярности, которой соответствует 15 намагниченность +(символ "Т" ), а отрицательной полярности соответствует намагниченость - У (символ фО").После окончания записи токи снимаются, и носитель хранит 20 записанную информацию.если в шине 8 (по координате У ) ток Тс отсутствует, то информация в ячейку одним током Уэбб по координате х не записывается, чем и обеспечивается надежность и простота записи инфор" мации При подаче в шину 9 считыва ния тока считывания, в числовой шине 10 вследствие изменения магнитного сопротивления ячейки наводится выходной сигнал, соответствующий записан- ЗОной инфюрмации.При считывании информации тока считывания недостаточно для разру-. шения информации, записанной на магнитотвердой ленте, 35Использование предложенной ячейки памяти упрощает процесс изготовления ППЗУ,так как лента проходит черезстолбец ячеек памяти после предвари-.тельной установки магнитопроводов втехнологической плате,а затем прижимается ярмом в области расположения ячейки. Процесс записи полутокамивесьма упрощается по сравнению с известными ячейками с магнитной модуляцией сопротивления. Использование магнитотвердой ленты повышает устойчивость ячейки к воздействию вибрацийи внешних магнитных полей, т.е. повышает надежность хранения информации. Ячейка памяти для полупостоянного запоминающего устройства, содержащая магннтопроводы с расположенным между ними магнитомодуляционным элементом, прошитые шинами записи, считывания и числовой шиной, и замыкающее ярмо, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью упрощения и повышения надежности ячейки памяти, она содержит токопроводящую термомагнитную ленту иэ магнитотвердого материала,расположенную между магнитопроводами и замыкающим ярмом. Источники информации,принятые во внимание приэкспертизе 1. Бабак О. В Болотов Б. В. Магнитные аналоговые регулирующие и запоминающие устройства с составными сердечниками, Киев "Наукова Думка", 1970,с. 15. 2. Патент США Р 3453646,кл. 340-174, 1969 (прототип).