Способ измерения расхода электропроводящих сред

Номер патента: 1043754

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Веселов, Ширшов

МПК: H01F 6/00, H01L 39/00

Метки: вольт-амперных, значениях, индукции, магнитного, поля, разных, сверхпроводников, сильноточных, температуры, характеристик

...обеспечить работу СПтрансформатора при температуре до18 К, поэтому первичная обмотка должна быть выполнена из материала наоснове сплавов ИЬЗЯп или 73 Са скритической температурой Тс = 18 К,который более хрупкий по сравнениюсо сплавом ХЬТ 1 с Т= 9 К. Для замены СП образца необходимо произвести разборку устройства, что приводит к дополнительным затратамвремени и потерям жидкого гелия,связанным с охлаждением криостата до Т = 4,2 К.Цель изобретения - расширениефункциональных йозможностей устройства и повышение точности измеренийпутем повышения точности регулирования температурыи увеличения диа-пазонавнешнего магнитного поля.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство дополнительносодержит источник внешнего магнитного поля в виде...

Номер патента: 521535

Опубликовано: 15.07.1976

Автор: Лярский

МПК: G01R 33/02

Метки: близкорасположенными, величины, индукции, магнитного, между, поля, средней, электродами

...в узкой изоляционной щели параллельных электродов (передняя стенка снята); на фиг. 3 - то же, разрез по А-А; на фиг. 4 - схема установки при движении дуги под действием собственного магнитного поля электродов (независимое поле отсутствует); на фиг. 5 - схема установки при движении дуги под действием независимого магнитного псая (поле электродов компенсировано)Для определения величины В испсдьзуют установку (фиг, 2 и 3), состоящую из двух параллельных электродов 1, расположенных в щели между изоляционными дугостойкими стенками 2. Равномерное независимое магнитное поле в межэлектродном промежутке создается двумя катушками 3. Измерение скорости движения дуги осуществляется с помощью датчиков положения дуги, например,...

Номер патента: 333501

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гиршовичус, Гусев, Красюк, Кудр, Лаврухин, Лукь

МПК: G01R 33/00

Метки: головки, магнитного, магнитной, поля, характеристики, частотно-фазовой

...ки по предлагаемому способу происх дующим образом. Через обмотку магнитной головки кают синусоидальный ток, создаю рабочего зазора магнитное поле, ко меняется во времени по тому же за и ток, но сдвинуто относительно пПредмет изо ния ти- ле 2 тер ди пропусщий у ее торое изкону что оследнего Изобретение отельной техники.Известны сносзовой характериснитной головки,головки пропускавоздействуют наполем у рабочегоспособы не обессти измерения чстики,по фазе. Через магнитное поле у рабочего зазора параллельно его осевой линии пропускают электронный луч, на который воздействуют синусочдальным электрическим полем, направленным перпендикулярно плоскости рабочего зазора и синфазным току в обмотке, При этом луч движется по некоторой замкнутой...

Номер патента: 785800

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Васильев, Медведев, Степанов

МПК: G01R 29/08

Метки: магнитных, полей, характеристик

...3 размещен внутри полости измерительной катушки 4, ось которой установлена параллельно оси колец2 Гельмгольца, при этом плоскость сечения компенсационной катушки 5 развернута относительно плоскости сечения измерительной катушки 4 на уголс(, равныйЙиэ)ЖиА= сМ ссозк фкгде; 5 и И - соответственно площадьсечения и.число витков 1 эизмерительной катушки 4;5 и Чк - соответственно площадьсечения и число витковкомпенсационной катушки 5; 20площадь сечения исследуемого объемного экрана 3.Устройство работает следующим образом,В концентраторе магнитного полян виде колец 1 Гельмгольца создаетсяоднородное магнитное поле Н(Ц и помещается в него исследуемый объемныйэкран 3.Измерения магнитного поля Н 1(Я)н ЗОполости исследуемого объемного экрана 3...

Номер патента: 958991

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Мурадов

МПК: G01R 33/07

Метки: варианты, магнитного, поля

...выходе которого имеется регистрирующий прибор 17, второго резистора 18, делителя 19 и 20, подключенного к токовым электродам датчика 1, усилитель выполнен по дифференциальной схеме с первым и вторым входами, подсоединенными соответственно к холловским электродам датчика 1, ас выхода усилителя 1 б на его входы через второй резистор 18 цепь параллельной ООС по напряжению, при958991 ВЫх 2. 3 30 5чем первый резистор 15 включен между одним холловским и одним токовым электродом датчика 1. Соединительные линии заэкранированы и соединены между собой в точке 21. Питается датчик от источника 22. 5Устройство работает следующим образом.При отсутствии магнитного поля В=О, эквивалентную схему датчика холла можно представить в виде мос товой схемы....