Шихта для изготовления рентгенолюминесцентного экрана

Соез СоветскихСоциалистическихРеспублик ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ц 699002(21) 2615923/23-26ки,% -присосдинением зая23) Приоритет -Государственный СССР ае делам изобретени и открытийиаыатет Опубликовано 25.11.79. Бюллетень Рй УД К 621,3.032, .35:546.121,13. .31(088.8) ата опубликов я описания 30,11.79 А. А. Рязанцев, И. А. Парфианович, Л. П. Смольск и А. Г. Червинко, (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЭКРАНА Изобретение относится к люминофорам, излучающим свет в видимой области спектра, и может использоваться для изготовления входного рентгенолюминесцентного экрана в устройствах, применяемых в медицинской диагностике. Известен люминофорный состав, включающий иодистый цезий и иодистый натрий, используе. мый, преимущественно, для сцинтиллятооов 11Известна также шихта для изготовления рентгенолюминесцентного экрана напылением в вакууме на алюминиевые подложки, состоящая из иодистого цезия и иодистого натрия, с содержанием натрия от 0,01 до 0,22 мол.% 2 т.Однако напыленный таким образом слой рентгенолюминесцентного экрана и подвергну. тый термической обработке имеет невысокую разрешающую способность поверхностной микроструктурь 1 вследствие размера диаметра вы. ходящих на поверхность монокристаллических блоков ("столбиков") не менее 80 мкм, по. скольку величиною последних и равномерностью распределения и определяется разрешающая способность экрана. Для повышения равномерности микрострук. гуры в данном случае предусматривается мно. гократное напыление известной шихты на подложки, подогретые до 150 - 200 С, или специ альное химическое травление поверхности под. ложки.Цель изобретения - повышение разрешающей способности рентгенолюминесцентного экрана за счет повышения тонкодисперсности и равно. мерности микроструктуры напыленного люминесцентного слоя.Это достигается предлагаемой шихтой для изготовления рентгенолюминесцентного экрана, содержащей йодистый цезий, иодистый натрий и хлористый магний при следующем соотноше. нии указанных компонентов, вес.%:Иодистый цезий 99,73 - 99;94Иодистый натрий 0,05 - 0,2Хлористый магний 0,01 - 0,07Добавление в шихту небольшого количества хлористого магния эффективно препятсгвует рекристаллизации столбиков рентгенолюмине. сцентного слоя при напылении на алюминиевую подложку и последующей термообработке. Ди699002 Формула изобретения Источники информации,30 принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США И 3446745, кл, 252 - 301.4,27.05.69. 2. Патент Великобритании У 1380186,сл. Н 1 О, 08.01.75.Составитель Л, РоманцеваРедактор Л. Гребенникова Техред Л.Алферова Корректор М, Селехман Тираж 758 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Заказ 7151/25 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 аметр столбиков уменьшается с 80 - 85 мкм для слоя без добавок хлористого магния до 30 - 40 мкм для слоя, содержащего хлористый магний, при этом равномерность микрострук.туры слоя улучшается. Следовательно, не толь. ко увеличивается разрешающая способность экрана, но и отпадает необходимость в проведе.нии операции напыления в несколько приемов, а также в предварительной химической обработке подложки, предпринимаемой с целью созда О ния равномерной микроструктуры слоя кристаллофосфора. Интервал концентрации хлористого магния в исходной шихте (0,01 - 0,07 вес.%) определяется необходимостью получения наибо. лее интенсивной рентгенолюминесценции ста бильным свечением при высокой разрешающей способности экрана. Меньшее содержание МдСз в шихте не приводит к значительному уменьшению диаметра столбиков, а при содержании МдС 2 в шихте свыше 0,07 вес.% диаметр стол. 20 биков уменьшается до 5 - 10 мкм, однако стабильность свечения заметно ухудшается.П р и м е р 1. Приготовляют . шихту из99,85 вес,% иодистого цезия Сз.1 марки ОСЧ -- 17 - 2, 0,1 вес.% иодистого натрия 1 чад марки ОСЧ - 12 - 3 и 0,05 вес.% хлористого магния МдС 12 марки ХЧ.Шихту сплавляют в кварцевом тигле в муфельной печи при 650 С в течение 1 ч, полученный спек затем размалывают в порошок.Полученный порошок напыляют в вакууме на алюминиевую подложку, нагретую до 200 С, до получения люминофорного слоя порядка 200 мкм. Напыленный диаметр микроструктурных столбиков 30 - 40 мкм. Свечение такого экрана стабильно во времени.При мер 2. Навеску соли Сз,1 в количест. ве 100 г марки ОСЧ - 17 - 2 помещают в чашку Петри, приливают 18 мл водного раствора, содержащего порядка 0,1 г 1 ча 1 и 0,05 г МдСз, и перемешивают, Полученную смесь высушивают 10 ч в сушильном шкафу при 70 - 80 С.Из шихты, полученной по примеру 1, получают рентгенолюминесцентный экран с аналогичной разрешающей способностью. Шихта для изготовления рентгенолюминесцентного экрана, включагвщая иодистый цезий и натрий, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности экрана за счет повышения тонкодисперсности и равномерности микроструктуры напыленного люми. несцентного слоя, она дополнительно содержит хлористый магний при следующем соотношении указанных компонентов, вес.%:Иодистый цезий 99,73 - 99,94Иодистый натрий 0,05 - 0,2Хлористый магний 0,01 - 0,07