Способ моделирования поля давления при циркуляционном обтекании плоского профиля

. 1561 Тетельбаум И.М. Электрмоделирование, физматгиз, 1с. 226-227, рис. 196,фильчаков П.ф. и др, ИнтЭГДА. К., АН СССР, 1961, с еское9,гратор 4 ОСОБ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОЛЯ ДАВЛЕ ЦИРКУЛЯЦИОННОМ ОБТЕКАНИИ О ПРОФИЛЯобретение относится к аналоычислительной технике н пред но )тля исследования циркуляр текания профиля жидкостью иле(54) С НИЯ ПР ПЛОСКО (57) И говой назнач ного о ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ПНТ СССР ОПИСАНИЕК АВТОРСКОМУ СВИ газом. Цель изобретения - повьппениеточности и сокращение времени определения поля давления. Вариант реализации способа используют две установки, выполненные соответственно поаналогии Б и по аналогии А. Установки содержат лист электропроводнойбумаги прямоугольной Формы 1, на котором располагаются входная и выходная шины 2 и 3. К установкам прилагается щуп 5 для измерения электрического потенциала. Достижение поставленной цели обеспечивается разделениемвторого листа электропроводной бумаги по перенесенной на него критической линии тока, изоляцией разделенных частей друг от друга и фиксацией определяемого поля давления раздельно в обеих частях второго листаэлектропроводной бумаги. 2 ил.Изобретение относится к аналого- вой вычислительной технике,и предназ начено для исследования циркуляционного обтекания профиля жидкостью или газом.Цель изобретения - повышение точности и сокращение времени определения поля давлений.На Фиг.1 изображена геометричес кая модель для давления (аналогия Б);. на фиг.2 - то же (аналогия А)Каждая из ноделей содержит лист 1 электропроводной бумаги прямоугольной Формы, на котором располагаются входная 2 и выходная 3 шины. Исследуемая модель 4 профиля выполнена по аналогии Б (Фиг.1) из низкоомного металла и из диэлектрика .по аналогии А (фиг.2). К моделям предлагает ся щуп 5 для измерения электрического потенциала. Критическая линия тока на фиг.1 и разрез на Фиг,2 обозначены позицией 6. Модели имеют источ; ник 7 тока и делитель 8 напряжения 25 по аналогии Б (фиг.1).Способ осуществляется следующим образом.При включении источника 7 тока между входной 2 и выходной 3 шинами воз никает так, моделирующий внешнее обтекание модели 4 по аналогии Б (фиг.1) без циркуляции. Регулированием величины напряжения на модели 4 с помощью делителя 8 напряжения подбирается циркуляция из условия схода критической линии тока с острой задней кромки профиля. Положение критической линии тока находят щупом 5 и тем самым задают граничные условия, после, 40 чего переносят эту линию в модель по аналогии А (фиг.2) в виде изолированных друг от друга частей разреза б. Затем с помощью источника 7 токаподают напряжение на вертикальные шины и щупом 5 снимают распределениедавления в поле течения модели 4. формула изобретенияСпособ моделирования поля давления при циркуляционном обтекании плоского профиля, основанный на размещении на поверхности первой полу- проводящей среды геометрической модели плоского профиля из проводящего материала, Формировании в первой полупроводящей среде посредством изменения потенциала на геометрической модели плоского пРофиля электрического поля, соответствующего выполнению условия схода критической линии тока с острой кромки модели профиля (аналогия Б), размещении на поверхности второй полупроводящей среды геометрической модели плоского профиля из диэлектрического материала и измерении на поверхности второй полупроводящей среды заданного посредством. внешних электродов параметров электрического поля, отображающего определяемое поле давлений (аналогия А), о .т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности и сокращения времени определения поля давлений, вторую полупроводящую среду составляют из двух частей, которые изолируют одну от другой вдоль измеренной в первой полупроводяцей среде критической линии тока и затем параметры электрического поля во второй полупроводящей среде измеряют и фиксируют раздельно в обеих частях второй полупроводящей среды.1629913 Составитель А.МасловТехред Л.Олийнык К ко р М.Кучеряс Редакт Заказ 439 Тираж 384 Подписк оеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 и ГКНТ ССС Производственно"издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О