Способ моделирования процесса диффузионной сварки на плоских образцах

Номер патента: 1562892

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Гранковский, Зинченко, Минаков, Падалко, Сергеев

МПК: G05D 23/19

Метки: диффузионном, многослойных, нагрева, полупроводниковых, процессом, структур, формировании

...диффузант. Блок 18 интегрирования, работающий в реальном масытабе времени, выдает на блок 19 сравнения текущеезначение глубины диффузии. При достижении заданной глубины, устанавливаемой задатчиком 20, с блока 19 сравнения подается сигнал на ключ 21, который переключает программный задатчик23 температуры на снижение температуры печи. Таким образом, возможные самопроизвольные изменения температурыв печи учитываются путем изменениявремени нагрева, корректированияпрограммы нагрева,Система позволяет обеспечить требуемую глубину диффузии примесей приполучении многослойных полупроводниковых структур и в связи с этим повысить процент выхода годных приборов,Формула из обретенияСистема управления процессом нагрева при диффузионном...

Номер патента: 1629913

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Грачев, Хаскин, Хаткин, Шипилов

МПК: G06G 7/57

Метки: давления, моделирования, обтекании, плоского, поля, профиля, циркуляционном

....по аналогии А (фиг.2). К моделям предлагает ся щуп 5 для измерения электрического потенциала. Критическая линия тока на фиг.1 и разрез на Фиг,2 обозначены позицией 6. Модели имеют источ; ник 7 тока и делитель 8 напряжения 25 по аналогии Б (фиг.1).Способ осуществляется следующим образом.При включении источника 7 тока между входной 2 и выходной 3 шинами воз никает так, моделирующий внешнее обтекание модели 4 по аналогии Б (фиг.1) без циркуляции. Регулированием величины напряжения на модели 4 с помощью делителя 8 напряжения подбирается циркуляция из условия схода критической линии тока с острой задней кромки профиля. Положение критической линии тока находят щупом 5 и тем самым задают граничные условия, после, 40 чего переносят эту...

Номер патента: 504602

Опубликовано: 28.02.1976

Автор: Плита

МПК: B21H 5/00

Метки: зубчатых, имитации, накатывания, профиле, процесса

...зубчатых колес разного диаметра с водилами, связанными зацеплением с имитирующими звенья ми.На фиг. 1 изображен общий вид устройства; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг, 1; на фиг.3 - разрез по Б - Б на фиг. 2.Предложенное устройство включает в себя корпус 1, в котором размещены имитирующие звенья 2 и 3, приводимые в движение зубчатыми колесами 4 и 5 разных диаметров, которые находятся в зацеплении с зубчатым ко лесом б. В зубчатые колеса эксцентрично ихосям вращения вмонтированы водила 7 и 8, которые входят в пазы имитирующих звеньев, связанных между собой пружинами 9 и расположенных перед экраном 10. Зубчатое ко лесо 4 связано с маховиком 11.Устройство работает следующим образом.В процессе демонстрации механики образования профилей...

Номер патента: 1232694

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Беляев, Заблоцкий, Клевцов, Францев, Чемеринская, Шувалов

МПК: C21D 9/00

Метки: нагрева, плоских, струйного

...мощность воздуходувных устройств становится равной в обоих случаях и эффект повышения интенсивности теплообмена при одинаковых энергетических затратах не достигается.Таким образом, указанные соотношения являются оптимальными и при соблюдении их достигается максимальная интенсивность струйного теплооб 3 2326 мена между рабочей средой и обрабатываемым изделием, для определенных энергетических затрат на организацию струйного теплообмена.Раздельное управление расходом газа высокого давления на каждом коллекторе позволяет регулировать тепловой поток на поверхность обрабатываемого изделия по его ширине, так как интенсивность теплообмена на 0различных участках определяется при прочих равных условиях скоростью истечения струйных потоков газа...

Номер патента: 350844

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Антонов, Ващенко

МПК: C21D 9/46, F27B 9/28

Метки: газовой, нагрева, печи, плоских, подушке

...для подвода газа-теплоносителя и плиту для истечения газа-теплоносителя. Средняя часть плиты составляощая 90 - 95% ширины изделия, выполнена утопленной на величину не менее толщины газовой подушки и с отверстиями, диаметр которых уменьшается, а расстояние между их осями увеличивается в направлении от средней осп пода к боковым стенкам.На фиг. 1 показан под, поперечное сечение; на фиг. 2 - то же, в плане.В нижней части пода расположена футерованная камера 1, над которой находится подовая плита 2 с отверстиями 3. Участкиподо 2вой плиты между крайними рядами отверстий (на фиг. 2 1 - Ч ряды) и боковыми стенками выполнены приподнятыми над средней частью на величину 1. Переход с одного уровня на 5 другой выполнен плавным.Газ-теплооситель...