Гальванический элемент воздушной деполяризации

Номер патента: 633429

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Привалов, Фофанов

МПК: H05H 1/00

Метки: активного, лазера, плазме, температуры, электронов, элемента

...установившееся значение тока через ак.тивный элемент;Ь - подвижность ионов при слабых поляхпри Ра 1 мм рт,ст;0; . потенциал ионизации;рдифференциальное сопротивление актив.ного элемента;й - балластное сопротивление;- постоянная БольцманаНа чертеже изображена блок-схема устройст.ва, ири помощи которого реализуется предлагае.мый способ,Анод активного элемента 1, в плазме которого определяется температура электронов, соединяетсм через балластное сопротивление 2 с источникам 3 питания. Катод активного элемента 1соединяется с источником 3 питания через катод.ное сопротивление 4 и миллиамперметр 5. Частотомер 6, измеряющий частоту реактивных колебаний, соединен с катодным сопротивлением 4.Вольтметр 7 соединен с электродами активногоэлемента...

Номер патента: 840194

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Дембовский, Морштейн, Плавков

МПК: C23C 11/10

Метки: активного, атмосферы, химическогопотенциала, элемента

...кислотой снабженный стабиФ5лизатором температуры 7, и сигнальньм манометр 8, Выходы газоанализаторов на Ни НС подключены к блоку9 вычисления отношения объемных концентраций 1/НС 1, выход которогосоединен с вторичным показывающимсамопишущим и регулирующим прибором1 О. Все трассы замкнутого контуравне печи покрыты слоем тепловой изо+ляции 11 дпя предотвращения конденсации паров.Концентриванная соляная кислотавыделяет пары НС 1, заполняющие внут -реннее пространство замкнутого контура и совершающие по нему непрерывную 2 Оциркуляцию под действием насоса,Стабилизатор температуры соляной кисолоты (например на уровне +56 С),обеспечивает постоянное парциальноедавление НС в замкнутом контуРе.Выделяющийся из технологическогогаза бор насьпцает...

Номер патента: 1330696

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Воронцов

МПК: H02H 7/10

Метки: активного, защиты, мощности, перегрузки, току, элемента

...активного элемента;К К - величина сопротивле1 ф Ьния первого и второго резистора (на чертеже прототипа они обознацены позициями 7 и8),,Ъ - коэффициент усиленияпо току дополнительного транзистора.Зависимость Уд от У на отрезке третьей аппроксимирующеи прямой определяется соотношением где К - третий резистор (на чертеже9прототипа он обозначен позицисй 9).Как видно из соотношений (3) и (4), ход зависимости Бд от 13 на втором и третьем участке в значительной мере зависит от коэффициента усиления по току дополнительного транзистора,Существенным признаком предложенного устройства является выполнение датчика напряжения, вырабатывающего с большей точностью напряжение, удовлетворяющее условиям (1) и (2). На фиг. 1 приведен график зависимости...

Номер патента: 807961

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Лобанов, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития с примесями, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью оптимизации энергетических параметров активного элемента, монокристалл перед облучением ионизирующим излучением подвергают термической обработке в температурном интервале 250 - 450oС в течение не менее 2 ч.

Номер патента: 178400

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01M 4/08, H01M 6/00

Метки: гальванических, пастированных, электродов, элементов

...емных форм 2. В це жен питатель 3 для цилиндрической пов ны отверстия 4, со т из дисковой цент ых по ее периферии итре центрифуги ра пастированного цин ерхности питателя диняющие полость Р ф.разь- сполока. На сделапита ч До последнего времени изготовление пастированных электродов гальванических элементов осуществлялось вручную путем шприцования, например цинка, на токоотвод через калиброванную насадку. Такое изготовление электродов малопроизводительно и не обеспечивает необходимого качества из-за ненадежного контакта пастированного цинка с токоотводом, наличия воздушных пузырьков в пастированном цинке и других причин.Цель изобретения - повышение производительности и качества электродов. Это достигается тем, что в устройстве...