Номер патента: 777763

Авторы: Быстрицкий, Костенко

ZIP архив

Текст

ОПИ НЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1111777763 Союз Советских Социалистических Республик7/О Говуаарственный комитет елам изобретений (43) Опубликовано 07,11.80, Бюллетень4 3) УДК 621.372,4) Дата опубликования описания 07,11.8(71) Заявитель М. Г. Быстрицкий и В, С, Костенкопропетровское отделение Института механики АН Украинской ССР 4) ОТКРЪТЪй РЕЗОНАТОР Изобретение относится к сверхвысокочастотной (СВЧ) радиотехнике и может быть применено для исследования свойств веществ и плазменных образований.Известен открытый резонатор, который состоит из двух вогнутых, например, цилиндрических или сферических, зеркал с введенной в пространство между зеркалами диэлектрической вставкой, расширяющейся к периферии резонатора. Диэлектрическая вставка, вызывая смещение колебаний высших типов к периферии резонатора, приводит к излучению этих колебаний из объема резонатора с частичным их поглощением в материале вставки,11.В этом резонаторе форма диэлектрической неоднородности выбрана преднамеренно такой, чтобы способствовать излучению части электромагнитной энергии из объема резонатора, и делает невозможным увеличение концентрации электромагнитного поля с одновременным увеличением добротности резонатора за счет уменьшения потерь на излучение.Цель изобретения - повышение добротности резонатора.Цель достигается тем, что в открытом резонаторе, содержащем два вогнутых зеркала с введенной в пространство между ними диэлектрической неоднородностью. Неоднородность выполнена в виде двухотражателей, установленных соосно вдольоси, перпендикулярной оси открытого резонатора, с возможностью перемещения, при5 этом отражатели перекрывают расстояниемежду зеркалами, при этом диэлектрические неоднородности изготовлены из многослойных пластин с различными диэлектрическими проницаемостями слоев.10 На чертеже приведена конструкция описываемого резонатора,Данный открытый резонатор содержитдва вогнутых, в данном случае цилиндрических зеркала 1, в пространство между ко 15 торыми введены две плоские диэлектрические неоднородности 2, каждая из которыхсостоит из двух скрепленных пластин.Внутренние пластины 3, обращенные навстречу друг другу, изготавливаются из20 материала, имеющего диэлектрическуюпроницаемость, близкую к диэлектрическойпроницаемости свободного пространства,например, пенопласт, Внешние пластины 4диэлектрической неоднородности 2 имеют25 диэлектрическую проницаемость, большуюдиэлектрической проницаемости свободного" пространства, например, стеклотекстолит,Диэлектрические неоднородности 2 перекрывают все поперечное сечение резонатоЗ 0 ра и снабжены механизмами перемещенияФ3777763 Редактор Н. Тимоиииа Корректор С. Серобаба СоставителТехред А. В, Лекише мыш ников ираж 867 Под го комитета СССР и открытий шская наб., д, 4/5 но ипография, пр. Сапунова, 2 5. Рабочая область резонатора 6 заключена в объеме, ограниченном зеркалами 1 и диэлектрическими неоднородностями 2,Диэлектрические неоднородности 2 перемещают внутрь резонатора, вплоть до соприкосновения их с областью, занимаемой основным типом колебаний, добиваясь настройки резонатора. Поскольку парциальные волны основного (низшего) типа колебаний падают на диэлектрические неоднородности 2 под малым углом скольжения, его ослабление минимально, а критическое сечение, деформируясь, смещается внутрь резонатора. Одновременно парциальные волны высших типов колебаний падают на поверхность диэлектрических неоднородностей 2 под большими углами скольжения, что вызывает их частое попадание на поверхность диэлектрических неоднородностей 2 и, следовательно, интенсивное затухание в материале внешней пластины 4. Некоторая часть мощности высших типов колебаний, отразившаяся от диэлектрических неоднородностей 2 обратно внутрь рабочей области резонатора 6, после многократных отражений от зеркала 1 и диэлектрических неоднородностей 2 преобразуется в низший тип колебаний. Участие в процессе взаимодействия парциальных волн с диэлектрической неоднородностью 2 ее внутренних пластин 3, имеющих диэлектрическую проницаемость, близкую к диэлектрической проницаемости свободного пространства, приводит к изменению усредненной по объему диэлектрической проницаемости, не приводя к существенным искажениям распределения электромагнитного поля в рабочей области резонатора 6. Изменение 5 усредненной по объему диэлектрическойпроницаемости рабочей области резонатора эквивалентно изменению расстояния между зеркалами 1. Тем самым осуществляется перестройка резонансной частоты.10 Формула изобретения 1. Открытый резонатор, содержащий двавогнутых зеркала с введенной в простран 15 ство между ними диэлектрической неоднородностью, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения добротности резонатора, неоднородность выполнена в виде двухотражателей, установленных соосно вдоль20 оси, перпендикулярной оси открытого резонатора, с возможностью перемещения, приэтом отражатели перекрывают расстояниемежду зеркалами,2. Открытый резонатор по п. 1, отли 25 ч а ю щ и й с я тем, что диэлектрические неоднородности изготовлены из многослойных пластин с различными диэлектрическими проницаемостями слоев. 30 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР218966, кл, Н 01 Р 7/06, 1967. 2527/15 Изд,578 ТНПО Поиск Государственнпо делам изобретений113035, Москва, Ж, Рау

Смотреть

Заявка

2701465, 26.12.1978

ДНЕПРОПЕТРОВСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТА МЕХАНИКИ АН УКРАИНСКОЙ ССР

БЫСТРИЦКИЙ МИХАИЛ ГЕОРГИЕВИЧ, КОСТЕНКО ВАЛЕНТИН СЕРГЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01P 7/06

Метки: открытый, резонатор

Опубликовано: 07.11.1980

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-777763-otkrytyjj-rezonator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Открытый резонатор</a>

Похожие патенты