Состав для глазурования изоляторов

Союз Советснмз Сеоцмалмстммескиз Республик) Заявлено 09.03.7 ки Х исоединеинем 3Приоритет -асудерстоеииый ионит СССР оо делам изобретеии и открытий(72) Авторы изобретен и Л. И. Лугин, Р. Ф. Полтавец и А, Н. Хохлова 1) Заявител 4) СОСТАВ ДЛЯ ГЛАЗУРОВАНИЯ ИЗОЛЯТ Изобретение отн мических изоляторо лупроводящего покр ов ожнени ый тия, в к взятые в водят держ еме 1000 лаж ос ится к изготовлению кера в частности к составу потия керамических изолято рИзвестен состав полупроводникового покрытия на керамических изоляторах, используемых в высоковольтных опорных силовых линиях Г 1). В качестве компонентов шнхты для получения покрытия глазурного типа используют масс %; кварцевый песок 40, полевой шлат 20, бой фарфоровых изделий 20, обожженный шамот 6, сы. рая глина 6, доломит 8. Для получения полупро. водникового покрытия в указанную выше шихту добавляют окислы олова и сурьмы. При получении полупроводникового покрытия 1 ление глазури на поверхности изоляторов про.по этапам: при нагревании до 1000 фС подивают окислительную атмосферу, при подь. температуры до 1300 С и охлаждении до С должна бьггь среда азота, дальнейшее ох 29 денне проводят в воздушной среде,Однако для данного состава необходим мноупенчатый технологический процесс при поучении покрьгтия, что приводитудорожанию процессаИзвестен также состав покрьходят следующие компоненты,ношении, масс%:КварцКалиевый полевой шпагКол ьцитДоломитПластичная глина 1 1,2Фаза Н 1. 30,0В свою очередь фаза Н 1. включает следующие компоненты, взятые в соотношении, масс%:Окись железа 87,6Окись титана 6,0Окись хрома 6,4 12.Недостатками полупроводяшего покрытия яв. ляется то, что в ее состав входят три окисла переменной валентности (окись железа, окись титана и окись хрома), обеспечиванлпие полупроводимость глазури. В этом случае для получения полупроводящего слоя на изоляторах обжиг глазури производят последовательно в трех газовых средах - окислительной до 1000 Г, восстанови675039 3тельиой от 000 до 1300 С, нейтральной от 1300до 1335 С, что усложняет и удорожает технологический процесс получения полупроводящегослоя на поверхности изолятора,Дель изобретения - упростить и удешевить5технологический процесс получения полупроводящего слоя глазури, имеющей величину поверхностного сопротивления 10 - 108 Ом см иа поверх.,ностивьсокоглиноэемистых изоляторов, а такжеулучшить растекаемость глазури. оЭто достигается тем, что в состав для глазу.рования изоляторов включающий кварцевыйпесок, полевой шлат, доломи, каолин, окисьтитана, дополнительно введены окись магния,окись алюминия и бой фарфоровых иэделий при 5следующем соотношении компонентов, масс%:Полевой шпат 26-29Кварцевый песок 23-27Доломит 8 - 10Каолин 5 - 7 26Окись титана 5 - 9Бой фарфоровых изделю 10 - 12Окись магнии 8 - 12Окись алюминия0,5 - 2Состав для Глаэуров Компоненты гл Яе гла, масс.% епичинасопротив. окиси маг полудящего есок ров ния лоя, Ом см 26,0 23,0 10,0 29,0 27,0 12,0,60,0 106 0,4 7,2 1, 2,0 9,0 2,0 Состав дл чить две ступ получения пол на поверхности изоляторов, осодержит бой фарфоровых изния и окись алюминия при слшенин компонентов, масс,%:Полевой шпатКварцевый песокДоломитКаолинОкись титанаБой фарфоровОкись магнияОкись алюминияИсточники информации, пние при экспертизе1, Патент Англии Хо 121362. Вако М.Х., МиКЬегее В,"еап, Сегав. Зос" 1974, 33ираж 701 Подписное н дополнител депий, окись едующем и изоляторовоборудование,кий процесс уп 3 - 2 - 10 а 0%. 5 - 91 О8 - 1205 2 Формула и ения ых изделий Состав для глаз чающий полевой;шпнятые во амит, каолин и окисьтем, что, с целью упртехнологического про кл,С 1 ее Й,Ч. УЗ - 4,с,, 1970,апа- 49,его слоя с со иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 глазурования позволяет исклюни в технологическом процессе упроводящего слоя нв поверхносвысвободйть дорогостэящее лагодаря этому технологнчес. рощается и удешевляется примерурования изоляторов, вклю. т, кварцевый песок, доло.титана, отличающийся ощения н удейевления цесса полученияполупроротивлением 10 - 10 а Ом смЦНИИПИ Заказ 4221/19 4Подготовку компонентов для приготовления .покрытия производят на оборудовании способами, обычно используемыми в керамической про.мышленности для приготовления глазурей.Приготовление полупроводящего слоя глазури заключается в смешивании измельченных компонентов глазури до размера частиц 1 - 3 мкм,взятых в требуемом соотношении, мокрым способом в фарфоровом барабане. Время смешивания 10 - 12 ч., плотность суспензии должна быть1,35-1,50.Полученную глазурь наносят на поверхностьизоляторов одним из методов, применяемых впромышленности для глазурования керамическихизделий, Оплавление глазури производят в восстановительной среде при 1360120 С, Оплавление глазури можно также совмещать с техноло.гическим процессом вжигания металлизирующего покрытия как в атмосфере влажного газа,так и в сухом водороде,В таблице приведены конкретные примерысостава предлагаемой полупроводящей глазурии величины сопротивления полупроводящегослоя, полученного на поверхности изоляторов.ания изоляторов