Гальванический элемент

Номер патента: 1693437

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Безверхняя, Гунич, Яворская

МПК: G01N 21/03, G01N 23/223

Метки: кювета, растворах, рентгеноспектрального, содержания, флуоресцентного, элементов

...на внешней поверхности стакана, а также на внутренней поверхности корпуса выполнены ребра. Причем толщина последних превцшэе. диаметр сливных отверстий, Количество -,.абер на внутренней поьерхности корпуса должно быть не меньше, чем количество сливных отверстий. Высота ребер корпуса равна зазору между корпусом и стаканом, Э и условия обеспечивают при леком повороте стакана закрывание сливных отверстий площадью внутренних ребер корпуса, Ребра на внешней поверхности стакана фиксируют его положение в корпусе. При псвороте стакана по часовой стрелке его ребра упираются в ребра корпуса и невозможность дальнейшего поворота указывает на то, что сливные отверстия закрыты. При перемещении такой кюветы в приборе обеспечено постоянство расстояния...

Номер патента: 1157391

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Афендикова, Гусев, Леснов, Москвитинова, Петров, Пятосин, Рогожников, Тарасова, Шестакова, Яковлева

МПК: B01D 11/04, G01N 25/14

Метки: выделения, растворов, элементов

...указан-у ных веществ, Нижняя фаза представляет собой раствор воды в смеси антипирина с монохлоруксусной кислотой и имеет высокие .концентрации обоих компонентов, необходимые для образования экстрагируемых комплексов,Оптимальные количества антипирина и монохлоруксусной кислоты соответственно равны 0,01 и 0,04 моль, Максимальное извлечение ртути, скандия, титана, циркония, тория, урана, железа и палладия наблюдаетсяпри рН 2-3. При меньших и больших рН экстракция элементов значительно снижается.П р и м е р 1. В делительнуюворонку вводят раствор, содержащийпо 10 мкг ртути, скандия, титана,циркония, тория, урана, железа,палладия, добавляют 4 мл 2,5 М водного раствора антипирина, 5 мл 8 Мводного раствора монохлоруксуснойкислоты,...

Номер патента: 1182359

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Букаев, Коновалов, Никиша, Столяров, Шуваев

МПК: G01N 23/223

Метки: концентраций, растворе, рентгенорадиометрического, элементов

...в измерительной кювете 1, а детек тор 9 - под дном кюветы 1. Передаточный механизм 10-11 позволяет перемещать вспомогательную кювету 3 и контейнер 5 с источником 6 по вертикали, задавая нужное передаточное число. 25Источник может быть размещен и вне измерительной кюветы 1, при этом необходимо, чтобы стенка кюветы 1 в месте перемещения источника была "прозрачной для гамма-излучения, 30Детектор 8 излучения предназначен для регистрации характеристического рентгеновского излучения определяемых элементов, а детектор 9 - некогерентно рассеянного излучения источника. ,Оба детектора соединены с регистрирующей схемой 12. Сверху измерительная кювета открыта, ее дно изготовлено из материала, прозрачного" для некогерентно рассеянного излуче ния...

Номер патента: 737911

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Белицкий, Вайнер, Гладилович, Елагин, Ефимов, Кузьменко, Ушомирский

МПК: G03C 1/68

Метки: печатающих, печатных, раствор, укрепления, форм, фотополимерных, элементов

...припрессовывают пленку, обра.ботанную спирт-ацетоновым раствором, содержащим 4,5% гидроперекиси изопропилбензола,Полученные пластины выдерживают 20 минв йрмошкафу при 90 С, После облученияи вымывания на форме обрабоУанной предлагаемым раствором остается четкий рельеф,составляющий одно целое с полимерным под. 11 4.слоем толщиной 40 - 50 мкм. Печатающие элементы холостой формы держатся на под. ложке на клеюП р и м е р 3. Фотополимеризующуюся пленку, описанную в примерах 1 и 2, обра. батывают описанным в этих примерах способом спирт ацетоновым раствором, содержащим 15-30% ного водного раствора перекиси водорода, и 0,001% хлористого алюминия, Полученную пластину выдерживают 20 мин в термошкафу при 90 С и вымывают. Остающий. ся гладкий...

Номер патента: 911382

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Захаров, Пиорунский, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, конструкции, неразрушающего, соединений, техники, электронной, элементов

...судят о качестве соединений.30Предлагаемый способ основан наиспользовании эффекта возникновенияупругой деформации корпуса при резком нагреве одного из элементов конструкции, например кристалла полупроводникового устройства транзистора35или интегральной схемы), величинакоторой достигает величины порядкадесятых долей микронаДеформация в корпусе конструкции40вызывается резким изменением размеровнагреваемого элемента в случае жесткой механической связи между ним иостальной конструкцией. Если имеет .место случай простого касания элемен 45та (например кристалла интегральноисхемы) с остальной частью конструкции, то упругая деформация оказыва ется резко ослабленной, что и свидетельствует об отсутствии жесткой механической связи. При этом...