Способ обезвреживания хлорсодержащих газов

Номер патента: 1543310

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Дубинин, Семья, Сурин

МПК: G01N 21/64

Метки: количественного, природных, смесях, содержания, техногенных, углеводородов

...какат(ат, ы СхЕ,ого углеводорорации в нужном нные эталонные ссчитать величиат. г . Длн любОЙ рной для поглощерода, При реарка на первой его поля аР" 1 эт второй гармонии при регистрации нке М (Л ф эт., гд С Ег Эт" а(2 в) Эт гд Кэт (Л).,аК "(Л),- в эличина сигнала екта Штарка и регистрации талонного спектра а первой и второй армониках модули рующего поля состветственно;С - концентрация этаэтлонного образца,г/мл,Е напряженность электэтрического поля,В/м;1 эт толщина образца, м.В качестве примера в табл. 1 и 2приведены значения Ы(Л)и(Л) , для 3,4 бензпирена в н-гептане при 77 К.П р и м е р. Определение концентрации бС 1-3,4-бензпирена в смесис периленомПриготовление раствора смеси вн-гептане; 2,б10-ф г бС 1-3,4-бензпирена и 10-...

Номер патента: 1716574

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Бабиков, Газизов, Овсянников, Сироткин, Скиба

МПК: G21F 9/02

Метки: актиноидов, аэрозольных, газов, радиоактивных, хлорсодержащих, частиц

...пиковых нагрузок или выбросов.В этих случаях отходящие газы нагревают до -100 С, вводят в отходящие газы чистый хлор в количестве до 3 об., что соответствует равновесному содержанию хлора в газовой фазе при температуре от -90 5 10 15 20 25 30 35 40 45 до -100 С, и снова охлаждают в конденсаторе до температуры отдо -196 СЯри этом из газов вместе с твердым хлором осаждают остаточные количества радиоактивного загрязнения.Предлагаемый способ очистки позволя-, ет достигать на стадии тонкой очистки коэффициента дол 10 (Ко 4 = - , где Сн и Скб СнСксоответственно начальная и конечная концентрации радионуклидов в отходящих газах). Надежность очистки отходящих газов от радионуклидов актиноидов и от хлора обеспечивают тем, что для данных...

Номер патента: 284982

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Артюшенко, Полюшкова, Соколов, Шпол, Ягодкин

МПК: C07C 7/00

Метки: газа, гомологов, кислородсодержащих, метана, природного, соединений

...п уменьшения расхода водорода, предлагается процесс деструктивного гидрирования вести в присутствии никелевого катализатора при 350 в 4 С и давлении 10 - 40 ата. Исходный природный газ предпочтительно очищать от серусодержащпх соединений,Предлагаемый способ позволяет вести процесс при больших объемных скоростях 1000 - 3000 час 1. Высокая температура процесса даст возможность очищать газ пе только от гомологов метана, но и от двуокиси углерода.сокращается расход водорода, В процессе ис;1 ользуют катализатор, полученный смешением основного карбоната никеля с окисью магния, Содержание водорода в исходной смеси (оо. в ) и ри различных давлениях, алга284982 Таблица 2 Анализ газа, об. Оо после очистки при объемной скорости, час Состав газадо...

Номер патента: 87171

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Базанов, Коновалов, Некрасов, Похвиснев, Ярхо

МПК: C22B 1/10

Метки: восстановительного(магнетизирующего, газами, генераторным, доменным, железных, обжига, пр, природным, руд

...газа в слое с избытком воздуха (б.4)и постепенном переходе к нейтральной и восстановительной атмосфере и конце процесса, а затем в случае необходимости бопее энергичного восстановителя, пропускают в течение короткого промежутка времени газ-восстановитель.Способ может быть осуществлен нрогревом руды газовоздушной смесью, сжигаемой в слое с избытком воздуха, близким к единице. При этом в шахту вводят в малых количествах (0,5-1%) и в мелких фракциях (до 0,5 мм) коксовую или каменна угольную мелочь или колошниковую пыль.На вгломераплонных лентах обжиг ведется непрерывно, причем на 2/3 ленты от места загрузки производится нагреввние руды, а на остальной 1/3 длины ленты - восстановление нагретой руды до магнитного окисла.В шахтных печах...

Номер патента: 241066

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Антипов, Грузман, Кузовков, Медведев

МПК: G01N 33/24, G01N 33/38, G01N 7/14

Метки: выделяющихся, газов, давления, количества, смесей, стержневых, формовочных

...который представляет собой мембрану б, зажа 1 ую между онокой 1 и навинчиваемой на опоку крышкой 7. Для обеспечения мягкой и герметичной посадки мембраны используют эластичные прокладки 8.Лембрана 6 представляет собой диск свнешней отбуртовкой и отбуртованным отверстием 9. Толщина мембраны 0,1 - 0,2 мм,На мембрану наклеивают тензодатчики 10,изменяющие свои электрические характерн.стнки нри ее деформации прогибе). Для удаления из пространства между мембраной и образцом смеси д (это пространство необходимо сокращать до минноума) газа н влаги В мембране предусмотрено одно илн несколько отверсгн. 1 аз выходит либо через это отверстие, либо через установленную в нем газонроницаемую негигроскопнческую втулку 11.Пропускная способность...